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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种Cr掺杂ZnO基稀磁半导体薄膜材料的制备方法-CN200910085267.4无效
发明人：庞晓露;高克玮;杨会生;王燕斌 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2009-06-03 - 公布日： 2009-12-30 - 主分类号： H01F1/40 文献下载
摘要：一种Cr掺杂ZnO基稀磁半导体薄膜材料的制备方法，属于新型半导体自旋电子器件材料制备领域。基体经超声清洗和除去表面氧化物和其它杂质后，通过改变不同的靶功率得到不同掺杂浓度的氧化锌基稀磁半导体薄膜材料。本方法制备工艺简单，沉积速率高，不需要任何后续的处理就可以得到室温铁磁性能和高的居里温度且性能可控的稀磁半导体薄膜材料，具有重要的研究价值和广阔的应用前景。
一种 cr 掺杂 zno 基稀磁半导体薄膜材料制备方法

[发明专利]提高金属氧化物半导体材料光催化性能的方法-CN200910053869.1无效
发明人：向群;孟桂芳;张源;李辉;徐甲强 -专利权人：上海大学
申请日： 2009-06-26 - 公布日： 2009-11-25 - 主分类号： B01J37/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于提高金属氧化物半导体材料光催化性能的方法，其方法是将贵金属量子点在水或乙醇中超声分散后，滴加到金属氧化物半导体材料中研磨均匀，其中贵金属量子点的用量为金属氧化物半导体材料质量的0.1％本发明直接将贵金属量子点通过键合作用均匀可控地复合在金属氧化物半导体材料表面，从而达到提高对有机染料光催化降解效率的目的。
提高金属氧化物半导体材料光催化性能方法

[发明专利]一种半导体激光器封装模块及其列阵-CN200810111852.2无效
发明人：房涛;王斌;郑光;褚少伟;亓岩;毕勇 -专利权人：北京中视中科光电技术有限公司;中国科学院光电研究院
申请日： 2008-05-16 - 公布日： 2009-11-18 - 主分类号： H01S5/022 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体激光器封装模块，包括管壳、锁紧槽、光纤耦合部件、半导体激光器和针脚；管壳的两侧设置有锁紧槽，管壳上还固定有光纤耦合部件和针脚，半导体激光器则安装在管壳内部；其中，光纤耦合部件和半导体激光器同轴放置
一种半导体激光器封装模块及其列阵

[发明专利]铋酸钡系负温度系数半导体陶瓷及其制备方法-CN200910114388.7无效
发明人：李旭琼;骆颖;刘心宇;周昌荣 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2009-09-11 - 公布日： 2010-03-03 - 主分类号： C04B35/453 文献下载
摘要：所述铋酸钡系负温度系数半导体陶瓷，其化学通式为(Ba_1-xA_x)(Sb_yBi_1-y)O₃，式中该半导体陶瓷可采用传统电子陶瓷制备工艺制备，具体包括配料，焙烧，造粒，压型，烧成和电极制备6个步骤。与现有技术相比，本发明铋酸钡系负温度系数半导体陶瓷制备工艺简单，导电性能良好，室温电阻率和温度系数可调，克服了现有负温度系数热敏电阻陶瓷材料室温电阻率大的不足，可实现室温电阻率为35Ω·cm，而温度系数B值为3147K的以BaBiO₃为基础相的负温度系数热敏电阻半导体陶瓷。
铋酸钡系负温度系数半导体陶瓷及其制备方法

[发明专利]基于无序网状碳纳米管薄膜的太阳能微电池的制备方法-CN200910307016.6无效
发明人：陈长鑫;张伟;潘晓艳;张亚非 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2009-09-15 - 公布日： 2010-02-24 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种能源领域的基于无序网状碳纳米管薄膜的太阳能微电池的制备方法，采用自组装技术制备得到无序网状碳纳米管薄膜，使用甲烷等离子体选择性刻蚀法或大电流烧断法去除金属性碳纳米管，得到大面积的无序网状半导体性碳纳米管薄膜作为太阳能微电池的光敏材料使用具有非对称功函数的金属分别作为器件的非对称电极与半导体碳纳米管接触，在半导体碳纳米管的两端接触处分别形成非对称结，从而在单壁半导体碳纳米管内形成强的内建电场，促使光生电子-空穴对分离。
基于无序网状纳米薄膜太阳能电池制备方法

[发明专利]光半导体装置及其制造方法、光半导体模块-CN201110028318.7无效
发明人：杉森畅尚 -专利权人：三垦电气株式会社
申请日： 2011-01-26 - 公布日： 2011-08-24 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：本发明提供光半导体装置及其制造方法、光半导体模块，由此去除由来自发光二极管的发光对保护用二极管产生的不良影响。在硅基板(11)上的左侧上形成有构成发光二极管的GaN层(第1半导体层)(12)。在硅基板(生长基板)(11)上的右侧上经由绝缘层(硅氧化膜层)(13)形成有多晶硅层(第2半导体层)(14)。
半导体装置及其制造方法模块

[发明专利]掺镨氯化铅钾晶体可调谐中红外激光器-CN201110058862.6无效
发明人：贾富强;郑新双 -专利权人：厦门大学
申请日： 2011-03-10 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： H01S1/02 文献下载
摘要：设量子级联半导体激光器、准直透镜、聚焦透镜、输入耦合镜、激光晶体、调谐元件和谐振腔；谐振腔设有输入耦合镜和输出耦合镜，量子级联半导体激光器、准直透镜、聚焦透镜、输入耦合镜、激光晶体、调谐元件和输出耦合镜从左至右依次设置；准直透镜、聚焦透镜、输入耦合镜、激光晶体、调谐元件和输出耦合镜各个元件的中心高度与量子级联半导体激光器的出光高度处于同一水平线；量子级联半导体激光器发射的泵浦光经由准直透镜和聚焦透镜构成的准直聚焦系统入射到激光晶体上
氯化晶体调谐红外激光器

[发明专利]移动式半导体激光模具表面强化系统-CN201010022105.9无效
发明人：刘继常;钟志华;范滇元 -专利权人：湖南大学
申请日： 2010-01-20 - 公布日： 2011-07-20 - 主分类号： C21D1/09 文献下载
摘要：一种高效率、柔性化的形状复杂模具表面激光强化系统，该系统由高功率半导体激光器、6轴全关节型工业机器人和光纤导光系统等集成。本发明采用体积、重量小的半导体激光器和非固定安装的工业机器人，可以方便实现整个系统的移动，实现工作现场模具激光表面强化。本发明提出了半导体激光器、工业机器人和淬火工作头等之间的集成方法：半导体激光通过柔性好、灵活方便的光纤导光系统进行传输，到达抓持在工业机器人手腕中的激光淬火工作头，经过准直、聚焦后照射工件表面，在程序控制下对工件表面进行扫描加热
移动式半导体激光模具表面强化系统

[发明专利]移动式半导体激光模具修复系统-CN201010022104.4无效
发明人：刘继常;钟志华;范滇元 -专利权人：湖南大学
申请日： 2010-01-20 - 公布日： 2011-07-20 - 主分类号： B23P6/00 文献下载
摘要：一种高效率、柔性化的形状复杂模具激光修复系统，该系统由高功率半导体激光器、6轴全关节型工业机器人和光纤导光系统等集成。本发明采用体积、重量小的半导体激光器和非固定安装的工业机器人，可以方便实现整个系统的移动，实现模具的现场修复。本发明提出了半导体激光器、工业机器人和激光工作头等之间的集成方法：半导体激光通过柔性好、灵活方便的光纤导光系统进行传输，到达抓持在工业机器人手腕中的激光工作头，经过准直、聚焦后照射受损部位，同时加热粉末和工件表层材料
移动式半导体激光模具修复系统

[发明专利]形成自对准源区的方法-CN200910247327.8无效
发明人：任学慧;马德敬;王艳琴;冯炜 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-12-29 - 公布日： 2011-06-29 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：本发明公开了一种形成自对准源区的方法，首先在形成沿位线方向的浅槽隔离二氧化硅层和沿字线方向的栅极的半导体晶圆上形成轻掺杂漏区；沿字线方向形成图案化的光刻胶层，所述图案化的光刻胶层阻挡所述轻掺杂漏区、所述栅极以及所述轻掺杂漏区之间的浅槽隔离二氧化硅层，并暴露用于形成自对准源区的区域；以所述图案化的光刻胶层作为掩膜，对用于形成自对准源区的区域中的浅槽隔离二氧化硅层进行干法刻蚀，并对所述半导体晶圆执行源区离子注入；对所述半导体晶圆进行低温等离子体处理；对所述半导体晶圆进行灰化处理和酸槽清洗。
形成对准方法

[发明专利]半导体器件测试分选机的旋转工作台-CN200910025717.0无效
发明人：贡瑞龙;陆军;梁天贵 -专利权人：江都市东元机电设备有限公司
申请日： 2009-03-06 - 公布日： 2009-08-12 - 主分类号： G01D11/00 文献下载
摘要：本发明公开了半导体器件检测技术领域内的半导体器件测试分选机的旋转工作台，包括水平设置的转台，转台下侧中心设有转轴，转轴与一电机的轴端传动连接，转轴上套装有弹性抵触在转台下端面上的进气座，进气座侧面设有至少一个吸嘴，转台四周分布有若干可容纳半导体器件的大孔，大孔下侧设有上下贯穿转台的小孔，进气座上设有若干接通吸嘴并与小孔一一对应的气道；转台上侧周向呈上小下大的锥面，大孔轴线穿过所述锥面的轴线并垂直于锥面的母线设置该装置可用于半导体器件的检测和分选。
半导体器件测试分选旋转工作台

[发明专利]半导体激光自混合干涉测振仪-CN200910030093.1无效
发明人：王鸣;张小元;岳邦强 -专利权人：南京师范大学
申请日： 2009-04-01 - 公布日： 2009-09-23 - 主分类号： G01H9/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体激光自混合干涉测振仪，包括光学系统和电学系统；光学系统由同光轴地依次设置的光电探测器、半导体激光器、准直透镜和靶镜构成；电学系统由信号源电路、信号预处理电路，A/D转换电路，DSP数据处理单元和输出终端构成；三角波信号源产生三角波信号，经过电流调制电路后对半导体激光器进行电流调制；半导体激光器发出的激光经过准直透镜后变为平行光，入射到靶镜上，部分光返回激光腔内，与激光腔内的光产生自混合
半导体激光混合干涉测振仪

[发明专利]半导体装置和制造该半导体装置的方法-CN200810186187.3无效
发明人：生田哲也 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2008-12-19 - 公布日： 2009-06-24 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体装置以及制造该半导体装置的方法。所述半导体装置包括晶闸管，在该晶闸管中，第一导电型的第一区、具有与第一导电型相反的导电型的第二导电型的第二区、第一导电型的第三区和第二导电型的第四区依次排列成结。第三区形成在由单元隔离区分隔的半导体基板上。在第三区上设置了栅电极和侧墙，所述栅电极由栅绝缘膜形成，所述侧墙形成于栅电极的两侧的侧壁上。
半导体装置制造方法

[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制造方法-CN200610079094.1无效
发明人：蔡基成;许宰硕 -专利权人： LG.菲利浦LCD株式会社
申请日： 2006-04-29 - 公布日： 2007-06-20 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：该薄膜晶体管阵列基板包括基板；位于基板上由栅极以及与栅极相连的栅线构成的栅图案；由有机材料形成且用于覆盖所述栅图案的主栅绝缘膜；与栅极重叠使得主栅绝缘膜位于半导体图案和栅线之间的半导体图案；半导体图案上的源这里源极、漏极和半导体图案限定了设置在栅线和数据线交叉部分的薄膜晶体管。
薄膜晶体管阵列及其制造方法

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN200610145280.0无效
发明人：安正烈;金占寿 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2006-11-24 - 公布日： 2007-07-11 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：一种制造半导体器件的方法，其中在限定单元区域和周边区域的半导体衬底上形成栅极绝缘层和多晶硅层。蚀刻周边区域的部分多晶硅层、栅极绝缘层和半导体衬底，从而在周边区域中形成第一沟槽。蚀刻单元区域的部分第一绝缘层、第一多晶硅层、栅极绝缘层和半导体衬底，从而在单元区域中形成第二沟槽。在第二沟槽内形成侧壁氧化物层和氮化物层，使得侧壁氧化物层和氮化物层被层叠。
制造半导体器件方法

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