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[发明专利]半导体装置组合件及其制造方法-CN201910343926.3有效
发明人： J·M·戴德里安;A·M·贝利斯;李晓 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-04-26 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本主题申请涉及半导体装置组合件及其制造方法。一种半导体装置组合件，其具有附接到衬底的半导体装置，其中在所述衬底的表面上具有箔层。粘合剂层将所述衬底连接到所述半导体装置的第一表面。所述半导体装置组合件能够实现在所述半导体装置的所述第二表面上的处理。可以向所述箔层施加能量脉冲，引起对所述箔层的放热反应，这将所述衬底从所述半导体装置剥离。所述半导体装置组合件可以包含位于所述箔层和将所述衬底连接到所述半导体装置的所述粘合剂层之间的剥离层。由所述放热反应生成的热量分解所述剥离层以将所述衬底从所述半导体装置剥离。所述能量脉冲可以是电荷、热脉冲，或者可以从激光器施加。
半导体装置组合及其制造方法

[发明专利]半导体装置结构和其处理方法与系统-CN201810906681.6有效
发明人： A·M·贝利斯;J·M·布兰德 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-08-10 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本公开是针对半导体装置结构和其处理方法与系统。从载体结构拆卸半导体装置结构的方法可涉及引导激光通过包括半导体材料的载体结构到阻隔材料，所述阻隔材料位于所述载体结构与粘附到所述阻隔材料的相对侧的半导体装置结构之间。可响应于由所述激光束对所述阻隔材料的加热释放在所述载体结构与将所述载体结构临时紧固到所述半导体装置结构的粘合材料之间的结合。可从所述半导体装置结构去除所述载体结构，可去除所述阻隔材料，且可去除将所述半导体装置结构结合到所述阻隔材料的粘合剂。
半导体装置结构处理方法系统

[发明专利]具有个别可控制区的接合卡盘及相关联的系统和方法-CN201911320470.5有效
发明人： A·M·贝利斯;C·L·贝利斯 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-12-19 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本文揭示一种具有个别可控制区的接合卡盘及相关联的系统和方法。所述接合卡盘包括多个个别区，其可在纵向方向上相对于彼此移动。在一些实施例中，所述个别区包含具有第一外表面的第一区，以及在所述第一区外围且包含第二外表面的第二区。所述第一区可在纵向方向上移动到第一位置，且所述第二区可在所述纵向方向上移动到第二位置，使得在所述第二位置中，所述第二区的所述第二外表面纵向延伸超过所述第一区的所述第一外表面。所述接合卡盘可靠近半导体装置的衬底定位，使得所述第一区及/或第二区的移动影响所述衬底的形状，此借此使所述衬底上的粘合剂在侧向、预定方向上流动。
具有个别控制区接合卡盘相关系统方法

[发明专利]用于调整电介质接合线材料的尺寸的工艺以及相关膜、物品及组合件-CN202011474022.3有效
发明人： A·M·贝利斯;B·P·沃兹 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-12-14 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请案涉及用于调整电介质接合线材料的尺寸的工艺以及相关膜、物品及组合件。描述用于调整微电子组件堆叠中的电介质接合线材料的尺寸的工艺以及相关材料膜、物品及组合件。
用于调整电介质接合线材尺寸工艺以及相关物品组合

[发明专利]具有可个别控制的区的接合卡盘以及相关联系统及方法-CN201911360654.4有效
发明人： A·M·贝利斯;C·L·贝利斯 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-12-25 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本文揭示具有可个别控制的区的接合卡盘以及相关联系统及方法。接合卡盘包括经配置以彼此独立地被个别加热的多个个别区。在一些实施例中，个别区包含经配置以被加热到第一温度的第一区，以及在第一区外围并且经配置以被加热到不同于第一温度的第二温度的第二区。在一些实施例中，接合卡盘进一步包括：(a)第一线圈，其安置在第一区内并且经配置以将第一区加热到第一温度，以及(b)第二线圈，其安置在第二区内并且经配置以将第二区加热到第二温度。可将接合卡盘靠近半导体装置的衬底定位，使得加热第一区及/或第二区影响用于将半导体装置的衬底彼此接合的粘合剂的粘度。因此，加热第一区及/或第二区可致使衬底上的粘合剂在横向预定方向上流动。
具有个别控制接合卡盘以及相关联系方法

[发明专利]凹入式半导体装置以及相关联系统和方法-CN202210446838.8在审
发明人： A·M·贝利斯;B·P·沃兹 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-04-26 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本公开涉及凹入式半导体装置以及相关联系统和方法。本文中公开在凹入式边缘具有镀敷结构的半导体装置、由所述半导体装置形成的半导体组合件以及相关联系统和方法。在一个实施例中，半导体组合件包含第一半导体装置和第二半导体装置。所述第一半导体装置可包含上表面和处于所述上表面上方的第一介电层，所述第二半导体装置可包含下表面和处于所述下表面上方的第二介电层，且所述第一和第二介电层可接合以耦合所述第一和第二半导体装置。所述第一和第二介电层可各自包含暴露所述相应上表面和下表面上的多个金属结构的多个向内延伸的凹部，且所述上表面凹部和金属结构可对应于所述下表面凹部和金属结构。所述金属结构可通过定位于所述凹部中的镀敷结构被电耦合。
凹入式半导体装置以及相关联系方法

[实用新型]一种半导体封装结构-CN202221330870.1有效
发明人： O·R·费伊;B·P·沃兹;A·M·贝利斯 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-05-30 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种半导体封装结构。根据本实用新型的一实施例，一种半导体封装结构包含：半导体裸片堆叠，其包含多个半导体裸片；绝缘层，其位于相邻半导体裸片之间；耦合元件，其邻近所述多个半导体裸片的每一者的表面安置，所述多个半导体裸片经由所述耦合元件彼此电连接；以及边缘连接件，其位于所述半导体裸片堆叠的至少部分侧壁上，所述多个半导体裸片的每一者经由所述边缘连接件连接至公共信号。
一种半导体封装结构

[发明专利]制造微电子装置的方法以及相关微电子装置、工具和设备-CN202210457775.6在审
发明人： A·M·贝利斯;B·P·沃兹 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-04-27 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：一种制造微电子装置的方法以及相关微电子装置、工具和设备，其包含微电子装置，所述微电子装置可具有侧表面，所述侧表面各自包含第一部分和第二部分。所述第一部分可具有从所述微电子装置的邻近表面延伸的高度不规则表面构形。所述第二部分可具有从所述第一部分延伸到所述微电子装置的对置表面的程度较轻的不平整表面。形成微电子装置的方法可包含：通过植入离子在所述一或多个微电子装置之间的过道中在晶片中产生位错；以及经由施加热、张力或其组合而响应于在所述位错附近的应力集中故障而使所述晶片分裂。还公开了相关封装和方法。
制造微电子装置方法以及相关工具设备

[发明专利]具有用于裸片堆叠互连的凹陷衬垫的半导体装置-CN202210391519.1在审
发明人：盛睿颖;A·M·贝利斯;B·P·沃兹 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-04-14 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：本文公开了具有用于裸片堆叠互连的凹陷衬垫的半导体装置。在一些实施例中，半导体组合件包含具有多个半导体裸片的裸片堆叠。每一半导体裸片可包含具有绝缘材料的表面、形成于至少一个表面中的凹部，以及在所述凹部内的导电衬垫。所述半导体裸片可经由所述绝缘材料直接耦合到彼此。所述半导体组合件还可包含电耦合到所述半导体裸片中的每一个的互连结构。所述互连结构可包含连续地延伸穿过所述裸片堆叠中的所述半导体裸片中的每一个的单片通孔。所述互连结构还可包含从所述单片通孔延伸的多个突起。每一突起可定位在相应半导体裸片的所述凹部内，且可电耦合到所述凹部内的所述导电衬垫。
具有用于堆叠互连凹陷衬垫半导体装置

[发明专利]用于半导体装置组合件的半导体裸片边缘保护和相关联系统和方法-CN202210391904.6在审
发明人： B·P·沃兹;A·M·贝利斯 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-04-14 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L23/552 文献下载
摘要：本申请案涉及用于半导体装置组合件的半导体裸片边缘保护和相关联系统和方法。公开了具有受保护边缘的半导体裸片和用于产生所述半导体裸片的方法。此外，所公开方法提供在不使用切割技术的情况下使所述半导体裸片分离。在一个实施例中，在包含半导体裸片的衬底的前侧上形成沟槽。个别沟槽对应于所述衬底的划线，其中每一沟槽具有大于所述半导体裸片的最终厚度的深度。可在所述沟槽的侧壁上形成复合材料层以保护所述半导体裸片的边缘。所述复合材料层包含将所述半导体裸片屏蔽于电磁干扰的金属层。随后，可从后侧薄化所述衬底以从所述衬底单分个别半导体裸片。
用于半导体装置组合边缘保护相关联系方法

[发明专利]制造微电子装置的方法以及相关微电子装置、工具和设备-CN202210392197.2在审
发明人： B·P·沃兹;A·M·贝利斯 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-04-14 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本申请案涉及制造微电子装置的方法以及相关微电子装置、工具和设备。微电子装置可包含作用表面和侧表面。所述侧表面可包含具有反射表面的第一部分和具有非反射表面的第二部分。可通过在晶片上沿着所述微电子装置之间的过道将导电材料沉积在形成于所述晶片的材料中的沟槽中来形成所述反射表面。可加热所述导电材料。可在加热所述导电材料之后冷却所述晶片，从而使所述晶片沿着所述过道分裂且分离所述微电子装置。
制造微电子装置方法以及相关工具设备

[发明专利]用于处理半导体装置结构的方法和设备-CN201810933189.8有效
发明人： A·M·贝利斯 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-08-16 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本申请涉及一种用于处理半导体装置结构的方法和设备。一种处理装置晶片的方法包括：将牺牲材料涂覆到载体晶片的表面；将所述装置晶片的表面粘附到所述载体晶片的相对表面；通过仅移除所述牺牲材料厚度的一部分来平面化所述牺牲材料的暴露表面；以及平面化所述装置晶片的相对表面。还公开一种晶片组合件。
用于处理半导体装置结构方法设备

[发明专利]用于从载体结构能量场辅助释放微电子装置的设备和方法-CN202110663856.7在审
发明人： A·M·贝利斯;B·P·沃兹;C·L·贝利斯 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-06-16 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本申请涉及用于从载体结构能量场辅助释放微电子装置的设备和方法。从载体结构向上拾取微电子装置，同时施加能量场以从所述载体结构排斥所述微电子装置，或拉动所述载体结构远离所述微电子装置。颗粒嵌入在粘附到所述微电子装置的材料中，并且所述能量场是磁场，所述颗粒响应于所述磁场以在所述微电子装置或所述载体结构上生成原动力。还公开了在减薄的装置晶片的切单之前从所述装置晶片去除载体晶片。
用于载体结构能量辅助释放微电子装置设备方法

[实用新型]半导体装置-CN202123194514.X有效
发明人： B·P·沃兹;A·M·贝利斯;O·R·费伊 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-12-17 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本申请涉及一种半导体装置。根据本申请的部分实施例，本申请提供了一种半导体装置，该半导体装置包括：衬底、接合垫、钝化层及导电柱，其中衬底包含有源面；接合垫于衬底的有源表面上；钝化层围绕接合垫，且接合垫的部分暴露自钝化层；导电柱设置于接合垫的暴露部分上，且导电柱覆盖钝化层的部分。半导体装置进一步包括晶种层，该晶种层设置于导电柱与钝化层的顶部表面之间，其中晶种层的垂直投射大于导电柱的顶部部分的垂直投射。本申请提供的半导体装置通过设计的制成工艺，能够于连接件中设置晶种层并控制晶种层的宽度，其能够优化半导体装置中的连接件与衬底的接合性能。
半导体装置

[实用新型]一种互连结构-CN202220354026.6有效
发明人： B·P·沃兹;A·M·贝利斯;O·R·费伊 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-02-22 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种互连结构。根据本实用新型的一实施例，一种互连结构包含：着陆区；导电柱，其安置在所述着陆区上且经配置以电耦合或热耦合至所述着陆区，所述导电柱包括：顶部，其具有第一宽度；以及第一部分，其低于所述顶部且具有第二宽度，其中所述第一宽度从横截面角度看去大于所述第二宽度。
一种互连结构

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