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[发明专利]半导体制造设备干洗时期判定系统、干洗方法和干洗系统-CN02129077.6无效
发明人：胜井修二;田中正幸;上村昌己;赤堀浩史;水岛一郎;中尾隆;山本明人;齐田繁彦;纲岛祥隆;见方裕一 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2002-08-30 - 公布日： 2003-03-19 - 主分类号： B08B11/00 文献下载
摘要：本发明提供一种干洗系统，该干洗系统根据各种信息，借助于计算机进行综合处理，效率良好地自动地判定对于半导体制造设备来说究竟是进行晶片处理还是进行清洗处理。具体的解决手段涉及用至少含有ClF3等卤族气体除去淀积在半导体制造设备的反应室5内的淀积膜的干洗。第1发明，是对于半导体制造设备来说，自动地判定设备是立即实施成膜等的处理还是必须马上进行清洗的系统。第2发明，在使用至少含有ClF3等卤族气体除去淀积在要形成CVD膜等的半导体制造设备的反应室内的淀积膜时使得存在金属、金属化合物、有机系气体等。可以提高选择比、缩短清洗时间。
半导体制造设备干洗时期判定系统方法

[发明专利]芯片组件及其制造方法和设备以及微电子元件制造方法-CN96197128.2无效
发明人： T·法拉西;T·H·迪斯特费诺;J·W·史密斯 -专利权人：德塞拉股份有限公司
申请日： 1996-09-23 - 公布日： 2003-06-04 - 主分类号： H01L21/44 文献下载
摘要：多个分开的半导体芯片(58)，每块都具有一触点支承表面(59)和在这个表面上的触点(64)，芯片以阵列的形式设置，这样触点支承表面面向所形成的阵列第一表面。一具有端子(34)的柔性电介质片(30)叠加在半导体芯片的第一或触点支承表面上。细长的引线(40)设置在电介质元件和半导体芯片间。每条引线具有一与电介质元件上的端子连接的第一端(42)，和一与阵列中一半导体芯片上的触点连接的第二端(44)。通过相互移动电介质元件和阵列，使所有引线的第一端都同时相对于所述第二端发生移动，形成引线。
芯片组件及其制造方法设备以及微电子元件

[发明专利]第III族氮化物半导体激光器及其制造方法-CN02105992.6无效
发明人：渡边温;木村义则;太田启之 -专利权人：先锋株式会社
申请日： 2002-04-12 - 公布日： 2002-11-20 - 主分类号： H01S5/323 文献下载
摘要：一种氮化物半导体激光器,其中激励电压较低并且光线的横模稳定,它具有多个由第III族氮化物半导体构成的结晶层,第III族氮化物半导体通过公式(AlxGa1－x)1－yInyN(其中0≤x≤1,0≤y≤1)该层包括一个激活层侧导引层,它接近于第III族氮化物半导体结晶层中的激活层并且由Alx’Ga1－x’－y’Iny’N(其中0≤x’≤1,0≤y’≤1)构成,沉积在所述引导层上并且具有条纹状孔隙的电流压缩
iii 氮化物半导体激光器及其制造方法

[发明专利]非易失存储器的制造方法-CN98108024.3无效
发明人：崔雄林;罗庚晚 -专利权人： LG半导体株式会社
申请日： 1998-04-28 - 公布日： 2002-11-27 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：非易失存储器的制造方法，包括制备第一导电型半导体衬底；以预定间隔一方向在半导体衬底中形成多条位线；以预定间隔在垂直位线方向形成多个场氧化膜；在半导体衬底整个表面上形成栅绝缘膜；与位线同方向，各位线间栅绝缘膜上形成具有预定间隔的浮置线；在包括浮置线的半导体衬底整个表面上形成介电膜；在介电膜上形成导电层和绝缘膜，进行选择性去除，在各场氧化膜间垂直各位线形成多条字线；在各字线的两侧形成绝缘膜侧壁垫；用字线和绝缘膜侧壁垫作掩膜，选择去除介电膜和浮置线
非易失存储器制造方法

[发明专利]用于混合信号测试的事件测试器结构-CN01117615.6无效
发明人：菅森茂 -专利权人：株式会社鼎新
申请日： 2001-05-11 - 公布日： 2002-12-18 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：一种测试半导体器件的半导体测试系统,特别是一种具有多个不同类型测试器模块的半导体测试系统,用于高速和高效率地测试具有模拟信号和数字信号的混合信号集成电路。本发明的半导体测试系统包括两个或多个性能不同的测试器模块;一个容纳两个或多个性能不同的测试器模块的测试头;设置在该测试头上用于电连接测试器模块与被测器件的装置;当被测器件是一个具有模拟功能和数字功能的混合信号集成电路时与被测器件相对应的一个可选电路
用于混合信号测试事件结构

[发明专利]驱动磁控管的电源单元和装配到印刷电路板上的散热器-CN02121847.1无效
发明人：松仓丰继;酒井伸一;森川久 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2002-03-12 - 公布日： 2003-02-12 - 主分类号： H05B6/64 文献下载
摘要：由于其中一个半导体开关元件的裸露的集电极部分是通过在垫圈之间涂敷填充一层热传导衬垫来连接到散热片上的，而另一个半导体开关元件的裸露的集电极部分是在没有任何垫圈的情况下通过涂敷填充一层热传导衬垫直接连接到散热片上的为了在即使两个半导体开关元件串联连接着的情况下，也能有效地把由开关损耗产生的热传送到散热片并散发出去，在开关元件的后侧裸露了一个集电极部分，并且把这两个半导体开关元件连接到一个散热片上。
驱动磁控管电源单元装配印刷电路板散热器

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN01145624.8无效
发明人：渡部浩;成毛清美;增田和纪 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2001-10-11 - 公布日： 2002-06-19 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件及其制造方法。半导体器件包括第一晶体管,具有在半导体衬底上形成的第一栅极、在该第一栅极周围形成的第一低浓度扩散层、在该第一低浓度扩散层的周围形成的第一高浓度扩散层、在该第一栅极周围形成的第一栅极侧壁;第二晶体管,具有在半导体衬底上形成的第二栅极
半导体器件及其制造方法

[发明专利]自消毒搪、陶瓷材料及其制备方法-CN97105602.1无效
发明人：孙华斌;邢桂平;彭作林;陈文华;王树华;杨新芳;王欣梅;霍鲁鹏 -专利权人：中国人民解放军济南军区联勤部军事医学研究所
申请日： 1997-01-02 - 公布日： 2002-01-23 - 主分类号： C04B33/13 文献下载
摘要：利用半导体光催化原理研制成一种自动杀菌灭毒的搪、陶瓷材料。该搪、陶瓷材料在微量水和光能作用下，利用半导体催化剂光解水产生的高活性自由基将细菌和病毒氧化打碎成无机物或矿物而彻底灭菌消毒。该材料中的半导体催化剂由TiO2、ZnO、SnO2、WO3按一定比例混合组成。再将复合半导体光催化剂加入普通瓷釉中混匀，研制成具有自洁功能的瓷釉（化学消毒和卫生消毒）。
消毒陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]监视阀单元的方法和装置-CN96190267.1无效
发明人：法拉斯·罗伯特·安德森;罗兰·西尔杰斯乔姆 -专利权人： ASEA布朗·勃弗里有限公司
申请日： 1996-03-27 - 公布日： 2000-01-26 - 主分类号： H02M1/088 文献下载
摘要：系统中每一阀单元包括一个半导体元件（ＴＨＹ１－ＴＨＹＮ）及用于控制该半导体元件的控制单元。该控制单元包括用于接收触发器级信号（ＦＰ）的触发器级输入，用于发出第一指示信号（ＩＰ）的指示输出及用于向半导体元件发出触发信号的触发信号输出（１００），该方法包括步骤检测半导体阀两端的正的前向电压（ＵT
监视单元方法装置

[发明专利]太阳能电池阵列-CN86100381.0无效
发明人：朱尔斯·D·利维;米勒德·J·詹赛;罗纳德·E·汉尔;戴维·E·瓦特 -专利权人：得克萨斯仪器股份有限公司
申请日： 1986-02-15 - 公布日： 1990-04-25 - 主分类号： H01L31/06 文献下载
摘要：带N型外壳的P型半导体球穿过其中的一片，并与两片均有电气耦合。半导体球被固定在有氧化涂层的铝箔片上，这些片材作为防蚀掩膜，蚀刻除去N型外壳。在通过机械研磨去除半导体氧化物之后，半导体球接触另一块片材，球放在压刻和腐蚀出的小孔里，当迫使球进入孔时，片材温度处于500℃至577℃。
太阳能电池阵列

[发明专利]半导体器件及用于其的引线接合方法-CN200710140082.X无效
发明人：大川真也 -专利权人：雅马哈株式会社
申请日： 2007-08-14 - 公布日： 2008-02-20 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件、适于半导体器件的引线接合方法、半导体器件的制造方法、和引线框架。在半导体器件中，每个具有比较低的回路高度的第一引线形成于第一引脚和沿第一线排列的多个第一电极之间；且然后每个具有比较高的回路高度的第二引线形成于第二引脚和沿第二线排列的多个第二电极之间；其中第二线就第一和第二引脚而言远离第一线
半导体器件用于引线接合方法

[发明专利]引线框及使用了它的半导体装置-CN200710005737.2无效
发明人：野崎洋一郎;竹花康宏;小贺彰;福田敏行;藤原诚司 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2007-02-13 - 公布日： 2007-11-14 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本发明公开了一种引线框及使用了它的半导体装置。该引线框，包括：上表面支撑半导体芯片的芯片垫，分别从芯片垫中的一个侧面和与该一个侧面相向的其他侧面向外侧延伸的散热板，以及多条分别与芯片垫的侧面中不位于散热板侧且互相相向的那两个侧面相向、设置为夹着芯片垫的内部引线因此，能够设为在使用了引线框的半导体装置中，得到即使在引线框与密封用树脂材料之间发生剥离也不会因该剥离而失去电连接部分的连接可靠性的半导体装置。
引线使用半导体装置

[发明专利]有机场致发光装置及其制造方法、电子设备-CN200710085575.8无效
发明人：轰原正义;宫下一幸 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2007-03-12 - 公布日： 2007-09-19 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明提供一种有机场致发光装置，其中包括：导电性的基板(10)；第一绝缘膜(50)，其形成在所述基板的一面上，并具有使所述基板的一面部分露出的开口(52)；半导体膜(54)，其形成在所述第一绝缘膜上，并覆盖所述第一绝缘膜的一部分；第二绝缘膜(56)，其形成在所述第一绝缘膜上，覆盖所述半导体膜，且经由所述开口与所述基板的一面相接；电容电极(60)，其形成在上述开口的上侧，并隔着所述第二绝缘膜与所述基板相对；栅电极(58)，其隔着所述第二绝缘膜，形成在所述半导体膜上；和有机场致发光元件(82、88、90)，其形成在所述第二绝缘膜上，并与所述半导体膜电连接。
机场发光装置及其制造方法电子设备

[发明专利]一种高迁移率各向异性有机场效应管的制备方法-CN200610083998.1无效
发明人：王丛舜;商立伟;涂德钰;刘明 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2006-06-16 - 公布日： 2007-12-19 - 主分类号： H01L51/40 文献下载
摘要：本发明涉及有机半导体器件领域，一种结合干法刻蚀技术的制备图形化衬底高迁移率各向异性有机场效应管的方法，首先沉积生长第一层有机半导体薄膜，然后通过氧气等离子体干法刻蚀技术把设计好的图形转移到第一层有机薄膜表面上，再沉积生长第二层有机半导体薄膜。其步骤如下：1.在导电基底上制备绝缘介质层；2.在绝缘介质层薄膜表面上沉积生长第一层有机半导体薄膜；3.利用镂空模板采用氧气等离子体干法刻蚀有机薄膜，把设计的模板图形转移到第一层有机薄膜上；4.沉积生长第二层同质有机物薄膜
一种迁移率各向异性有机场效应制备方法

[发明专利]半导体晶片封装体及其封装方法-CN200710104200.1无效
发明人：沈育浓 -专利权人：沈育浓
申请日： 2004-03-02 - 公布日： 2007-10-31 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：一种半导体晶片封装体及其封装方法，该半导体晶片封装体包含：一半导体晶片，其具有一焊垫安装表面及数个安装于该焊垫安装表面上的焊垫；数个导电体，每一导电体具有一在该晶片的焊垫安装表面上延伸作为电路轨迹的延伸部及一延伸到一对应的焊垫的导电连接部本发明的半导体晶片封装体及其封装方法，具有封装程序简化、封装体体积小、封装成本低等优点。
半导体晶片封装及其方法