“半导体结构”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果9744734个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]安全帽和应用于安全帽的散热装置-CN200610201433.9无效
发明人：李欣和 -专利权人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2006-12-28 - 公布日： 2008-07-02 - 主分类号： A42B3/28 文献下载
摘要：所述散热装置包括至少一个均热单元、至少一个半导体致冷器及一个薄膜型太阳能电池。所述均热单元具有沿所述外壳内侧设置的构形，且具有液气态的双向流场。所述半导体致冷器包括一个热端和一个冷端，所述冷端与均热单元的冷凝端相接触，所述热端露出所述外壳的外表面。所述薄膜型太阳能电池设置于所述外壳的外表面，用于向所述半导体致冷器提供电能。所述半导体致冷器的电源由薄膜型太阳能电池提供，无需干电池或其它形式的电源，节省电源成本，另外，薄膜型太阳能电池可以贴于安全帽的外壳的外表面，方便实用。本发明还涉及一种所述安全帽的散热装置。
安全帽应用于散热装置

[发明专利]光学拾取头装置及光检测器-CN200710186594.X无效
发明人：沼田富行 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2007-12-11 - 公布日： 2008-06-25 - 主分类号： G11B7/125 文献下载
摘要：BD用的第1光电二极管(25)接受从第1半导体激光器(11)射出的激光(L1)分离的激光(L2)，检测第1半导体激光器(11)的激光器功率，并将输出电流i2进行输出。DVD/CD用的第2光电二极管(26)接受从第2半导体激光器(12)射出的激光(L3)分离的激光(L4)，检测第1半导体激光器(12)的激光器功率，并将输出电流i5进行输出。
光学拾取装置检测器

[发明专利]采用选择再生长的AlGaN/GaN－HEMT的制造方法-CN200710163361.8无效
发明人：见田充郎;户田典彦;丸井俊治 -专利权人：冲电气工业株式会社
申请日： 2007-10-19 - 公布日： 2008-05-21 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：在该制造方法中，首先，准备具有叠层构造的半导体主体(110)，该叠层构造是在衬底(100)上层叠缓冲层(102)、在缓冲层上层叠UID－GaN层、在该UID－GaN层上层叠UID－AlGaN层而形成的。然后，在该半导体主体的作为UID－AlGaN层的表面的第1主面(111)上，形成绝缘膜(112)的图案，以形成了图案的绝缘膜(112′)为掩模，不对半导体主体表面进行蚀刻处理，而在绝缘膜的区域以外的半导体主体表面的区域上
采用选择再生 algan gan hemt 制造方法

[发明专利]半导体存储装置及其制造方法-CN200710112652.4无效
发明人：水越俊和 -专利权人：冲电气工业株式会社
申请日： 2007-06-26 - 公布日： 2008-05-07 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体存储装置及其制造方法，该半导体存储装置通过抑制蓄积在并非读取对象的电荷蓄积部中的电子(电荷)导致的漏极—源极间电流的降低，在读取对象的电荷蓄积部中，将蓄积有电子(电荷)的状态和没有蓄积电子作为解决手段，该半导体存储装置具有半导体基板、栅电极、第1和第2杂质扩散区域、第1和第2电阻变化部、第1和第2主电极以及第1和第2电荷蓄积部。
半导体存储装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置之制造方法及半导体装置-CN200710135854.0无效
发明人：田中茂树;长谷部一 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2007-07-30 - 公布日： 2008-03-19 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明的目的在于提高半导体装置的成品率。在无引线封装型半导体装置的制造工序中，使用引线2b前端部被压溃加工的压框。引线2b的半导体芯片侧的前端部，随着越接近半导体芯片越变低而倾斜。
半导体装置制造方法

[发明专利]聚焦环和等离子体处理装置-CN200710194607.8无效
发明人：輿石公;田中秀朗;冈山信幸;宫川正章;水上俊介;清水涉;广濑润;若木俊克;三轮智典;大薮淳;林大辅 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2004-09-06 - 公布日： 2008-04-16 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：提供一种聚焦环和等离子体处理装置，在可以提高处理的面内均匀性的同时，与现有技术比较，还可以减小淀积对半导体晶片的周缘部分背面一侧的发生。在真空室(1)内，设置有载置半导体晶片W的载置台(2)，以把载置到该载置台(2)上的半导体晶片W的周围围住的方式设置聚焦环(8)。聚焦环(8)由由介电物质构成的环状的下侧构件(9)、和配置在该下侧构件(9)的上部，由导电性材料构成的环状的上侧构件(10)构成，上侧构件(10)的上表面的外周一侧被作成为比半导体晶片W的被处理面还高的平坦部分
聚焦等离子体处理装置

[发明专利]一种MOSFET晶体管的栅极及其制造方法-CN200810105970.2无效
发明人：林大野;骆国泉;方绍明 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2008-05-06 - 公布日： 2008-10-08 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种MOSFET晶体管的栅极及其制造方法，涉及半导体芯片工艺技术领域，解决了现有的MOSFET晶体管的栅极容易被击穿或产生漏电的技术问题。本发明实施例MOSFET晶体管的栅极，包括栅极介质层以及栅极本体，栅极介质层形成于半导体材料的外延层和阱上，栅极本体形成于栅极介质层上，栅极介质层包括形成于外延层和阱上的第一介质层以及在第一介质层上形成的致密介质层本发明实施例MOSFET晶体管的栅极的制造方法，包括如下步骤：在半导体材料的外延层和阱上形成第一介质层；在第一介质层上形成致密介质层；在致密介质层上形成栅极本体。本发明主要应用于晶体管等半导体器件中栅极的制造。
一种 mosfet 晶体管栅极及其制造方法

[发明专利]半导体光学元件的制造方法-CN200710305756.7无效
发明人：阿部真司;川崎和重 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2007-10-15 - 公布日： 2008-10-01 - 主分类号： H01S5/22 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体光学元件的制造方法。在波导路径脊的上表面稳定地防止半导体层和电极层的接触面积的减少，并防止该半导体层中的蚀刻损伤。在半导体层上层叠金属保护层(75)形成波导路径(40)，用SiO₂膜(78)将其覆盖，涂敷抗蚀剂后，使波导路径脊(40)顶部的SiO₂膜(78)的表面露出，并且借助于具有比波导路径脊
半导体光学元件制造方法

[发明专利]集成半导体存储装置的制造方法及相应的半导体存储装置-CN200810006104.8无效
发明人：罗尔夫·魏斯 -专利权人：奇梦达股份公司
申请日： 2008-02-03 - 公布日： 2008-08-13 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：一种集成半导体存储装置，包括：半导体衬底；多条有源区线，形成在半导体衬底中，每条有源区线包括具有字线接触、位线接触和节点接触的多个存储单元选择晶体管；多个填充绝缘槽，配置在有源区线之间；多个重布线带，每个都将存储单元选择晶体管的相关节点接触从有源区线重布线到相邻的填充绝缘槽以形成相应的重布线节点接触本发明还提供集成半导体存储装置和存储单元的相应制造方法。
集成半导体存储装置制造方法相应

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN200610002412.4无效
发明人：本间俊广 -专利权人：冲电气工业株式会社
申请日： 2006-01-27 - 公布日： 2006-10-04 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：解决方法：准备含有区分低耐压区域的有源区域、高耐压区域的形成栅电极(25)的区域下方的有源区域、高耐压区域的形成扩散区域(23n/23p)的一对有源区域的元件隔离绝缘膜(11)的半导体衬底(10)；形成在形成栅电极(25)的区域下方的有源区域以及与该有源区域相邻接的元件隔离绝缘膜(11)上具有开口的氮化硅膜(44)；热氧化从开口露出的半导体衬底(10)以及元件隔离绝缘膜(11)；去除氮化硅膜(44)；热氧化露出的半导体衬底(10)以形成栅极绝缘膜(14)；在栅极绝缘膜(14)以及(24)上形成栅电极(15、25)，并在半导体衬底(10)上形成一对高浓度扩散区域(13n/13p)以及扩散区域(23n/23p)。
半导体器件制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN200610051593.X无效
发明人：高桥信义;野吕文彦;佐藤健治 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2006-03-06 - 公布日： 2006-10-25 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：半导体装置，具有形成在半导体衬底(1)上部的，分别沿行的方向延伸的复数层彼特线扩散层(2)，在上述各彼特线扩散层(2)上分别形成的复数层彼特线绝缘膜(3)，在各彼特线扩散层(2)之间形成的复数层栅极绝缘膜在半导体衬底(1)的上部，形成了具有与各彼特线扩散层(2)分别电连接的连接部(6a)的复数层连接扩散层(6)，在半导体衬底(1)中各连接部(6a)的上表面，比各连接扩散层(6)的上表面低。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]可调节空气综合质量的电子空调器-CN200610051807.3无效
发明人：邱洁华 -专利权人：邱洁华
申请日： 2006-06-05 - 公布日： 2006-10-25 - 主分类号： F25B21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种可调节空气综合质量的电子空调器，包括室内机和室外机，室内机包括控制器、半导体制冷制热芯片组、散热组件、导热组件、超声波加湿器等，室外机包括电子制氧机，控制器输出电流信号给半导体制冷制热芯片组，散热组件电气连接在半导体制冷制热芯片组的一面，导热组件电气连接在半导体制冷制热芯片组的另一面；本发明通过增加超声波加湿器、电子制氧机、电子负离子发生器、媒体净化器和紫外线灭菌灯机等装置对室内空气质量进行综合处理
调节空气综合质量电子空调器

[发明专利]一种多功能车载冷热箱-CN200510034083.7无效
发明人：林瑞进 -专利权人：林瑞进
申请日： 2005-04-14 - 公布日： 2006-10-18 - 主分类号： F25B21/02 文献下载
摘要：其主要由箱体和半导体制冷制热双芯片两部分组成，其中，箱体分为三层：上层为盖子、中层为储物盒及底层为冷热箱体，在底层冷热箱体的前端安装有冷热箱的控制开关面板；另设有若干凹槽以放置杂物，或还设有一手刹槽以安装汽车手刹该半导体制冷制热双芯片是根据半导体热电制冷原理制成的冷热源，本发明采用的半导体制冷制热双芯片制冷最低温度可达－6℃，加热最高达75℃。并通过控制开关不同档位的调节，可选择需要制冷或者加热的温度。
一种多功能车载冷热

[发明专利]自动获取服务器信息的方法及带自动运行程序的半导体存储设备-CN200410092736.2无效
发明人：冯军 -专利权人：北京华旗资讯数码科技有限公司
申请日： 2004-11-11 - 公布日： 2006-05-17 - 主分类号： H04L12/00 文献下载
摘要：本发明的自动获取服务器信息的方法，包括下列步骤：(1)建立带有自动运行程序功能的半导体存储设备与客户端的连接；(2)在客户端自动开启应用程序；(3)连接远端服务器；(4)客户端向服务器发送操作请求；(5步骤(2)可分为以下步骤：(2.1)将半导体存储设备初始化为光盘；(2.2)读取半导体存储设备中自动运行配置文件；(2.3)开启配置文件所指向的应用程序。所述自动运行程序的半导体存储设备，包括：存储介质和控制器，所述存储介质包括：初始化信息中设备类型为光盘的初始化信息存储模块；应用程序用于与远端服务器进行信息交换的应用程序存储模块；配置文件将自动运行的程序指向所述应用程序的配置文件存储模块
自动获取服务器信息方法运行程序半导体存储设备

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN200510116453.1无效
发明人：高桥信义;岩本知士;野吕文彦;荒井雅利 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2005-10-21 - 公布日： 2006-04-26 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：本发明的半导体装置具有：存储部(100)，其形成在半导体基板(51)上，具有第1晶体管及绝缘分离该第1晶体管的第1STI区域(52)，该第1晶体管具有在半导体基板(51)与存储部电极(58)之间可积累电荷的ONO膜(56)；和CMOS部(200)，其形成在半导体基板(51)上，具有第2晶体管及绝缘分离该第2晶体管的第2STI区域(53)，该第2晶体管具有CMOS部电极(59)及栅绝缘膜(57)。
半导体装置及其制造方法