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[发明专利]具有电阻尖端的半导体探针及其制造方法-CN200510092417.6无效
发明人：朴弘植;白庚录;丁柱焕;高亨守;朴哲民;洪承范 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2005-08-18 - 公布日： 2006-03-15 - 主分类号： G12B21/02 文献下载
摘要：提供了一种具有电阻尖端的半导体探针以及该半导体探针的制造方法。所述方法包括：在掺杂了第一杂质的衬底上形成条形的掩模层，并通过用第二杂质重掺杂没有被该掩模层覆盖的衬底部分而形成第一和第二电极区；退火所述衬底从而减小第一和第二半导体电极区之间的间隙，并且在与半导体电极区邻接的部分形成轻掺杂了第二杂质的电阻区
具有电阻尖端半导体探针及其制造方法

[发明专利]一种钳制滤波半导体光放大器-CN200510019269.5无效
发明人：刘德明;柯昌剑;姜炜 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2005-08-10 - 公布日： 2006-02-22 - 主分类号： G02F1/39 文献下载
摘要：一种钳制滤波半导体光放大器，属于半导体光电器件，针对目前半导体光放大器线性特性和噪声特性有待改善的现状，有效改善对光信号放大的线性特性和噪声特性，具有增益钳制和滤波功能。本发明波长为W3的待放大光信号由输入光纤输入，经中心波长为W1的反射滤波器进入中心波长为W2的半导体光放大器芯片并得到放大，然后经由中心波长为W3的透射滤波器和输出光纤输出放大的光信号。
一种钳制滤波半导体放大器

[发明专利]大功率半导体激光阵列的光纤相干耦合方法及光纤整形器-CN200510087116.4无效
发明人：王智勇;左铁钏;马春雨;初新俊 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2005-07-27 - 公布日： 2006-02-22 - 主分类号： H01S5/40 文献下载
摘要：本发明为大功率半导体激光阵列的光纤相干耦合方法及光纤整形器，属于激光技术领域。特征在于：将光纤引入到半导体激光阵列和外腔镜之间，通过微透镜压缩每个发光单元的快轴发散角，使N个发光单元一对一耦合进N根光纤中，利用光纤的柔韧性，在光纤另一端把光纤重排为具有二维周期的光纤阵列。所设计的光纤整形器放置在半导体激光阵列(1)和外腔镜(6)之间，包括有对准固定套(3)、光纤(4)和重排固定套(5)；经微透镜(2)压缩的光束一对一耦合进对准固定套固定的光纤中，重排固定套将二维排列的光纤另一端重新排列并固定本发明实现了发光光束重排，提高了大功率半导体激光阵列相干耦合度。
大功率半导体激光阵列光纤相干耦合方法整形

[发明专利]MOS晶体管及用于制造MOS晶体管结构的方法-CN200510006288.4无效
发明人：福尔克尔·杜德克 -专利权人： ATMEL德国有限公司
申请日： 2005-02-02 - 公布日： 2005-08-10 - 主分类号： H01L21/786 文献下载
摘要：)中的一个源极区(20)，一个栅极区(22)，一个漏极区(24)及一个漂移区(26，28)，其中SOI晶片具有一个载体层(14)，该载体层载有一个绝缘的中间层(16)并且其中该绝缘的中间层载有一个有源半导体层(18)，在该有源半导体层中横向不同的掺杂剂浓度确定了源极区(20)，漂移区(26，28)及漏极区(24)，及其中有源半导体层(18)至少在漂移区(26，28)的一部分中比在源极区(20)中厚。该MOS－晶体管(12)的其特征在于：有源半导体层(18)在垂直方向上完全通过绝缘的中间层(16)与衬底(18)分隔。此外还提出用于制造这种晶体管的方法。
mos 晶体管用于制造结构方法

[发明专利]半导体晶片封装体及其封装方法-CN200410007387.X无效
发明人：沈育浓 -专利权人：沈育浓
申请日： 2004-03-02 - 公布日： 2005-09-07 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：一种半导体晶片封装体及其封装方法，该半导体晶片封装体包含：一半导体晶片，其具有一焊垫安装表面及数个安装于该焊垫安装表面上的焊垫；数个导电体，每一导电体具有一在该晶片的焊垫安装表面上延伸作为电路轨迹的延伸部及一延伸到一对应的焊垫的导电连接部本发明的半导体晶片封装体及其封装方法，具有封装程序简化、封装体体积小、封装成本低等优点。
半导体晶片封装及其方法

[发明专利]带竖立式热处理腔的半导体快速热处理设备-CN200310112926.1无效
发明人：林惠旺;陈必贤;王舜远;白玉琦 -专利权人：清华大学
申请日： 2003-12-26 - 公布日： 2005-07-06 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：带竖立式热处理腔的半导体快速热处理设备属于超大规模集成电路(ULSI)工艺技术领域，其特征在于，它主要包含有：竖立安装的热处理腔、装片腔、半导体晶片升降机构；还包含片盒到片盒取送片机械手子系统、微机控制子系统将热处理腔、装片腔、半导体晶片升降机构等竖立安装，充分利用高度空间，缩小设备平面占地面积。竖立式热处理腔内从上到下的不同水平面可获得温度从高到低逐渐下降的等温区，控制半导体晶片上升下降的速度可得到晶片不同的升降温速率。
竖立热处理半导体快速设备

[发明专利]批量生产移交支持系统及半导体制造系统-CN200410061528.6无效
发明人：秋森裕之;大山泰;西村英孝;小林秀 -专利权人：半导体先端科技株式会社
申请日： 2004-12-27 - 公布日： 2005-07-13 - 主分类号： G06F17/60 文献下载
摘要：一种通过网路(20)将管理在半导体装置的试制过程中生成或取得的信息的试制管理计算机(10)和管理半导体装置的批量生产的批量生产管理计算机(30)连接的批量生产移交支持系统，将批量生产移交源管理计算机(10)接收的质量和制法信息移交给批量生产移交目的地计算机(30)，同时，机差改正信息输入接收装置(14)接收对因批量生产移交源和批量生产移交目的地的半导体制造装置之间的机差而引起的半导体装置的产品质量的差异进行修正的机差改正信息的输入
批量生产移交支持系统半导体制造系统

[发明专利]半导体集成电路器件-CN200410101170.5无效
发明人：桥本真吾 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2004-12-16 - 公布日： 2005-06-22 - 主分类号： H01L27/11 文献下载
摘要：提供一种半导体集成电路器件，当在SRAM中额外安装电容器时，该半导体集成电路器件防止了节点互连中图形的改变和制造工艺数量的增加，同时提供了节点互连中更高的可靠性。提供一种半导体集成电路器件，包括：节点互连(下部电容电极)，嵌入到形成在提供在半导体衬底上的层间绝缘膜中的沟槽中，所述下部电容电极的表面形成为基本与层间绝缘膜的表面共面；和电容器，包括：平坦地形成在层间绝缘膜的表面上的电容绝缘膜
半导体集成电路器件

[发明专利]半导体装置的制造方法及半导体装置-CN200410011782.5无效
发明人：谷田一真;根本义彦;梅本光雄 -专利权人：罗姆股份有限公司;株式会社瑞萨科技;三洋电机株式会社
申请日： 2004-09-29 - 公布日： 2005-04-06 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：一种半导体装置的制造方法及半导体装置，该制造方法包括：形成钝化膜的工序，上述钝化膜覆盖形成有电极的半导体基板的形成该电极的一面并形成有使规定的该电极露出的开口；在上述钝化膜的开口附近，形成由金属构成的扩散防止接头的工序；向上述半导体基板的形成上述扩散防止接头的一面供给金属材料而形成由该金属构成的晶种层的工序；形成抗蚀剂膜的工序，上述抗蚀剂膜覆盖上述晶种层并形成有使上述扩散防止接头上方的上述晶种层的规定区域露出的开口；
半导体装置制造方法

[发明专利]磁阻效应型磁头及其制造方法-CN200410082415.4无效
发明人：小野裕幸;铃木宏昌;砂永登志男;宫武久忠;浅野秀夫 -专利权人：日立环球储存科技荷兰有限公司
申请日： 2004-09-17 - 公布日： 2005-07-13 - 主分类号： G11B5/39 文献下载
摘要：通过以下步骤来制造所期望的磁头：在Si浮动块31上形成SiO₂层32，从而形成SOI基板30；在该SOI基板30上形成用来保护TMR元件203免受过压损害的电路33，34，35和读写回路(未图示)；从Si半导体层(该Si半导体层通过减少SiO₂层32或在SiO₂层32上外延生长而形成)形成场效应晶体管33，34；在Si半导体层上形成三个电极(源极，栅极，漏极)；通过与Si半导体层肖特基接触(金属)形成肖特基二极管35；在SOI基板30上形成铝布线36的过压保护电路33，34，35；最后形成TMR元件203。
磁阻效应磁头及其制造方法

[发明专利]制造半导体激光装置的方法-CN200410068432.2无效
发明人：喜根井聪文 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2004-05-09 - 公布日： 2005-02-02 - 主分类号： H01S5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种制造半导体激光装置的方法，包括：在半导体激光器件(21)的安装表面部分(28a)上形成第一结合层(22)，使发光区(26)附近的第一区(31)露出；在下安装件(41)的安装表面部分(43比第一结合层的熔点T1低；在低于第一结合层(22)的熔点T1而高于第二结合层(42)的熔点T2的温度T(T1＞T＞T2)及对第一和第二结合层彼此施压的状态下，加热第一和第二结合层(22、42)，以便将半导体激光器件在将半导体激光器件(21)结合到下安装件(41)上时，第一区(31)用作非结合区。
制造半导体激光装置方法

[发明专利]用于电机的频率转换器和驱动器-CN200410063459.2无效
发明人： E·米蒂宁 -专利权人： ABB有限公司
申请日： 2004-07-05 - 公布日： 2005-02-09 - 主分类号： H02P7/63 文献下载
摘要：使用被连接在三相电压源和电容器电池(C1，C2)之间的3个半导体开关(41，42，43)来替换在频率转换器的现有技术中间电路中的电容器电池的充电接触器和充电电阻器。当频率转换器被连接到供电网络时，这3个半导体开关(41，42，43)被配置用于首先工作在电流调整模式，以便使用所调整的充电电流对电容器电池(C1，C2)进行充电，直到电容器电池的电压达到预定电平。此后，导引这3个半导体开关(41，42，43)工作在与实际网络逆变器(SM1)并联的二极管电桥模式，从而提供第二整流分支。在本发明的优选实施例中，每个半导体开关包含一个二极管和栅极触发部件(最好是闸流晶体管)的串联连接。
用于电机频率转换器驱动器

[发明专利]化合物半导体单晶及其生长用容器和制造方法-CN200610080292.X无效
发明人：和地三千则;矢吹伸司 -专利权人：日立电线株式会社
申请日： 2006-05-16 - 公布日： 2006-12-06 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明提供了在垂直晶体生长法中，可以更简便地制造、不需要复杂的设备就可以控制固液界面形状的PBN制化合物半导体单晶生长用容器，以及使用该容器制造化合物半导体单晶的方法。采用该容器，可以提高形成AllSingle的概率，并大幅度提高位错等晶体缺陷少、品质优良的化合物半导体单晶的收率。本发明的热解氮化硼(PBN)制成的化合物半导体单晶生长用容器(1)，其特征在于：具有晶种收容部(1a)、增径部(截面积增大部)(1b)和晶体生长部(1c)，在与其构成材料PBN板的厚度方向垂直的面上测定的
化合物半导体及其生长容器制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN200610004866.5无效
发明人：藤岛达也;福田干夫;塚田雄二;绪方敬士;饭田伊豆雄 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2006-01-10 - 公布日： 2006-08-30 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种半导体装置的制造方法，在同一半导体衬底上具有电容和MOS晶体管的半导体装置中，防止电容的绝缘破坏。在P型半导体衬底(1)的整个面上形成作为高耐压MOS晶体管的栅极绝缘膜的SiO₂膜(11)。
半导体装置制造方法

[发明专利]用于在半导体器件中形成隔离区的方法-CN200510097484.7无效
发明人：玄祐硕 -专利权人：东部亚南半导体株式会社
申请日： 2005-12-28 - 公布日： 2006-08-23 - 主分类号： H01L21/76 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于在例如光电二极管的半导体器件中形成隔离区的方法，在光电二极管的N型区与注入P型杂质离子的离子注入层之间，以及在光电二极管的N型区与P型半导体的衬底之间的边界处形成耗尽层，以使漏电流最小化采用低温处理以防止衬底中的杂质离子不合需要地扩散，以使半导体器件的针扎效应最大化。该方法包括以下步骤：在衬底中形成沟道区；通过向沟道区的内侧壁注入杂质离子形成离子注入层，其中相对于沟道区的内侧壁的表面倾斜地注入该杂质离子；以及通过用插入离子注入层的不掺杂硅酸盐玻璃膜填充沟道区，来形成半导体器件的隔离区
用于半导体器件形成隔离方法