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[发明专利]一种单晶炉及用该单晶炉进行直拉单晶稳温工艺-CN202010330003.7在审
发明人：吴树飞;王林;高润飞;谷守伟;王建平;周泽;杨志;赵国伟;刘振宇;郝瑞军;刘学;皇甫亚楠;杨瑞峰;郭志荣;钟旭 -专利权人：内蒙古中环协鑫光伏材料有限公司
申请日： 2020-04-24 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明提供一种单晶炉，包括炉盖和主炉室，还具有若干用于监测所述主炉室石英坩埚中熔硅液面上设定区域内的温度监控装置，所述监控装置置于所述炉盖内侧且被置于所述主炉室导流筒的斜上方；所述监控装置均朝所述设定区域方向倾斜设置本发明还提出一种用该单晶炉进行直拉单晶稳温工艺。本发明通过设置用于熔硅液面尤其是靠近中心位置处的温度，实现熔硅液面温度监控自动调整，以保证稳温拉制工序中固液界面温度的横定，为后续成功引晶奠定基础，监控区域设置合理，监控温度精准且易于控制，实现熔硅液面温度的自动调节,从而保证单晶晶体生长温度梯度的一致性，提高生产效率。
一种单晶炉进行直拉单晶稳温工艺

[发明专利]一种单晶炉的停炉冷却系统及工艺-CN201410230528.8无效
发明人：施承启;张永超;汤波 -专利权人：上海卡姆丹克太阳能科技有限公司;卡姆丹克太阳能(江苏)有限公司
申请日： 2014-05-28 - 公布日： 2014-08-27 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种单晶炉的停炉冷却系统，包括单晶炉、过滤器、真空泵，三者顺序连接，单晶炉的排气口设置排气口阀门A，过滤器上设置放气阀B，真空泵的入口设置电磁阀C；排气口阀门A、放气阀B、电磁阀C与统一的控制系统信号连接单晶炉拉晶结束后，关闭排气口阀门A，氩气或氮气继续冲入单晶炉；关闭真空泵，同时关闭电磁阀C；当单晶炉内压力接近1个大气压时，自动开启放气阀B；当单晶炉内压力略大于1个大气压时，自动开启排气口阀门A，单晶炉通过放气阀本发明使得气体热对流效果大大加强，单晶炉的冷却时间缩短20％以上；同时大大降低了单晶硅生产的耗能程度，具有节能减排的技术效果。
一种单晶炉冷却系统工艺

[实用新型]一种单晶炉的停炉冷却系统-CN201420279262.1有效
发明人：施承启;张永超;汤波 -专利权人：上海卡姆丹克太阳能科技有限公司;卡姆丹克太阳能(江苏)有限公司
申请日： 2014-05-28 - 公布日： 2014-11-26 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种单晶炉的停炉冷却系统，包括单晶炉、过滤器、真空泵，三者顺序连接，单晶炉的排气口设置排气口阀门A，过滤器上设置放气阀B，真空泵的入口设置电磁阀C；排气口阀门A、放气阀B、电磁阀C与统一的控制系统信号连接单晶炉拉晶结束后，关闭排气口阀门A，氩气或氮气继续冲入单晶炉；关闭真空泵，同时关闭电磁阀C；当单晶炉内压力接近1个大气压时，自动开启放气阀B；当单晶炉内压力略大于1个大气压时，自动开启排气口阀门A，单晶炉通过放气阀本实用新型使得气体热对流效果大大加强，单晶炉的冷却时间缩短20％以上；同时大大降低了单晶硅生产的耗能程度，具有节能减排的技术效果。
一种单晶炉冷却系统

[发明专利]单晶提拉方法和单晶提拉装置-CN202080077251.3在审
发明人：成松真吾 -专利权人：环球晶圆日本股份有限公司
申请日： 2020-10-20 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： C30B27/02 文献下载
摘要：本发明提供单晶提拉方法和单晶提拉装置，所述单晶提拉方法是在通过直拉法从硅熔融液中提拉硅单晶时，在肩部形成后、且在产品部前半形成中，向硅熔融液中高效地添加掺杂剂而不会产生有位错化，可得到低电阻率的单晶。所述方法具备以下工序：形成惰性气体流(G)的工序，该惰性气体流在配置成包围在炉内培育的硅单晶(C)的隔热板(7)的内侧从上方朝向硅熔液面(M1)流动，同时沿着上述硅熔液面放射状地扩展，向上述坩埚外排气；在上述炉内使掺杂剂变成气态的工序；将已变成气态的掺杂剂排放到上述隔热板的内侧的工序；以及使上述已变成气态的掺杂剂搭乘上述惰性气体流而流动的工序。
单晶提拉方法装置

[实用新型]一种单晶硅炉固定装置-CN201721860796.3有效
发明人：路建华;陈钦强 -专利权人：青海日晶光电有限公司
申请日： 2017-12-27 - 公布日： 2018-10-09 - 主分类号： F16M11/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种单晶硅炉固定装置，包括固定底座，固定底座顶端的四个边角分别与四个固定杆的底端固定连接，四个固定杆的顶端均与环形固定箍的底端固定连接，固定底座底端的四个边角分别与四个液压伸缩杆的顶端固定连接本实用新型通过设有固定筒和环形固定箍可固定单晶硅炉，增加单晶硅炉的稳定性，设有的警示灯条在单晶硅炉工作的时候亮起，进而提醒工作人员及时避让远离，避免接触高温的炉壁而受伤,提高装置的安全性，设有的爬梯便于投料和维修炉膛，增加装置的实用性，设有的缓冲弹簧一方面对炉的热胀冷缩提供空间，另一方面可在单晶硅工作时起到缓冲的作用，避免炉的振动而产生较大噪音。
单晶硅炉固定底座本实用新型固定装置固定杆固定箍固定筒边角底端炉膛单晶硅液压伸缩杆缓冲弹簧热胀冷缩提高装置增加装置警示灯可固定避让缓冲炉壁爬梯投料噪音维修受伤

[发明专利]一种硅抛光片的漏源极漏电改善工艺-CN202310457710.6在审
发明人：张帅;梁兴勃;卢飞红;许峰;卢锋;刘建刚 -专利权人：金瑞泓微电子（嘉兴）有限公司
申请日： 2023-04-26 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅抛光片的漏源极漏电改善工艺，包括以下步骤：步骤一：第一步高温处理，将硅抛光片放入高温炉内，将温度升高到1100～1250℃的进行热处理，热处理时间为140～160分钟，并确保高温炉内充满氮气和氧气，形成氮气和氧气的混合环境；步骤二：第二步高温处理，将高温炉内温度降低到650～720℃，并保证热处理时间为100～130分钟，停止输送氧气，确保内部为氮气环境；步骤三：第三步高温处理，将高温炉内温度升高至到720～850℃，并保证热处理时间为145～155分钟，确保内部始终为氮气环境；步骤四：保持氮气环境，并等待硅抛光片冷却，之后进行清洗。本发明降低抛光片单晶氧含量，改善使用该抛光片进行芯片制造过程中器件漏源极漏电的问题。
一种抛光漏源极漏电改善工艺

[发明专利]单晶炉二次加料漏斗装置-CN201210017096.3无效
发明人：吴学军;周凯平 -专利权人：宁夏日晶新能源装备股份有限公司
申请日： 2012-01-19 - 公布日： 2013-07-24 - 主分类号： C30B15/02 文献下载
摘要：本发明的单晶炉二次加料漏斗装置属于冶金系统单晶炉冶炼装置，特别涉及单晶炉冶炼加料时二次加料漏斗装置；拉杆通过安装在漏斗上端的定位孔安装在漏斗内，底盖套装在拉杆上并由螺母定位在拉杆下端，拉杆上端连接籽晶绳；活动法兰固定套装在漏斗外侧壁上；漏斗由活动法兰挂装在单晶炉壳体内；单晶炉壳体内漏斗下部安装石英坩埚；漏斗上部为圆柱状，下部为圆锥状，粒状硅料装在漏斗内；可根据颗粒状硅料的加料量和炉体的高低，随时调节它与漏斗的定位，使得拉杆可以自由移动，不会受硅料的挤压而无法上下移动提高了坩埚的利用率，降低了晶棒成长的时间，节约了成本。
单晶炉二次加料漏斗装置

[实用新型]单晶炉二次加料漏斗装置-CN201220025212.1有效
发明人：吴学军;周凯平 -专利权人：宁夏日晶新能源装备股份有限公司
申请日： 2012-01-19 - 公布日： 2012-09-26 - 主分类号： C30B15/02 文献下载
摘要：本实用新型单晶炉二次加料漏斗装置属于冶金系统单晶炉冶炼装置，特别涉及单晶炉冶炼加料时二次加料漏斗装置；拉杆通过安装在漏斗上端的定位孔安装在漏斗内，底盖套装在拉杆上并由螺母定位在拉杆下端，拉杆上端连接籽晶绳；活动法兰固定套装在漏斗外侧壁上；漏斗由活动法兰挂装在单晶炉壳体内；单晶炉壳体内漏斗下部安装石英坩埚；漏斗上部为圆柱状，下部为圆锥状，粒状硅料装在漏斗内；可根据颗粒状硅料的加料量和炉体的高低，随时调节它与漏斗的定位，使得拉杆可以自由移动，不会受硅料的挤压而无法上下移动提高了坩埚的利用率，降低了晶棒成长的时间，节约了成本。
单晶炉二次加料漏斗装置

[实用新型]单晶炉谐波滤波补偿装置-CN201020155230.2无效
发明人：刘玉艳 -专利权人：刘玉艳
申请日： 2010-04-02 - 公布日： 2010-12-22 - 主分类号： H02J3/01 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种单晶炉谐波滤波补偿装置，旨在提高单晶炉的滤波补偿效果。该单晶炉谐波滤波补偿装置包括电抗器、电容器，电抗器与电容器组成滤波电路，滤除单晶炉工作过程中产生的谐波。其中单晶炉谐波滤波补偿装置还包括可控硅控制单元，该可控硅控制单元连接在三相电源的电压线与滤波电路之间，控制滤波电路的接通。本实用新型通过可控硅控制单元SK1的控制，使得滤波电路可以实现动态地与三相电源开/断，进一步提高了滤波效果。而且，还可以实时监测滤波电路的滤波补偿情况，避免了过补偿的现象发生。
单晶炉谐波滤波补偿装置

[发明专利]一种单晶炉抽气孔堵塞的处理方法-CN201110202469.X无效
发明人：徐建军;钱荣林 -专利权人：浙江荣马电子科技有限公司
申请日： 2011-07-15 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种单晶炉抽气孔堵塞的处理方法，当等晶过程中出现抽气孔堵塞时，采取以下步骤排除抽气孔处的沉积物：A、降下单晶炉内温度至硅的结晶温度。B、关闭单晶炉主室的电磁球阀；C、将单晶炉内的气体压力从600～800帕升至8万～9.5万帕，然后关闭进气口；D、敲打抽气管或使之震动，使沉积物松动，打开单晶炉主室的电磁球阀，使堵塞在抽气孔中的沉积物被气流冲走；E、打开进气口，重新调节单晶炉内的气体压力至600～800帕，同时升高单晶炉内温度至硅的溶点温度。采用本发明方法，可以在不停炉的情况下直接排除抽气孔处的粉尘、氧化物和其它杂质等沉积物，减少了能耗，提高了成品率和生产效率。
一种单晶炉抽气孔堵塞处理方法

[发明专利]一种真空区熔高阻硅单晶的制备方法-CN200910301603.4有效
发明人：吴贤富;邓良平;丁国江;万金平;阮光玉;袁小武;徐杰;王洪亮;张学东 -专利权人：峨嵋半导体材料研究所
申请日： 2009-04-16 - 公布日： 2009-09-09 - 主分类号： C30B13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种真空区熔高阻硅单晶的制备方法，依序包括多晶硅提纯与硅单晶成晶两大工艺，其中，多晶硅提纯包括：清炉、装炉，抽空、预热，化料、熔接，生长细颈，放肩，转肩、等径及收尾，重复；单晶硅成晶包括：清炉、装炉、抽空、预热、化料处理，引晶，放肩、转肩工序，等径、收尾、停炉。采用该方法制备硅单晶，能够极大提高所得硅单晶的电阻率、超高纯度、电阻率分布、断面电阻率均匀性以及少子寿命，其纯度达到11N以上，电阻率达到8000Ω.cm～30000Ω.cm，断面电阻率均匀性小于15％，少子寿命大于600～1000μs，从而极大提高器件性能和稳定性、安全性；同时可实现批量生产真空区熔高阻硅单晶。
一种真空区熔高阻硅单晶制备方法

[实用新型]单晶炉用螺栓及单晶炉-CN202221651305.5有效
发明人：陈林军;肖瑶;许正友;涂鑫鑫;陈昌林 -专利权人：四川晶科能源有限公司;晶科能源股份有限公司
申请日： 2022-06-28 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： F16B35/00 文献下载
摘要：本实用新型实施例涉及单晶硅制造技术领域，提供一种单晶炉用螺栓及单晶炉，单晶炉用螺栓包括：相连接的螺杆以及螺盖，所述螺盖远离所述螺杆的表面具有第一螺孔，所述第一螺孔的底面至少具有一个与所述第一螺孔相贯通的第二螺孔本实用新型提供的单晶炉用螺栓及单晶炉至少可以降低硅棒的生产成本。
单晶炉用螺栓单晶炉

[发明专利]一种降低上排气方式单晶炉的晶棒中氧含量的方法-CN202010516038.X在审
发明人：辛玉龙;韩燕旭;高明霞;郭鹏;张立达;朱远国;任勇祥;王立明;冯宜平 -专利权人：山西潞安太阳能科技有限责任公司
申请日： 2020-06-09 - 公布日： 2020-09-18 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明涉及单晶太阳能晶棒生产领域。一种降低下排气方式单晶炉的晶棒中氧含量的方法，将单晶炉的排气方式修改为上排气方式，坩埚转速调整为5r/min，拉晶过程中的晶转设定为12r/min。本发明将下排气方式修改为上排气方式，缩短单晶炉内排气路线和排气时间，避免了SiO从硅液表面随气流排出，避免SiO在熔硅中分解造成了硅棒中的氧含量偏高的问题。
一种降低排气方式单晶炉晶棒中氧含量方法

[发明专利]环栅结构源漏的外延制备方法以及环栅结构-CN202111070720.1有效
发明人：徐敏;刘桃;汪大伟;王晨;张卫;徐赛生;吴春蕾 -专利权人：上海集成电路制造创新中心有限公司;复旦大学
申请日： 2021-09-13 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明提供了一种环栅结构源漏的外延制备方法以及环栅结构，其中的方法包括：提供一衬底，在所述衬底上形成多个鳍片，沿沟道方向，相邻的两个鳍片之间具有凹槽；在所述衬底上淀积非晶硅层；对所述非晶硅层进行退火，以使所述非晶硅层结晶形成单晶硅层；以所述单晶硅层的表面为起始表面，外延生长锗硅材料，形成锗硅体层；在所述锗硅体层形成环栅结构的源/漏区；通过在凹槽淀积非晶硅层，然后将非晶硅层经过退火处理结晶成单晶硅层，以单晶硅层为起始表面生长锗硅体层的方法，能够制备出无位错高质量的硅锗体层，为沟道提供足够的应力，提升环栅器件的空穴迁移率，进而提高环栅器件的开启电流。
结构外延制备方法以及

[发明专利]直拉硅单晶炉炉盖-CN200910175319.7无效
发明人：刘彬国;张呈沛;何京辉 -专利权人：晶龙实业集团有限公司;宁晋晶兴电子材料有限公司
申请日： 2009-12-14 - 公布日： 2010-07-14 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种改进的直拉硅单晶炉炉盖，包括设置在炉盖顶部的进气口，该炉盖下方、进气口的边缘处连接有挡流装置。挡流装置以合理角度插入或采用活动铰链连接于炉盖上。生长单晶硅过程用利用该改进的直拉硅单晶炉炉盖可以达到保护单晶表面免于污染，促进硅单晶生长，提高热场元件寿命的目的。
直拉硅单晶炉炉盖