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[发明专利]半导体结构-CN201810273140.4在审
发明人：王荣德;刘承勋;古进誉;庞德勋;王家桦;蔡佩杏;林柏瑺 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-03-29 - 公布日： 2019-05-07 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：一种半导体结构包括半导体装置、第一密封环、第二密封环及多个半导体穿孔(through semiconductor via，TSV)。半导体装置具有第一表面及与第一表面相对的第二表面。第一密封环安置在半导体装置的第一表面上且与第一表面的边缘相邻。第二密封环安置在半导体装置的第二表面上且与第二表面的边缘相邻。半导体穿孔穿过半导体装置且物理连接(physically connect)第一密封环及第二密封环。
密封环半导体装置第一表面第二表面半导体穿孔半导体结构物理连接安置穿过

[发明专利]半导体结构-CN201910795804.8在审
发明人：施信益 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2019-08-27 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：一种半导体结构，包括一半导体单元、一个或多个接合结构、以及至少一个支撑件。该半导体单元包括至少一个通孔。该一个或多个接合结构设置在该半导体单元的上方并且电连接到该至少一个通孔。该至少一个支撑件设置在该半导体单元的上方。该至少一个支撑件是一金属块或一聚合物块，并且与该一个或多个接合结构间隔开。
半导体结构

[发明专利]半导体结构-CN202010069839.6在审
发明人：陈志谚;蔡信锠;吴俊仪;黄嘉庆;萧智仁;张维展;法兰斯沃·艾贝尔 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2020-01-21 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01L23/29 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构，包含基板、化合物半导体层、栅极结构、源极结构及漏极结构以及导电胶。化合物半导体层设置于基板上。栅极结构设置于化合物半导体层上。源极结构及漏极结构设置于栅极结构的两侧。
半导体结构

[发明专利]半导体结构-CN201010217966.2有效
发明人：许丹 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2010-06-23 - 公布日： 2011-12-28 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体结构，包括：半导体基底，所述半导体基底表面具有金属层；在所述半导体基底上具有覆盖所述金属层的介质层，在所述介质层中具有暴露所述金属层的接触孔，所述接触孔内填充有导电介质；所述接触孔的侧壁上距离所述金属层一定距离处具有凸起本发明减少了半导体结构发生断路的可能。
半导体结构

[发明专利]半导体结构-CN202211215897.0在审
发明人：邵光速 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构，包括：衬底及位于衬底上的阵列结构；阵列结构包括第一晶体管阵列和第二晶体管阵列，第一晶体管阵列包括多个第一半导体柱，第二晶体管阵列包括多个第二半导体柱；存储结构，位于第一晶体管阵列与第二晶体管阵列之间；存储结构包括多个第一电容和多个第二电容，第一电容包括与第一半导体柱顶面电接触的第一电极，第二电容包括与第二半导体柱底面电接触的第二电极，第一电容和第二电容之间设有共用电极；引线结构，引线结构包括至少一个电极引线，电极引线与共用电极电接触，且电极引线在衬底表面的正投影与阵列结构在衬底表面的正投影不重合，以提高半导体结构的集成密度，降低电容引线的难度。
半导体结构

[发明专利]半导体结构-CN201210185708.X有效
发明人：朱钧;张淏酥;朱振东;李群庆;金国藩;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2012-06-07 - 公布日： 2013-12-25 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体结构，其包括：依次层叠设置的一第一半导体层、一活性层以及一第二半导体层；一第一光学对称层设置于所述第二半导体层远离第一半导体层的表面；一金属等离子体产生层设置于所述第一光学对称层远离第一半导体层的表面；一第二光学对称层设置于所述金属等离子体产生层远离第一半导体层的表面。
半导体结构

[发明专利]半导体结构-CN200710306398.1无效
发明人：林宏年;柯志欣;李文钦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2007-12-28 - 公布日： 2009-02-18 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体结构，包括半导体衬底；绝缘区，实质上从半导体衬底的上表面延伸进入半导体衬底中；嵌入式介电间隙壁，邻近于绝缘区，其中该嵌入式介电间隙壁的底部紧邻该半导体衬底；以及半导体材料，紧邻该嵌入式介电间隙壁的上边缘
半导体结构

[发明专利]半导体结构-CN202010662141.5在审
发明人：翁翊轩;李威养;杨丰诚;陈燕铭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-07-10 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种半导体结构，其包括多个半导体层的堆叠、第一金属栅极堆叠、第二金属栅极堆叠、源极/漏极结构以及源极/漏极接点。多个半导体层的一堆叠位于基板上；第一金属栅极堆叠位于半导体层的堆叠上；第二金属栅极堆叠交错于半导体层的堆叠之间；源极/漏极结构位于半导体层的堆叠中；源极/漏极接点位于源极/漏极结构上。在许多例子中，源极/漏极结构与第二金属栅极堆叠的侧壁隔有第一气隙，且源极/漏极接点与第一金属栅极堆叠的侧壁隔有第二气隙。
半导体结构

[发明专利]半导体结构-CN202010608780.3在审
发明人：林鑫成;林志鸿;林柏亨 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2020-06-30 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构，包括：基底；通道层，位于基底上；阻障层，位于通道层上；源极结构及漏极结构，位于阻障层的两侧；掺杂化合物半导体层，位于阻障层上，掺杂化合物半导体层具有邻近源极结构的第一侧边、邻近漏极结构的第二侧边、以及至少一开口，此至少一开口露出阻障层的至少一部分；介电层，位于掺杂化合物半导体层及阻障层上；以与门极结构，位于掺杂化合物半导体层上。
半导体结构

[实用新型]半导体结构-CN201920441781.6有效
发明人：吴秉桓;刘杰 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2019-04-02 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本实用新型实施例涉及一种半导体结构，包括：半导体单元，所述半导体单元包括至少一片晶圆或者芯片；位于所述半导体单元内且沿第一方向排列的第一TSV结构以及第二TSV结构，所述第一TSV结构与所述第二TSV结构均沿第二方向延伸，所述第二方向与所述第一方向不同，且在沿所述第二方向上，所述第一TSV结构的长度与所述第二TSV结构的长度不同。本实用新型提供一种结构性能优越的半导体结构。
半导体单元半导体结构本实用新型方向排列方向延伸结构性能晶圆芯片

[发明专利]半导体结构-CN201680056298.5有效
发明人：朱振甫 -专利权人：曜晟光电有限公司
申请日： 2016-09-27 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： H01L31/12 文献下载
摘要：本发明揭露了一种适用于处理光信号的半导体结构(100)，半导体结构(100)包括：一第一类型半导体层(101)；一第二类型半导体层(102)；一主动层(103)(active layer)，位于第一类型半导体层(101)和第二类型半导体层(102)之间；一反射层(R)(reflector)，覆盖第一类型半导体层(101)和第二类型半导体层(102)的表面；一第一焊盘(101a)，设置在覆盖第一类型半导体层(101)的反射层(R)的顶部表面上；第二焊盘(101b)，设置在覆盖反射层(R)的顶部表面上或第二类型半导体层(102)上；一孔洞(P)(aperture)，设置在第一类型半导体层(101)的顶部表面并穿过反射层
半导体结构

[发明专利]半导体结构-CN202010875082.X在审
发明人：林鑫成;周政伟;谢廷恩;黄易寒;林光明;林永丰;周政道;李棋富;陈佳麟;张舒雯 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2020-08-27 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体结构，包含：基板、通道层、阻挡层、化合物半导体层、栅极电极、以及介电层堆叠。通道层设置于基板上。阻挡层设置于通道层上。化合物半导体层设置于阻挡层上。栅极电极设置于化合物半导体层上。本申请能够提高半导体结构的整体可靠性。
半导体结构

[实用新型]半导体结构-CN202021449927.0有效
发明人：程凯 -专利权人：苏州晶湛半导体有限公司
申请日： 2020-07-21 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种半导体结构，包括：半导体衬底与异质结，其中，半导体衬底的背面具有漏极区域，异质结包括栅极区域与位于栅极区域两侧的源极区域，半导体衬底包括超结结构，超结结构包括若干P型层与若干N型层，P型层与N型层自半导体衬底的正面在半导体衬底的厚度方向延伸且在源极区域的连线方向上交替分布。关态时，超结结构中的P型层与N型层中的载流子互相耗尽，减少了半导体衬底内的自由载流子的数目，因而器件可实现高的关态击穿电压。超结结构使得器件主要通过栅极与漏极之间的纵向间距来承受栅压，故可减小表面尺寸，节省芯片面积。此外，由于P型层与N型层相互耗尽，超结结构可以高掺杂，从而可降低垂直型器件的导通电阻。
半导体结构

[发明专利]半导体结构-CN202110630955.5在审
发明人：姚欣洁;李忠儒;吕志伟;田希文;廖韦豪;戴羽腾 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-06-07 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明实施例提出一种半导体结构。半导体结构包括设置在半导体基板上方的互连结构；下层金属线设置在半导体基板上方的第一高度，并延伸穿过第一层间介电层。第二层间介电层设置在半导体基板上方的第二高度并包括第一介电材料。上层金属线设置在半导体基板上方的第三高度。导孔设置在第二高度。导孔在下层金属线和上层金属线之间延伸。保护性介电结构设置在第二高度。保护性介电结构包括保护性介电材料，并且沿着导孔第一组相对侧壁设置，保护性介电材料不同于第一介电材料。
半导体结构

[实用新型]半导体结构-CN202121930865.X有效
发明人：陈敏腾 -专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2021-08-17 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本申请公开一种半导体结构，所述半导体结构包括：衬底，位于所述衬底内的接触孔，以及位于所述接触孔内的位线接触插塞，所述位线接触插塞包括缓冲层，位于所述缓冲层表面的应力层，以及位于所述应力层表面的填充层，所述填充层受到所述应力层的压应力作用所述半导体结构减少或消除了填充层内的孔洞，提高半导体结构的性能。
半导体结构