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[实用新型]一种拉晶设备-CN202020245944.6有效
发明人：王建波;周锐;李侨;邓浩;付泽华;张龙龙;徐战军;张永辉;张伟建 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2020-03-03 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型实施例提供了一种拉晶设备，所述设备包括：加料装置和单晶炉；所述加料装置包括储料部和运料通道；所述储料部用于储存硅料；所述运料通道的一端与所述储料部相连，另一端穿过所述单晶炉的炉壁伸入所述单晶炉内，所述运料通道用于将所述硅料输送至所述单晶炉内；所述单晶炉内设有坩埚、缓料通道和导料通道；所述缓料通道的一端与所述导料通道相连，另一端与所述运料通道相连，且所述缓料通道分别与所述运料通道、所述导料通道呈预设夹角设置本实用新型实施例中，所述缓料通道能有效减缓所述硅料对坩埚内硅液的冲击，避免由于添加硅料导致硅液溅射引起硅液温度波动，进而可以有效提升单晶硅品质。
一种设备

[实用新型]一种单晶炉用废气孔罩-CN201820486017.6有效
发明人：赵聚来;何京辉;吴涛;李杰涛;米伟斌 -专利权人：宁晋晶兴电子材料有限公司
申请日： 2018-04-08 - 公布日： 2018-12-14 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种单晶炉用废气孔罩，用于安装在废气孔上；废气孔设置在单晶炉底盘上；废气孔罩包括：罩盘本体及支撑爪；罩盘本体呈圆形与废气孔适配；支撑爪为多个设置在罩盘本体下部并围设在废气孔周围支撑罩盘本体首先由于在废气孔上设置了废气孔罩，拉晶过程中，由于投料量增大挥发物也会随着增多，其通过排气孔罩，改变了挥发物原有的运行路径，既起到了分离过滤挥发物作用，防止阻塞排气孔导致整炉液体硅拉不成单晶，造成焖炉；其次当发生石英埚破裂导致硅液溢流后，由于废气孔罩设于热场与排气孔之间增加了缓冲，发生硅液溢流时有效降低了其通过排气口流向单晶炉外的管道，造成不锈钢管道被高温硅溶液烫坏迅速破裂的风险。
废气孔单晶炉挥发物罩盘排气孔支撑爪硅液溢流破裂本实用新型不锈钢管道排气孔罩运行路径硅溶液排气口盘本体石英埚投料量液体硅原有的支撑罩底盘单晶缓冲拉晶热场适配罩设整炉阻塞焖炉过滤

[发明专利]一种太阳能电池板用单晶硅制备工艺-CN201710417949.5在审
发明人：李顺利 -专利权人：界首市七曜新能源有限公司
申请日： 2017-06-06 - 公布日： 2017-10-20 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：一种太阳能电池板用单晶硅制备工艺，包括加料，熔化，缩颈生长，放肩生长，等径生长，尾部生长步骤。本发明将单晶硅原料送入长晶炉前进行低温加热处理，释放单晶硅原料内部应力，减少长晶时产生的位错，改善结晶质量；熔化时先将温度升至800～900℃，将长晶炉抽成真空，再将氩气充入长晶炉一方面进一步释放单晶硅原料的内部应力，另一方面通过升温将单晶硅原料内的气泡、氧杂质去除并随氩气一起排出长晶炉，保证单晶硅原料的纯度；本发明制得的单晶硅内部缺陷少，结晶质量高，作为太阳能板电池板使用具有较高的光电转换效率，同时使用寿命长。
一种太阳能电池板单晶硅制备工艺

[发明专利]一种应用于单晶炉的冷却装置及单晶炉-CN201810804122.4在审
发明人：邓先亮 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2018-07-20 - 公布日： 2020-01-31 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明提供一种应用于单晶炉的冷却装置及单晶炉，用于拉制高质量单晶硅棒，其特征在于，所述冷却装置包括：水冷套，所述水冷套包括设置在所述水冷套中的环形冷却水循环管路；导热附件，固定连接在所述水冷套的底端并向下延伸部分长度，用于吸收单晶硅棒的热量并传导至所述水冷套进行冷却，其中，所述导热附件的中心设置有空腔，以允许所述单晶硅棒通过，合理控制液面上部温度分布调节单晶硅棒的冷却速率以控制单晶硅棒内部缺陷。
单晶硅棒水冷套导热附件冷却装置单晶炉冷却环形冷却水内部缺陷温度分布向下延伸循环管路中心设置拉制控制液底端传导吸收应用

[实用新型]一种单晶炉稳定装置-CN202221911979.4有效
发明人：朱明智;余飞;涂准;李正葵;杨吉祥;杨旭邦;聂佳青;陈朝仲;魏国锋 -专利权人：保山隆基硅材料有限公司
申请日： 2022-07-21 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种单晶炉稳定装置，包括：固定壳体，至少两个稳定块和至少两个伸缩件；固定壳体设置在单晶炉的主室与副室之间，固定壳体中部设置有通孔，通孔连通单晶炉的主室与副室；稳定块位于固定壳体的通孔内；在需要对单晶炉内的硅棒固定时，伸缩件进行伸缩活动，推动稳定块向单晶炉的内腔延伸，对称延伸的稳定块可以对单晶炉副室内的硅棒进行夹持，进而起到硅棒的稳定作用，避免硅棒在副室内晃动，触碰到副室内壁造成安全事故
一种单晶炉稳定装置

[实用新型]一种用于单晶硅生长炉炉室锁紧机构-CN201720662507.2有效
发明人：傅林坚;曹建伟;孙明;倪军夫;沈兴潮 -专利权人：浙江晶盛机电股份有限公司
申请日： 2017-06-08 - 公布日： 2018-01-19 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及单晶硅制备设备，旨在提供一种用于单晶硅生长炉炉室锁紧机构。该种用于单晶硅生长炉炉室锁紧机构包括锁紧块、锁紧钩、传递套、气动件、控制元件，用于副炉室和隔离阀进行锁紧与松开。本实用新型既能使实现副炉室单独升降保持松开状态，也能使副炉室与隔离阀同步升降时保持锁紧状态，保证了副炉室和隔离阀同步升降时候的安全性。
一种用于单晶硅生长炉炉室锁紧机构

[发明专利]高深宽比的超结功率半导体结构及其制造方法-CN202011169438.4在审
发明人：朱袁正;周锦程;黄韵娜 -专利权人：无锡新洁能股份有限公司
申请日： 2020-10-28 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种高深宽比的超结功率半导体结构及制造方法，包括漏极金属、位于漏极金属上的第一导电类型单晶硅衬底及位于第一导电类型单晶硅衬底上的第一导电类型第一单晶硅外延层，在所述第一导电类型第一单晶硅外延层内设置第二导电类型柱，所述第二导电类型柱由掺杂了第二导电类型杂质的导电多晶硅形成，本发明能够消除第二导电类型柱内的填充间隙，增强填充性能，改善器件的漏电问题，提升器件的可靠性。
高深功率半导体结构及其制造方法

[发明专利]一种减少位错缺陷及多晶占比的铸造晶硅制备方法-CN202011154191.9在审
发明人：许志 -专利权人：福建新峰二维材料科技有限公司
申请日： 2020-10-26 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种减少位错缺陷及多晶占比的铸造晶硅制备方法，方法如下：直拉单晶圆棒去除边皮后得到无圆角的单晶方棒；垂直晶硅生长方向将单晶方棒切割成大籽晶块；所述单晶方棒或边皮切割成小籽晶块；将所述大、小籽晶块铺设在坩埚底部，形成完整的籽晶层；在籽晶层上放置原生多晶硅料、单晶边皮及头尾边等循环料；将装满多晶硅料的坩埚放入铸锭炉中，采用半融工艺得到铸造单晶硅锭或多晶硅锭；将硅锭进行开方，开方后得到小方锭；将小方锭进行切片后得到铸造单晶硅片或多晶硅片本发明使小、大籽晶块接缝处形成功能晶界阻止坩埚四周的多晶晶粒往内部生长，能够显著改善铸造单晶硅片的位错缺陷及多晶占比，从而改善铸造单晶硅片质量。
一种减少缺陷多晶铸造制备方法

[发明专利]一种单晶炉多次加料系统及加料方法-CN202210048483.7有效
发明人：王晓明;宋涛 -专利权人：徐州晶睿半导体装备科技有限公司
申请日： 2022-01-17 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： C30B15/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶炉多次加料系统及加料方法，所述加料系统包括：移动式送料单元，所述移动式送料单元包括料罐，所述料罐上端设有抽气口和进气口，所述抽气口通过气动阀一与副泵连通，所述进气口与氩气气源连通；接料单元，所述接料单元用于缓冲接收移动式送料单元传送的硅料，并将硅料传送至单晶炉内，所述接料单元可拆卸固定于单晶炉的炉盖上；加料控制系统，所述加料控制系统单晶炉PLC控制系统通讯连接，用于监控单晶炉PLC控制系统的变量以及加料控制本发明利用真空气力输送的原理，实现单晶炉生产过程中的多次加料，实现将单晶硅棒的长度最大化，可以节约大量成本。
一种单晶炉多次加料系统方法

[发明专利]硅锭的铸造方法-CN201410736914.4在审
发明人：秦海鹏 -专利权人：青岛泰威机床有限公司
申请日： 2014-12-05 - 公布日： 2016-06-29 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅锭的铸造方法，包括步骤：在坩埚中进行装料，底层原料包括多晶硅粉、中间层原料由单晶硅片拼接而成、上层原料为多晶硅料；将坩埚置于铸锭炉中并抽真空，将多晶硅粉烧结使单晶硅片固定；控制炉内的垂直温度梯度，使单晶硅片的上部部分熔化、并使多晶硅料熔化；控制炉内的垂直温度梯度，使晶粒沿着未熔化的单晶硅片向上生长并得到硅锭。本发明能提高硅锭的晶粒尺寸、提高由硅锭制成的硅电池片的光电转换效率，能降低生产成本。
铸造方法

[发明专利]硅锭的铸造方法-CN201611105064.3在审
发明人：曲立辉 -专利权人：青岛小米星电子科技有限公司
申请日： 2016-12-05 - 公布日： 2018-06-12 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅锭的铸造方法，包括步骤：在坩埚中进行装料，底层原料包括多晶硅粉、中间层原料由单晶硅片拼接而成、上层原料为多晶硅料；将坩埚置于铸锭炉中并抽真空，将多晶硅粉烧结使单晶硅片固定；控制炉内的垂直温度梯度，使单晶硅片的上部部分熔化、并使多晶硅料熔化；控制炉内的垂直温度梯度，使晶粒沿着未熔化的单晶硅片向上生长并得到硅锭。本发明能提高硅锭的晶粒尺寸、提高由硅锭制成的硅电池片的光电转换效率，能降低生产成本。
硅锭单晶硅片熔化垂直温度梯度晶粒多晶硅料多晶硅控制炉坩埚铸造光电转换效率中间层原料装料底层原料硅电池片向上生长烧结抽真空铸锭炉拼接上层

[发明专利]硅锭的铸造方法-CN201110254343.7无效
发明人：史珺;孙文彬 -专利权人：上海普罗新能源有限公司
申请日： 2011-08-31 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅锭的铸造方法，包括步骤：在坩埚中进行装料，底层原料包括多晶硅粉、中间层原料由单晶硅片拼接而成、上层原料为多晶硅料；将坩埚置于铸锭炉中并抽真空，将多晶硅粉烧结使单晶硅片固定；控制炉内的垂直温度梯度，使单晶硅片的上部部分熔化、并使多晶硅料熔化；控制炉内的垂直温度梯度，使晶粒沿着未熔化的单晶硅片向上生长并得到硅锭。本发明能提高硅锭的晶粒尺寸、提高由硅锭制成的硅电池片的光电转换效率，能降低生产成本。
铸造方法

[发明专利]一种太阳能级别单晶硅及其制备方法-CN201010146874.X无效
发明人：朱如坤 -专利权人：朱如坤
申请日： 2010-04-15 - 公布日： 2011-10-19 - 主分类号： C30B15/02 文献下载
摘要：一种应用于太阳能级别的单晶硅及其制备方法，把25Kg的多晶硅(占原料35.72％)、边皮15Kg(占原料21.43％)、复拉棒20Kg(占原料28.57％)、抛光片5Kg(占原料7.14％)、头尾料5Kg(占原料7.14％)放入单晶炉，单晶炉的石英锅的温度达到硅的融点才1410度左右，融化了硅以后石英锅慢慢转动，种晶从上面下降，点到锅的液面点，慢慢反方向转动，锅下面同时在加热，液面上加冷，种晶点到液面上就会出现一个光点，慢慢旋转，向上拉引、放肩、转肩、正常拉棒、收尾，在一段时间后，一个单晶棒形成。本发明的有益效果是：本发明有效的解决了单晶硅生产过程中掺杂母合金中带来一系列不足，提高单晶硅的成品率，大大缩短了成品时间。
一种太阳能级别单晶硅及其制备方法

[实用新型]单晶炉的观察单晶棒生长装置-CN201120264730.4有效
发明人：林游辉 -专利权人：合肥景坤新能源有限公司
申请日： 2011-07-25 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种单晶炉的观察单晶棒生长装置，在副炉的侧壁上开有观察孔，所述观察孔上铰接有观察窗，观察窗上带有透明玻璃，副炉的侧壁上设有直径传感器，直径传感器外连接有控制装置。本实用新型可透过观察窗直接观察单晶硅的生长过程，通过直径传感器可直接测量单晶硅的直径大小，结构设计简单，提高了单晶硅的质量。
单晶炉观察单晶棒生长装置

[实用新型]一种单晶炉下轴保护装置-CN202222693225.2有效
发明人：李安君;许堃;吴超慧;朱厚军;罗昌萍 -专利权人：宇泽半导体（云南）有限公司
申请日： 2022-10-13 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及单晶炉设备技术领域，具体为一种单晶炉下轴保护装置，包括托杆，托杆安装在单晶炉下轴上，托杆的外侧上部安装有底加，底加的下方设置有防漏护板，防漏护板的底部安装有副石墨电极。该单晶炉下轴保护装置中，通过托杆保护环可以减少单晶炉内的硅熔体在拉晶时的液面晃动及因溅硅而导致的下轴波纹管烫穿而造成的单晶炉漏气，可有效降低拉晶过程中的液面晃动及波纹管烫穿的异常事故，托杆保护环为活动式设计，托杆保护环缩小了热场和托杆保护环的距离，使得溅硅被托杆保护环所阻挡，溅硅不会直接落入下轴波纹管中，从而降低了下轴波纹管被溅硅烫穿的概率，大大减少单晶炉漏气事件的发生及更换下轴波纹管的维修费用。
一种单晶炉下轴保护装置