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[发明专利]硅料中杂质的处理方法-CN201310200070.7无效
发明人：白剑铭 -专利权人：英利能源（中国）有限公司
申请日： 2013-05-27 - 公布日： 2013-08-28 - 主分类号： C30B15/14 文献下载
摘要：本发明提供了一种硅料中杂质的处理方法，该硅料中杂质的处理方法包括杂质分离步骤，使加热器的温度高于杂质的沸点且低于硅料的沸点，以使杂质在气态下与硅料分离。根据本发明的硅料中杂质的处理方法，可以将单晶炉内的硅料中的杂质去除，当利用单晶炉拉制单晶硅棒时，可以大大提高单晶硅棒的成品率，降低企业的生产单晶硅棒的成本。
硅料中杂质处理方法

[发明专利]一种生产单晶硅的停炉方法及单晶炉-CN202310484648.X有效
发明人：陈伟;崔永慧;李林东;吴超慧;张鹏;陈志军;许堃;李安君;邢立勋;毛亮亮;丁云飞 -专利权人：苏州晨晖智能设备有限公司
申请日： 2023-05-04 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明属于单晶硅生产技术领域，具体涉及一种生产单晶硅的停炉方法及单晶炉，方法包括：在硅熔液的液面温度高于950℃~1050℃时，采用CCD相机监测液面温度；在液面温度不高于950℃~1050℃时，采用广角红外测温单元监测硅晶棒表面和单晶炉内加热器发热区的温度，向单晶炉内通氩气进行冷却；冷却的条件包括：硅晶棒和坩埚分别转动；在硅晶棒表面的温度降至950℃~1050℃时，使硅晶棒进行第一提升和第二提升，使坩埚下移；在硅晶棒表面的温度降至880℃‑920℃时，使热屏上移，使坩埚下移；在硅晶棒表面的温度降至440℃~460℃时，取出硅晶棒；在加热器发热区温度降至310℃‑330℃时，拆炉和/或装炉。
一种生产单晶硅方法单晶炉

[发明专利]一种制备单晶硅棒的方法-CN201910983360.0在审
发明人：尉茂 -专利权人：武汉先见科技有限公司
申请日： 2019-10-16 - 公布日： 2019-12-06 - 主分类号： C30B15/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种制备单晶硅棒的方法，包括：S1、在直拉单晶炉内的石英坩埚中放入一定量的多晶硅；S2、在直拉单晶炉内设置一根进气陶瓷管；S3、炉内抽真空，加热融化多晶硅形成硅液，将进气陶瓷管下端浸入石英坩埚内的硅液中；S4、从进气陶瓷管中通入氯硅烷，氯硅烷在管壁开始分解成颗粒硅，未反应的氯硅烷进一步在硅液中鼓泡分解、熔化成硅液；S5、硅液达到一定高度后，停止通入氯硅烷，并抽真空至3Pa维持；S6、使用籽晶拉制出单晶硅棒本发明的方法中直接将氯硅烷或硅烷通入硅液中，氯硅烷或硅烷会在管壁和硅液中鼓泡两个阶段分解，大大提高了分解效率，并无硅粉尘产生，用于解决现有技术中硅烷制造直拉单晶硅棒转化率低的问题。
硅液氯硅烷进气陶瓷管硅烷分解直拉单晶炉单晶硅棒石英坩埚抽真空多晶硅鼓泡管壁直拉单晶硅棒熔化加热融化浸入拉制硅粉尘颗粒硅炉内下端籽晶制备制造

[实用新型]单晶炉热场系统-CN201420745387.9有效
发明人：顾燕滨;贺贤汉 -专利权人：上海申和热磁电子有限公司
申请日： 2014-12-02 - 公布日： 2015-06-10 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型单晶炉热场系统，包括：单晶炉炉体，在所述单晶炉炉体内壁上设热场保温结构；排气管道口，所述排气管道口设置在所述单晶炉炉体上，所述排气管道口排气管道口贯穿所述单晶炉炉体及所述热场保温结构；导气护套所述排气管道口的数量为两个，两个所述排气管道口分别设置在所述单晶炉炉体的两侧。本实用新型单晶炉热场系统避免单晶硅制取过程中堵塞现象，可延长单晶硅的制取过程时间，为长时间连续制取单晶硅提供保障。
单晶炉热场系统

[发明专利]一种单晶炉及降低单晶炉中硅蒸汽的方法-CN202310610277.5有效
发明人：李林东;高伟杰;陈伟;丁云飞;陈志军;吴超慧;张鹏;卢亮;许堃 -专利权人：苏州晨晖智能设备有限公司
申请日： 2023-05-29 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本申请的实施例提供了一种单晶炉及降低单晶炉中硅蒸汽的方法，涉及单晶炉技术领域。该单晶炉包括炉体、坩埚、保温筒、加热器以及水冷硅管；保温筒设置在炉体内，坩埚设置于保温筒内，坩埚内用于盛放熔融硅液，加热器围设于坩埚外，加热器与保温筒之间设置有间隙，水冷硅管设置于间隙内，水冷硅管内用于通入冷却水，且水冷硅管用于供硅蒸气附着；水冷硅管包括依次设置的多个环形管，多个环形管均绕设于坩埚外，环形管之间通过竖直连接管相连通，其不易造成热场中的石墨件、碳碳件侵蚀损伤，也不易出现硅蒸汽与单晶炉内漂浮的其他杂质发生反应形成化合物的情形
一种单晶炉降低单晶炉中硅蒸汽方法

[实用新型]一种加料装置及拉晶装置-CN202221344483.3有效
发明人：文永飞;邓浩;董升;马少林 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2022-05-31 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种加料装置及拉晶装置，加料装置应用于拉晶装置，拉晶装置包括单晶炉以及设置于单晶炉内的坩埚，加料装置包括：进料管和导流件；其中，进料管穿设于单晶炉并延伸至单晶炉内，进料管用于将硅料输送至单晶炉内；导流件与进料管相对应设置，且导流件至少部分延伸至坩埚内，以使硅料沿导流件输送至坩埚内。本申请采用进料管将硅料沿导流件输送至坩埚内，进料稳定，对坩埚内硅液的液面变化影响较小，可以实现进料的同时进行拉晶。提升了拉晶的稳定性，避免了对单晶硅性能的影响，提高了太阳能电池的光电转换效率。
一种加料装置

[发明专利]一种利用晶体硅金刚线切割废料制备太阳能级硅的方法-CN202210160085.4在审
发明人：邢鹏飞;张照阳;吴纪清;王艺澄;庄艳歆;郭晓琳;李海煜;王帅;何光贵 -专利权人：东北大学;江苏美科太阳能科技股份有限公司
申请日： 2022-02-22 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用晶体硅金刚线切割废料制备太阳能级硅的方法，首先对金刚线切割废料进行烘干，然后与造渣剂充分混合，混合后物料直接置于熔炼炉进行造渣精炼，造渣精炼结束后进行通气精炼，保温静置使渣金分离，渣金分离后直接把硅液倒入已预热的铸锭所用的坩埚中，并迅速入炉升温抽真空进行铸锭，把剩下的硅渣倒入另外的模具中冷却处理，铸锭完成后把顶端和底部杂质含量较多的部分去除，即硅纯度低于5N，得太阳能级多晶硅，也可作为单晶原料；对单晶原料破碎、酸洗，然后拉单晶，拉晶结束后得到太阳能级单晶硅；该方法实现了变废为宝，不仅工艺简单、流程短，减少了环境污染问题，还实现了可循环经济的发展模式，提高了产品的高附加值。
一种利用晶体金刚切割废料制备太阳能级方法

[发明专利]直拉硅单晶炉装置及硅单晶拉制方法-CN201010166018.0有效
发明人：周俭 -专利权人：内蒙古晟纳吉光伏材料有限公司;周俭
申请日： 2010-05-07 - 公布日： 2011-11-09 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种提高单晶硅纯度的直拉单晶硅炉装置以及单晶硅拉制方法，该单晶炉装置的特征在于，在炉腔(16)中硅熔体(14)的上方设置一个两端开口长筒形的罩体(5)，所述罩体(5)的上端设置于炉腔的上部，开口正对着副室，或设置于副室(1)内，罩体(5)与硅熔体(14)液面接近的一端与硅熔体(14)液面具有一间距。在单晶硅拉制过程中，将惰性气体从副室(1)流向罩体(5)，再沿着罩体(5)从其下端流出，最终经排气口(12)排出。利用带有罩体的单晶炉装置以及拉制方法所得的单晶硅的纯度比现有技术的方法所得单晶的纯度提高了10倍以上，并且单晶硅棒各部分的纯度偏差也较小。
直拉硅单晶炉装置硅单晶拉制方法

[发明专利]磷硅镉单晶的生长方法-CN201110083331.2无效
发明人：陶绪堂;张国栋;王善朋;施琼;阮华棚;蒋民华 -专利权人：山东大学
申请日： 2011-04-02 - 公布日： 2011-08-31 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明涉及磷硅镉的单晶生长方法。按硅∶镉∶磷＝1∶1∶2～2.05配料合成磷硅镉多晶料，采用坩埚下降炉，通过自发形核生长法或定向籽晶生长法进行生长。步骤包括：将磷硅镉多晶料直接装入坩埚中，或者加入籽晶后再装入坩埚中；将坩埚置入石英管中，抽真空后封结石英管；将石英管装入坩埚下降炉中；升温、坩埚下降、最后降温。本发明方法可制备出高纯度、高质量的磷硅镉单晶。
磷硅镉单晶生长方法

[发明专利]一种纯化硅的方法-CN200710196564.7无效
发明人：罗应明 -专利权人：晶湛（南昌）科技有限公司
申请日： 2007-11-29 - 公布日： 2008-08-13 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：一种纯化硅的方法，其特征在于，将硅原料加料入单晶炉中熔融后进行提拉来提纯得到太阳能级单晶棒，其中利用单晶炉抽真空设施隔离空气，在提拉晶体硅的过程中全程抽真空，和提拉晶体硅的速度是常规的单晶提拉速度的1.5本发明的优点是：充分利用传统工艺设备单晶炉加以改造，就能达到大幅度降低能耗和提升产能；其工艺步骤少，操作简单，适用于任何型式的单晶炉。
一种纯化方法

[实用新型]一种单晶炉热场防尘装置及热场防尘单晶炉-CN202220445062.3有效
发明人：龚小伦;关树军;张鹏;路建华;李飞剑;杨春祥 -专利权人：乐山市京运通新材料科技有限公司
申请日： 2022-03-02 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型属于单晶硅生产设备的技术领域，具体涉及一种单晶炉热场防尘装置及热场防尘单晶炉。一种单晶炉热场防尘装置，用于单晶合炉时减少微尘杂质掉入热场，包括，位于中下保温筒上方的上保温筒，位于上保温筒上方并用于将上保温筒开口封闭的防尘盖板。通过在热场结构中的中下保温筒上设置上保温筒，并在上保温筒上设置防尘盖板，在合炉时利用该防尘盖板将上保温筒上方开口封闭，阻挡合炉时热场外部的微尘杂质进入热场，可以有效的减少掉入热场的微尘杂质，以此可以降低拉晶过程中单晶硅棒断线的频率，此外由于较少的微尘杂质的影响，单晶硅棒中少子寿命也不会受到影响降低，从而保证拉制生产出的单晶品质，提高了单晶硅的生产率及生产质量。
一种单晶炉热场防尘装置单晶炉

[发明专利]单晶炉冷却保护方法、电子设备及计算机可读存储介质-CN202310512043.7在审
发明人：陈占仓;欧子杨;姜军帮;赵玉智 -专利权人：晶科能源股份有限公司;青海晶科能源有限公司
申请日： 2023-05-08 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本申请实施例涉及单晶硅生产技术领域，公开了一种单晶炉冷却保护方法、电子设备及计算机可读存储介质。上述单晶炉冷却保护方法包括以多个单晶炉所在的基地为中心，获取在所述基地预设距离范围内的区域的地震信息；根据所述地震信息和各所述单晶炉的当前状态，确定各所述单晶炉是否需要冷却保护；向需要冷却保护的单晶炉发送控制指令，以供所述需要冷却保护的单晶炉在接收到所述控制指令后自动进入冷却保护状态。本申请实施例的单晶炉冷却保护方法，可以批量控制单晶炉，使其自动进入冷却保护状态，从而避免已生产出的晶棒遭受破坏，降低生产商的经济损失。
单晶炉冷却保护方法电子设备计算机可读存储介质

[发明专利]生产单晶硅还原炉及其生产方法-CN202211220064.3在审
发明人：黄志国;周伟;黄硕 -专利权人：扬州市硕成伟业电热设备有限公司
申请日： 2022-10-08 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明公开了生产单晶硅还原炉及其生产方法，涉及单晶炉技术领域，包括单晶硅炉主体，所述单晶硅炉主体的底部固定套接有固定架，所述固定架顶部的一端设置有控制面板，所述单晶硅炉主体的顶部固定安装有物料箱，所述单晶硅炉主体包括防护机构和密封机构
生产单晶硅还原及其方法

[实用新型]一种单晶硅生长炉炉盖固定装置-CN201720817673.5有效
发明人：刘海;贺贤汉;郡司拓 -专利权人：上海汉虹精密机械有限公司
申请日： 2017-07-07 - 公布日： 2018-02-02 - 主分类号： C30B35/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及单晶炉设备技术领域，具体是一种单晶硅生长炉炉盖固定装置，包括安装在单晶炉机架立柱上的基座，所述基座垂直向上伸出支撑架，所述支撑架的顶端安装垂直朝向于炉盖导向轴的固定爪，所述固定爪的尾端与所述支撑架铰接、头端上设有与所述炉盖的槽孔相配适的挂钩。本实用新型的有益效果是，操作简单实用，有效解决了现有单晶硅生长炉的炉盖固定方式不合理的问题，简化分离单晶硅生长炉炉盖与炉筒步骤，且对炉盖进行简易固定，大幅缩短了生产时间，省时省力。
一种单晶硅生长炉炉盖固定装置

[发明专利]采用补偿硅料的n型单晶硅拉制方法-CN201510145846.9有效
发明人：高文秀;李帅;赵百通 -专利权人：江苏盎华光伏工程技术研究中心有限公司
申请日： 2015-03-30 - 公布日： 2017-08-22 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用补偿硅料的n型单晶硅拉制方法，包括如下步骤a)选用含有磷和硼的n型多晶硅原料；b)将n型多晶硅原料投入单晶炉主加热腔室中，加热熔化后使用n型晶向的籽晶引晶拉制形成单晶硅棒；c)将单晶硅棒向上提起放入单晶炉副腔室，关闭主加热腔室与副腔室闸板，并向副腔室冲入氩气，对单晶硅棒进行冷却。本发明通过选用含有磷和硼的n型多晶硅原料，无需再添加额外的n型或p型掺杂剂，降低太阳能电池成本；并且由于硅液中同时含有大量的磷和硼，一定含量的硼的分凝，对于磷的小的分凝系数所造成的电阻率分布梯度大，起到一定的补偿的作用，从而使得n型单晶硅片的电阻率分布更加集中均匀。
采用补偿单晶硅拉制方法

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