[实用新型]反应腔顶及CVD反应腔有效
申请号: | 201420547290.7 | 申请日: | 2014-09-22 |
公开(公告)号: | CN204155916U | 公开(公告)日: | 2015-02-11 |
发明(设计)人: | 何其保;吴新江;奚晓明;吴志君;范盯 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687;H01L21/67 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李时云 |
地址: | 100176 北京市大兴区*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型提供一种反应腔顶及CVD反应腔,其中,反应腔顶包括:反应腔顶主体、第一黄铜管、第二黄铜管、主体固定件、筒夹、外圈固定件、以及盖体,所述第一黄铜管位于反应腔顶主体顶部,所述第一黄铜管直径大于所述第二黄铜管直径。冷却水进入到第一黄铜管和第二黄铜管内中和射频产生的热量,反应腔顶主体的顶部在同一时间段内冷却水的流量比反应腔顶主体的其他部位大,使得反应腔顶主体温度平衡,反应腔顶主体内表面的薄膜厚度一致,可以避免反应腔顶主体顶部内表面被过量轰击,从而降低晶圆的报废率;反应腔顶开启之后再次盖回反应腔体时,将反应腔顶主体底部的固定块放置于反应腔体的卡槽中,保证反应腔体内的晶圆厚度均匀,节约成本。 | ||
搜索关键词: | 反应 cvd | ||
【主权项】:
一种反应腔顶,其特征在于,包括: 反应腔顶主体,所述反应腔顶主体的底部设置有多个固定块; 所述反应腔顶主体包裹的黄铜管,所述黄铜管包括第一黄铜管和与所述第一黄铜管连接的第二黄铜管,所述第一黄铜管位于所述反应腔顶主体的顶部,所述第一黄铜管的直径大于所述第二黄铜管的直径; 与所述反应腔顶主体连接的主体固定件; 套于所述主体固定件上的筒夹; 固定所述筒夹的外圈固定件;及 与所述筒夹连接的盖体。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(北京)有限公司,未经中芯国际集成电路制造(北京)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201420547290.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:等离子体引入损伤的测试结构
- 下一篇:一种适用于环网柜的熔断器导电结构
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造