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[发明专利]配电环网柜除湿装置-CN201410197952.7无效
发明人：朱益民;乔臻;华梁锦;邓菊明;惠华新 -专利权人：国家电网公司;江苏省电力公司;江苏省电力公司无锡供电公司
申请日： 2014-05-12 - 公布日： 2014-08-06 - 主分类号： H02B1/56 文献下载
摘要：其包括外壳，冷凝栅片和半导体制冷片之间设有隔热片。冷凝栅片上设有第二传感器，外壳表面设有第一传感器，第二传感器、第一传感器、散热风扇和半导体制冷片均与设置在外壳内的单片机电连接。本发明能够对配电环网柜进行湿度控制，冷凝栅片和半导体制冷片之间设有隔热片，防止冷凝栅片和半导体制冷片之间发生热量交换,除湿效果好；冷凝栅片正下方设有漏斗形的积水槽，产生的冷凝水通过积水槽和排水口流出，避免壳体内部件的损坏
配电环网柜除湿装置

[发明专利]倒装芯片封装件和制造该倒装芯片封装件的方法-CN201010556867.7无效
发明人：郑世泳;金南锡 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2010-11-12 - 公布日： 2011-05-25 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：所述倒装芯片封装件可以包括半导体芯片、封装件基底、导电磁性凸起和各向异性导电构件。所述半导体芯片可以具有第一焊盘。所述封装件基底可以具有面对所述第一焊盘的第二焊盘。所述导电磁性凸起可以设置在所述半导体芯片和所述封装件基底之间，以产生磁力。所述各向异性导电构件可以布置在所述半导体芯片和所述封装件基底之间。
倒装芯片封装制造方法

[发明专利]集成电路电感及其制作方法-CN200910199994.3无效
发明人：陈真;林永锋;黄琳 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-12-04 - 公布日： 2011-06-08 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：一种集成电路电感，包括：半导体衬底；半导体衬底上的介电层，所述介电层中形成有介电层空腔，介电层空腔深度小于介电层厚度；介电层上形成有集成电路电感，所述集成电路电感的位置与位于介电层中介电层空腔位置相对应相应的，本发明还提供了一种集成电路电感的制作方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成介电层，所述介电层中形成有牺牲层，所述牺牲层厚度小于介电层的厚度；在介电层上形成集成电路电感，所述集成电路电感位置与牺牲层位置相对应
集成电路电感及其制作方法

[发明专利]太赫兹表面等离子体波光学调制器及其调制方法-CN201110009521.X无效
发明人：杨涛;何浩培;黄维;李兴鳌;仪明东 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2011-01-18 - 公布日： 2011-06-15 - 主分类号： G02F1/355 文献下载
摘要：本发明公布了一种太赫兹表面等离子体波光学调制器及其调制方法，所述调制器包括一个本征半导体晶片、两个平行放置的刀片或者光栅、连续波激光器和调制准直系统以及一个温度控制装置。所述方法采用连续波激光器和调制准直系统发出激光调制信号照射在本征半导体晶片从而改变该本征半导体晶片表面各处的光生载流子数量；通过改变激光调制信号的光强对本征半导体晶片表面所传输的太赫兹表面等离子体波进行调制
赫兹表面等离子体波光调制器及其调制方法

[发明专利]冷热保温盘-CN201010563998.8无效
发明人：施军达;张华平 -专利权人：施军达
申请日： 2010-11-18 - 公布日： 2011-06-01 - 主分类号： A47G23/04 文献下载
摘要：本发明公开了冷热保温盘，包括底座组件和锅盘，底座组件包括主体面板，主体面板上侧安装有上框架，锅盘包括三个独立的锅体，三个锅体并列扣装在上框架上部，主体面板上部嵌装有三个与锅体底部相配合的导热铝块，每个导热铝块底部安装有半导体冷热芯片，主体面板下部插接固定有隔热泡沫本体，隔热泡沫本体内安装有与半导体冷热芯片底部相配合的散热块，隔热泡沫本体下部与底盖相插接固定，底盖上部安装有与散热块底部相配合的风扇，半导体冷热芯片和风扇与功能电路板相电连接本发明的半导体冷热芯片可进行制冷和制热；三个锅体能能分别使用，同时进行多种食物的保温和保冷；完全的隔热设计，防止热量传导至外壳，使用更加安全。
冷热保温

[发明专利]碳化硅、氮化镓半导体器件玻璃钝化技术-CN200910118401.6无效
发明人：林楠 -专利权人：林楠
申请日： 2009-03-04 - 公布日： 2010-09-08 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明提供碳化硅、氮化镓新型半导体器件表面钝化保护技术新途径，即使用玻璃钝化技术较好地解决上述高压、高功率、高温工作器件的表面钝化保护问题。本发明所提供的碳化硅、氮化镓新型半导体器件玻璃钝化技术可以使用锌系钝化玻璃也可以使用铅系钝化玻璃；可以使用包括：刮涂、电泳、溅射、离心、化学气相沉积等在内的多种沉积/涂覆方法实现钝化玻璃覆盖；通过热处理技术可以精确控制钝化玻璃膜与碳化硅、氮化镓半导体器件材料的热匹配并同时获得优异的器件高温反向特性；在上述器件上还可实现钝化玻璃与SiO2或Si3N4双重介质膜的钝化形式以满足不同器件设计要求。利用本发明还可兼容制作晶体管的栅介质层和半导体电容介质材料，在集成电路场合使所制元件面积缩小、性能提高。
碳化硅氮化半导体器件玻璃钝化技术

[发明专利]一种高灵敏空气氡浓度α能谱测量方法-CN201010183739.2无效
发明人：丁卫撑;周建斌;杨勇;阮菊红;方方;马英杰 -专利权人：成都理工大学
申请日： 2010-05-26 - 公布日： 2010-09-15 - 主分类号： G01N23/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种高灵敏空气氡浓度α能谱测量方法，包括氡及其子体收集装置、α射线半导体探测器、温湿度测量模块、电路系统、人机交互界面及计算机数据分析系统。α射线半导体探测器灵敏表面置于氡及其子体收集装置腔体内部，α射线半导体探测器、温湿度测量模块及人机交互界面与电路系统相连接，电路系统通过USB接口与计算机数据分析系统相连。采用静态扩散的方式收集空气中的氡，采用高压静电方式吸附氡带电子体进行探测；利用α射线半导体探测器采用α能谱测量来区分氡钍子体，实现空气氡浓度测量；采用温湿度同步测量方式修正其对氡浓度测量的影响。
一种灵敏空气浓度测量方法

[发明专利]溶液除湿空调系统及其制冷除湿方法-CN200910227717.9无效
发明人：梁坤峰;高春艳;付主木;王程远;高爱云;芮胜军;董彬;李健 -专利权人：河南科技大学
申请日： 2009-12-30 - 公布日： 2010-09-15 - 主分类号： F24F5/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种溶液除湿空调系统及其制冷除湿方法，其溶液除湿空调系统包括半导体制冷堆、溶液泵和吸收器，所述半导体制冷堆的制冷端设置有制冷槽，制热端设置有溶液再生器，制冷槽的溶液进口与溶液泵的出口相连，制冷槽的溶液出口与吸收器的溶液进口相连其方法首先通过设置在半导体制冷堆制冷端的制冷槽将冷量传给兼做载冷剂的除湿溶液，温度降低的除湿溶液进入吸收器与吸收器内的空气直接接触换热，并吸收空气中的水分，得到温度与湿度都降低的空气，换热吸湿后的除湿溶液通过设置在半导体制冷堆制热端的溶液再生器提高浓度实现再生
溶液除湿空调系统及其制冷方法

[发明专利]扼流电感-CN200910202072.3无效
发明人：陈俊;谢利刚 -专利权人：锐迪科科技有限公司
申请日： 2009-12-31 - 公布日： 2010-07-14 - 主分类号： H01L27/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种扼流电感，所述半导体芯片器件内包括基板和基板上的半导体芯片，所述基板的周边设置有半导体芯片器件的管脚，所述电感包括一个第一线圈，所述第一线圈的两端中至少第一端由半导体芯片引出，所述第一线圈的第一端通过多根键合线始终沿顺时针或逆时针方向依次连接多个管脚后
流电

[发明专利]在拼图式钻石基板形成P-N结-CN200910008415.2无效
发明人：宋健民 -专利权人：宋健民
申请日： 2009-01-22 - 公布日： 2010-07-28 - 主分类号： B01J3/06 文献下载
摘要：本发明提供制造以及使用半导体单晶钻石体的方法，包括通过这种方法所制造的半导体钻石体。在一态样中，制造一半导体单晶钻石体的方法包括将多个钻石片段在高压且结合有熔融的催化剂以及一碳源的条件下设置于极接近的位置，其中，该钻石片段是排列为单晶的方向；多个钻石片段接着保持在高压下以及熔融的催化剂中直到该等钻石片段相互连接而使得钻石与钻石之间形成键结，以形成实质上单晶的钻石体；于该单晶钻石体形成后，一同质磊晶(homoepitaxial)单晶钻石体层是沉积于该单晶钻石体上；一掺杂物可被引入该同质磊晶单晶钻石体层中以形成一半导体单晶钻石层。
图式钻石形成

[发明专利]固体摄像装置-CN201010116043.8无效
发明人：斋藤真梨子;井上郁子 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2010-02-09 - 公布日： 2010-08-18 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：在固体摄像装置中，在半导体基板的第一主面上形成有摄像元件，在上述半导体基板的与上述第一主面相对置的第二主面上形成有外部端子。在开设于上述半导体基板的贯通孔内形成有绝缘膜。在上述半导体基板的上述第一主面上和上述贯通电极上形成有第一层间绝缘膜。在上述第一层间绝缘膜上形成有第一电极。
固体摄像装置

[发明专利]为工业除湿烘干提供干燥热风的方法及装置和用途-CN201010564538.7无效
发明人：黄克;芦晓晴 -专利权人：株洲科力通用设备有限公司
申请日： 2010-11-30 - 公布日： 2011-03-16 - 主分类号： F26B21/00 文献下载
摘要：为工业除湿烘干提供干燥热风的方法及装置和用途，利用半导体制冷发热器件制冷面把空气降温产生干燥的冷空气，再把干燥空气送入半导体制冷发热器件的发热端进行预加热。整个装置包括一个半导体制冷发热器件，在半导体制冷发热器件的两面设置两个分区，空气从进风口进入到冷端区内，冷风出口通过管道与风机或风泵的入口相连，风机或风泵的出口与热端区底部的热风入口相连，在热端区的顶部或上侧面设有干燥热风的出口
工业除湿烘干提供干燥热风方法装置用途

[发明专利]邻近曝光装置、其曝光光束形成方法及面板基板制造方法-CN201010215353.5无效
发明人：手塚秀和;土井秀明;根本亮二;吉武康裕;针山达雄 -专利权人：株式会社日立高科技
申请日： 2010-06-25 - 公布日： 2011-01-12 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：将搭载于底层基板(51)的外周部的半导体发光元件(42)以及与这些半导体发光元件对应的放大透镜(43)配置成，从该半导体发光元件(42)产生并经对应的放大透镜(43)而放大后的光的其中一端在不偏离蝇眼透镜并且，将反射构件(50)配置成，从搭载于底层基板(41)的外周部的半导体发光元件(42)产生并经对应的放大透镜(43)而放大后的光的另一端由该反射构件(50)而反射后，在不偏离蝇眼透镜(45)的照射面的规定角度以内而入射至蝇眼透镜
邻近曝光装置光束形成方法面板制造

[发明专利]快闪存储器的制作方法-CN200910054503.6无效
发明人：张艳红;杨林宏 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-07-07 - 公布日： 2011-01-12 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：本发明提出一种快闪存储器的制作方法，包括下列步骤：在半导体衬底上依次形成隧穿氧化层、浮置栅极、栅间介质层和控制栅极，并在控制栅极和浮置栅极两侧形成侧墙，在控制栅极和浮置栅极两侧的半导体衬底内形成源极/漏极；在半导体衬底上形成硅化物层，所述硅化物层覆盖控制栅极和浮置栅极；采用干法刻蚀法刻蚀硅化物层，定义硅化物阻挡区；在非硅化物阻挡区形成层间介质层，所述层间介质层内形成有露出源极/漏极、控制栅极的接触孔；在接触孔内壁形成扩散阻挡层后本发明防止了填充至接触孔内的导电物质内产生空洞，提高了半导体器件的电性能。
闪存制作方法

[发明专利]半导体光学元件的制造方法-CN201010298304.2无效
发明人：阿部真司;川崎和重 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2007-10-15 - 公布日： 2011-01-19 - 主分类号： H01S5/22 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体光学元件的制造方法。在波导路径脊的上表面稳定地防止半导体层和电极层的接触面积的减少，并防止该半导体层中的蚀刻损伤。在半导体层上层叠金属保护层(75)形成波导路径(40)，用SiO2膜(78)将其覆盖，涂敷抗蚀剂后，使波导路径脊(40)顶部的SiO2膜(78)的表面露出，并且借助于具有比波导路径脊(40)的金属保护层
半导体光学元件制造方法