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[发明专利]半导体合金鳍片场效应晶体管及其形成方法-CN201310447383.2有效
发明人： K.程;T.N.亚当;A.卡基菲鲁兹;A.瑞兹尼塞克 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2013-09-27 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：通过凹陷包括第一半导体材料的半导体材料层以形成沟槽，并且在沟槽内外延沉积第一半导体材料和第二半导体材料的半导体合金材料可以形成半导体合金鳍片结构。半导体合金材料与半导体材料层中的第一半导体材料外延对齐。包括第一半导体材料的第一半导体鳍片和包括半导体合金材料的第二半导体鳍片可以同时形成。在一个实施例中，第一半导体鳍片和第二半导体鳍片可以形成在绝缘层上，防止第二半导体材料向第一半导体鳍片扩散。在另一个实施例中，采用浅沟槽隔离结构和反向偏置阱可以在相邻的半导体鳍片之间提供电隔离。
半导体合金场效应晶体管及其形成方法

[发明专利]纳米片的多阈值电压-CN202111435501.9在审
发明人：张婧芸;安藤崇志;李忠贤;A·雷茨尼采克 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2021-11-29 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体结构。该半导体结构包括在衬底上的纳米片堆叠，每个纳米片堆叠包括牺牲半导体材料和半导体沟道材料的交替层以及围绕纳米片堆叠的第一子组的半导体沟道层的结晶化栅极电介质层、在结晶化栅极电介质的顶部上并且包围纳米片堆叠的第一子组的半导体沟道材料层的偶极层、以及由围绕纳米片堆叠的第二子组的半导体沟道层的扩散的偶极材料改性的栅极电介质。一种方法，包括在衬底上形成纳米片堆叠，每个纳米片堆叠包括牺牲半导体材料和半导体沟道材料的交替层，去除纳米片堆叠的组的牺牲半导体材料层，形成围绕纳米片堆叠的半导体沟道层的栅极电介质，以及结晶化纳米片堆叠的子组的栅极电介质
纳米阈值电压

[发明专利]半导体装置和在裸片环之间包含导电互连件的半导体小片-CN201811005406.3有效
发明人：朱宏斌;曾清林;D·奥斯特贝格;M·L·卡尔森;G·A·哈勒;J·亚当斯 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-08-30 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L23/50 文献下载
摘要：本公开涉及半导体装置和在裸片环之间包含导电互连件的半导体裸片。半导体装置包含半导体裸片，所述半导体裸片在半导体材料的衬底上方包括集成电路。第一裸片环包括至少部分地环绕所述集成电路的一或多种导电材料，所述一或多种导电材料包括从邻近所述衬底的表面处到所述半导体裸片的暴露表面的导电路径。第二裸片环包括导电材料且围绕所述第一裸片环安置。第一导电互连件将所述第一裸片环电连接到第二裸片环。公开相关半导体装置和半导体小片。
半导体装置裸片环之间包含导电互连小片

[发明专利]半导体装置-CN202110791254.X在审
发明人：朱龙琨;黄懋霖;徐崇威;余佳霓;江国诚;程冠伦;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-07-13 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：半导体装置，包括基板；第一半导体通道，位于基板上。第一半导体通道包括第一半导体材料的第一纳米片；第二半导体材料的第二纳米片，物理接触第一纳米片的顶侧表面；以及第二半导体材料的第三纳米片，物理接触第一纳米片的下侧表面。第一栅极结构位于第一半导体通道上并横向围绕第一半导体通道，且物理接触第二纳米片与第三纳米片。
半导体装置

[发明专利]制造半导体器件的方法和对应的半导体器件-CN202011399633.6在审
发明人： F·G·齐格利奥利;A·平图斯;P·马格尼 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2020-12-02 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本公开的各实施例涉及制造半导体器件的方法和对应的半导体器件。塑料材料衬底具有用于半导体裸片的裸片安装位置。在塑料材料衬底的选择区域上形成金属迹线，其中金属迹线提供用于耦合到半导体裸片的导电路径。半导体裸片被附接到裸片安装位置上。被附接到裸片安装位置上的半导体裸片被电键合到形成在塑料材料衬底上的金属迹线中的所选择的金属迹线。封装材料被模制到被附接到裸片安装位置上的半导体裸片上。
制造半导体器件方法对应

[实用新型]半导体器件-CN202221987060.3有效
发明人： A·艾伯蒂内蒂;M·阿莱西 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2022-07-29 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H01L23/535 文献下载
摘要：本公开涉及半导体器件，包括：衬底；布置在衬底上的第一半导体裸片；布置在衬底上的第二半导体裸片；激光直接成型LDS材料封装，模制到布置在衬底上的第一半导体裸片和第二半导体裸片上，具有与衬底相对的表面；至少一个导电裸片到裸片耦合结构，在第一半导体裸片和第二半导体裸片之间，至少一个裸片到裸片耦合结构包括：裸片通孔激光器，构造为在LDS材料封装的、与衬底相对的表面与第一半导体裸片和第二半导体裸片之间穿过LDS材料；裸片到裸片线激光器，构造在LDS材料封装的、与衬底相对的表面处并且耦合裸片通孔；以及导电激光诱导正向转移LIFT材料，构造在LDS材料封装中的裸片通孔上和在裸片通孔之间延伸的裸片到裸片线上。提供了改进的半导体器件。
半导体器件

[发明专利]包含导电底部填充材料的半导体装置及封装以及相关方法-CN201480017220.3有效
发明人：杰斯皮德·S·甘德席;卢克·G·英格兰德;欧文·R·费伊 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2014-03-25 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： H01L23/28 文献下载
摘要：半导体装置及装置封装包含通过多个导电结构而电耦合到衬底的至少一个半导体裸片。所述至少一个半导体裸片可以是多个存储器裸片，且所述衬底可以是逻辑裸片。安置于所述至少一个半导体裸片与所述衬底之间的底部填充材料可包含导热材料。电绝缘材料安置于所述多个导电结构与所述底部填充材料之间。例如用于形成半导体装置封装的将半导体裸片附接到衬底的方法包含使用电绝缘材料来覆盖或涂布将所述半导体裸片电耦合到所述衬底的导电结构的至少外侧表面，及在所述半导体裸片与所述衬底之间安置导热材料。
包含导电底部填充材料半导体装置封装以及相关方法

[发明专利]改良半导体材料微结构的技术-CN201180045499.2在审
发明人： G·B·库克;P·马宗达;M·D·帕蒂尔;田丽莉;N·文卡特拉曼 -专利权人：康宁股份有限公司
申请日： 2011-09-12 - 公布日： 2013-05-22 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：一种对半导体材料片进行处理的方法，包括：在半导体材料片的各主表面上形成可烧结的第一层；在各所述第一层上形成第二层，以形成颗粒涂覆的半导体片；将所述颗粒涂覆的片材放在末端构件之间；将所述颗粒涂覆的片材加热至能够至少部分烧结第一层且至少部分熔化半导体材料的有效温度；以及冷却所述颗粒涂覆的片材，使半导体材料固化并形成经过处理的半导体材料片。
改良半导体材料微结构技术

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201110354553.3有效
发明人：三重野文健 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2011-11-10 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： H01L29/49 文献下载
摘要：本发明涉及半导体装置及其制造方法。根据本发明的一种半导体装置包括：第一鳍片，包括由第一半导体材料形成的层；以及第二鳍片，由第二半导体材料形成，其中所述第一半导体材料不同于所述第二半导体材料。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201110354571.1有效
发明人：三重野文健 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2011-11-10 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及半导体装置及其制造方法。根据本发明的一种半导体装置包括：第一鳍片，由第一半导体材料形成；以及第二鳍片，包括由第二半导体材料形成的层，其中所述第一半导体材料是硅，而所述第二半导体材料是硅锗。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202110585420.0在审
发明人：蓝文廷;潘冠廷;朱熙甯;江国诚;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-05-27 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种半导体装置及其制造方法，该制造方法包括：对半导体工件施行化学机械研磨制程，半导体工件包括纳米片区域，纳米片区域具有第一类型的半导体材料与第二类型的半导体材料的交替层。上述方法还包括：当第一类型的半导体材料被第二类型的半导体材料覆盖时，停止化学机械研磨制程；将纳米片区域图形化，以形成纳米片堆叠物；形成隔离结构而围绕纳米片堆叠物；从纳米片堆叠物移除第二类型的半导体材料的顶层；将隔离结构凹陷；以及在纳米片堆叠物的上方形成栅极结构。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体器件的源极/漏极结构及其形成方法-CN202210395063.6在审
发明人：林育樟;陈亮吟;聂俊峰;张惠政;杨育佳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-04-15 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本公开涉及半导体器件的源极/漏极结构及其形成方法。提供了半导体器件及其形成方法。该方法包括形成从衬底延伸的半导体鳍片。在半导体鳍片上方形成虚设栅极堆叠。虚设栅极堆叠沿着半导体鳍片的侧壁和顶表面延伸。半导体鳍片被图案化以在半导体鳍片中形成凹陷。半导体材料被淀积在凹陷中。在半导体材料上执行植入工艺。植入工艺包括将第一植入物植入到半导体材料中并且将第二植入物植入到半导体材料中。
半导体器件结构及其形成方法

[发明专利]用于处理半导体裸片及制作经重构晶片的方法-CN201811471279.6有效
发明人： A·M·贝利斯;J·M·戴德里安;李晓 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-12-04 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本申请案涉及用于处理半导体裸片及制作经重构晶片的方法。用于处理半导体裸片的方法包括：从半导体晶片的表面移除材料以形成在所述半导体晶片的横向外围处由侧壁环绕的凹穴；在所述凹穴的底部上形成膜；及在互相间隔开的位置中将半导体裸片固定到所述膜。将电介质模制材料放置在所述凹穴中在所述半导体裸片上方及之间，从所述半导体晶片的另一表面移除材料以暴露所述膜，暴露所述半导体裸片的接合垫，形成与相关联半导体裸片的所述接合垫电连通的重布层，及沿着所述半导体裸片之间的空间将所述重布层及相关联半导体裸片单个化
用于处理半导体制作经重构晶片方法

[发明专利]具有导电且导光的通孔的半导体装置及相关联的系统及方法-CN201880045251.8有效
发明人：仲野英一;马克·E·塔特尔 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-08-16 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：本文中揭示具有填充有透明且导电的材料的一或多个通孔的半导体装置。在一个实施例中，半导体装置包含堆叠在第二半导体裸片上方的第一半导体裸片。所述第一半导体裸片可包含至少一个通孔，所述通孔与所述第二半导体裸片的对应通孔轴向对准。所述第一及第二半导体裸片的所述通孔可填充有透明且导电的材料，所述透明且导电的材料既电耦合又光耦合所述第一与第二半导体裸片。
具有导电半导体装置相关系统方法

[发明专利]半导体元件及其制作方法-CN201610018287.X有效
发明人：陈建宏;黄世贤;杨玉如;曾嘉勋;蔡成宗;吴俊元 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2016-01-12 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件及其制作方法，该半导体元件包含有一基底、一包含有一第一导电型态的第一阱区、一包含有一第二导电型态的第二阱区、一第一鳍片结构、以及一第二鳍片结构。该基底包含有一第一半导体材料，该第一鳍片结构与该第二鳍片结构包含有该第一半导体材料与一第二半导体材料，且该第二半导体材料的一晶格常数大于该第一半导体材料的一晶格常数。该第一鳍片结构内的该第一半导体材料包含有一第一浓度，该第二鳍片结构内的该第一半导体材料包含有一第二浓度，且该第二浓度大于该第一浓度。
半导体元件及其制作方法

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