“半导体晶格”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果410951个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]使用具有不同非半导体热稳定性的超晶格制造半导体器件的方法-CN202180046994.9在审
发明人： K·D·威克斯;N·W·科迪;M·海塔;R·J·米尔斯 -专利权人：阿托梅拉公司
申请日： 2021-07-01 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：用于制造半导体器件的方法可以包括形成与半导体层相邻的第一超晶格和第二超晶格。第一超晶格和第二超晶格中的每个可以包括堆叠的层组，其中每个层组包括限定基础半导体部分的堆叠的基础半导体单层和被约束在相邻基础半导体部分的晶格内的至少一个非半导体单层。与第一超晶格相比，第二超晶格可以具有关于其中的非半导体原子的更大的热稳定性。方法还可以包括加热第一超晶格和第二超晶格以使来自第一超晶格的非半导体原子向第二超晶格的至少一个非半导体单层迁移。
使用具有不同半导体热稳定性晶格制造半导体器件方法

[发明专利]半导体光学装置，在半导体光学装置中形成接触的方法-CN200410062177.0无效
发明人：中村孝夫;森大树;片山浩二 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2004-07-02 - 公布日： 2005-04-27 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种半导体光学装置包括超晶格接触半导体区和金属电极。超晶格接触半导体区具有超晶格结构。超晶格接触半导体区包括II－VI化合物半导体区和II－VI化合物半导体层。II－VI化合物半导体区含有锌、硒和碲，II－VI化合物半导体层含有锌和硒。金属电极在所述超晶格接触半导体区上提供，金属电极与第一II－VI化合物半导体层电连接。
半导体光学装置形成接触方法

[发明专利]半导体基底、半导体元件及半导体元件的制造方法-CN201810672037.7有效
发明人：陈孟扬;李荣仁 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2018-06-26 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体基底、半导体元件及半导体元件的制造方法。半导体基底包含一第一半导体层以及一第二半导体层，且第二半导体层位于第一半导体层之上。第一半导体层具有一第一晶格常数(L1)，而第二半导体层具有一第二晶格常数(L2)，且第二晶格常数与第一晶格常数的差值(L2‑L1)与第一晶格常数(L1)的比值大于0.036。
半导体基底元件制造方法

[发明专利]半导体外延基板-CN201180011758.X在审
发明人：角田浩二;野崎龙也;金井进 -专利权人：吉坤日矿日石金属株式会社
申请日： 2011-03-01 - 公布日： 2012-11-14 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体层的镶嵌性低且适合半导体器件的制作的半导体外延基板。该半导体外延基板在具有第一晶格常数的半导体基板上使倾斜缓冲层和半导体层进行外延生长而制成，其中，所述倾斜缓冲层以使晶格常数在第一晶格常数和大于第一晶格常数的第二晶格常数的范围内呈阶段性增加的方式使组分倾斜，所述半导体层由具有第二晶格常数的半导体晶体构成，在所述半导体外延基板中，在设从[100]方向向[011]方向按顺时针旋转的方向为正时，半导体层的(mnn)面(m、n是整数，但排除m＝n＝0)和半导体基板的
半导体外延

[发明专利]控制III-V型半导体器件中的晶片弯曲度的方法-CN201810642770.4在审
发明人： S.肯南;P.W.金;S.E.朴;M.唐加尔;万建伟 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2018-06-21 - 公布日： 2018-12-28 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明公开了控制III‑V型半导体器件中的晶片弯曲度的方法。提供具有主表面的IV型半导体衬底。在该IV型半导体衬底上方形成包括二维载流子气的III‑V型半导体沟道区域。在IV型半导体衬底和III‑V型半导体沟道区域之间形成III‑V型半导体晶格过渡区域，其被配置为减轻由于晶格失配而产生的机械应力。该III‑V型半导体晶格过渡区域包括在IV型半导体衬底上方形成的第一晶格过渡层，该第一晶格过渡层具有第一浓度的第一III族元素，在第一晶格过渡层上方形成的第二晶格过渡层，该第二晶格过渡层具有高于第一浓度的第二浓度的第一III族元素；以及在第二晶格过渡层上方形成的第三晶格过渡层，该第三晶格过渡层具有低于第一浓度的第三浓度的III族元素。
过渡层晶格衬底半导体半导体沟道半导体晶格半导体器件过渡区域晶片弯曲载流子机械应力晶格失配主表面二维配置

[发明专利]光电元件-CN201310154247.4有效
发明人：林宣乐;李世昌 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2013-04-28 - 公布日： 2018-11-30 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明公开一光电元件，其包含一第一半导体层具有一第一晶格常数；一第二半导体层具有一第二晶格常数，其中第二晶格常数小于第一晶格常数；及一第一缓冲层位于第一半导体层与第二半导体层之间，其中第一缓冲层于靠近第二半导体层的一侧的一晶格常数小于第二晶格常数
光电元件

[发明专利]三族氮化合物半导体紫外光发光二极管-CN201110037662.2有效
发明人：凃博闵;黄世晟 -专利权人：展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司
申请日： 2011-02-15 - 公布日： 2012-08-15 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：一种三族氮化合物半导体发光二极管，其包括蓝宝石衬底、依次成长在该蓝宝石衬底上的n型半导体层、有源层以及p型半导体层。所述n型半导体层与有源层之间还成长有一n型应变层晶格结构。所述n型应变层晶格结构的晶格常数大于等于所述有源层的晶格常数，小于等于所述n型半导体层的晶格常数。所述n型应变层晶格结构使所述n型半导体层与所述有源层之间达成渐变晶格匹配，可以消除n型半导体层从下面传递来的缺陷，及减缓晶格部匹配造成的能带倾斜，以提升量子阱发光强度。
氮化半导体紫外光发光二极管

[发明专利]包括具有超晶格的增强接触结构的半导体器件和相关方法-CN201980021335.2在审
发明人： R·J·史蒂芬森;R·伯顿;D·康奈利;N·W·寇迪;R·J·梅尔斯;D·筹托夫;E·特洛特曼 -专利权人：阿托梅拉公司
申请日： 2019-03-08 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：半导体器件(30)可包括其中具有沟槽(32)的半导体衬底(31)，和至少部分覆盖沟槽的底部和侧壁部分的超晶格衬层(25)。超晶格衬层可包括堆叠的层组，其中每个层组包括限定了基础半导体部分的堆叠的基础半导体单层，和被约束在相邻的基础半导体部分的晶体晶格内的至少一个非半导体单层。半导体器件还可包括在超晶格衬层上并且具有被超晶格衬层约束在其中的掺杂剂(34)的半导体盖层(33)，和在沟槽内的传导体(36、37)。
包括具有晶格增强接触结构半导体器件相关方法

[发明专利]包括垂直集成的光学和电子器件并且包含超晶格的半导体器件和方法-CN201980029268.9在审
发明人： R·J·斯蒂芬森 -专利权人：阿托梅拉公司
申请日： 2019-04-10 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： G02F1/017 文献下载
摘要：半导体器件可以包括其上具有波导的基板以及覆盖基板和波导的超晶格。超晶格可以包括堆叠的层组，其中每个层组包括限定基础半导体部分的堆叠的基础半导体单层，以及被限制在相邻基础半导体部分的晶格内的至少一个非半导体单层。该半导体器件还可以包括在超晶格上包括至少一个有源半导体器件的有源器件层。
包括垂直集成光学电子器件并且包含晶格半导体器件方法

[发明专利]包括应变超晶格和上覆应力层的半导体器件以及相关方法-CN200680025737.2无效
发明人：罗伯特·J·梅尔斯;斯科特·A·柯瑞普斯 -专利权人：梅尔斯科技公司
申请日： 2006-07-14 - 公布日： 2008-10-15 - 主分类号： H01L29/15 文献下载
摘要：一种半导体器件，可以包括包含多个层叠层组的应变超晶格层(325)，以及位于应变超晶格层上面的应力层。应变超晶格层的每个层组可以包括限定基础半导体部分的多个层叠基础半导体单层，以及限制在相邻基础半导体部分的晶格内的至少一个非半导体单层。
包括应变晶格应力半导体器件以及相关方法

[发明专利]半导体晶粒堆叠及其形成方法、和半导体封装-CN202210220789.6在审
发明人：张任远;赖佳平 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-08 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：一种半导体晶粒堆叠及其形成方法、和半导体封装，半导体晶粒堆叠包括具有第一晶格方向的第一半导体晶粒、以及接合到第一半导体晶粒并具有不同于第一晶格方向的第二晶格方向的第二半导体晶粒。
半导体晶粒堆叠及其形成方法封装

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201410376834.2有效
发明人：苫米地秀一;小谷淳二 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2014-08-01 - 公布日： 2017-08-29 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了半导体器件以及制造半导体器件的方法，该半导体器件包括形成在衬底上的第一超晶格缓冲层。在第一超晶格缓冲层上形成有第二超晶格缓冲层。在第二超晶格缓冲层上由氮化物半导体形成有第一半导体层。在第一半导体层上由氮化物半导体形成有第二半导体层。第一超晶格缓冲层通过交替地且周期地层叠第一超晶格形成层和第二超晶格形成层而形成。第二超晶格缓冲层通过交替地且周期地层叠第一超晶格形成层和第二超晶格形成层而形成。第一超晶格形成层由AlxGa1‑xN形成，第二超晶格形成层由AlyGa1‑yN形成，其中x>y。掺杂到第二超晶格缓冲层中的杂质元素的浓度高于掺杂到第一超晶格缓冲层中的杂质元素的浓度。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]化合物半导体装置及其制造方法-CN201080068051.8有效
发明人：今田忠纮 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2010-07-14 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： H01L21/338 文献下载
摘要：本发明中设有与化合物半导体层（102）绝缘且与电极（101）和化合物半导体层（103）相接的电极（109）。化合物半导体层（103）的晶格常数小于化合物半导体层（102）和化合物半导体层（104）的晶格常数，化合物半导体层（107）的晶格常数小于化合物半导体层（102）和化合物半导体层（107）的晶格常数。另外，化合物半导体层（103）的传导带的能量高于化合物半导体层（104）的传导带的能量。
化合物半导体装置及其制造方法

[发明专利]包括超晶格并提供减少的栅泄漏的半导体器件及相关方法-CN202180041847.2在审
发明人：武内英树;Y-H·杨 -专利权人：阿托梅拉公司
申请日： 2021-06-10 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L29/15 文献下载
摘要：半导体器件可以包括半导体基板，以及半导体基板中的浅沟槽隔离(STI)区域(70)，其在半导体基板中限定其间的有源区域(71)，有源区域具有与STI区域相邻且内角至少为125°的圆化肩部。该半导体器件还可以包括在有源区域上的超晶格(25)，该超晶格包括堆叠的层组，每个层组包括：限定基础半导体部分的堆叠的基础半导体单层，以及限制在相邻基础半导体部分的晶格内的至少一个非半导体单层。该半导体器件还可以包括在基板上的包括超晶格的半导体电路。
包括晶格提供减少泄漏半导体器件相关方法

[发明专利]包含具有至少一组基本未掺杂层的超晶格的半导体器件-CN200680023233.7无效
发明人：罗伯特·J·梅尔斯;斯考特·A·克瑞普斯 -专利权人：梅尔斯科技公司
申请日： 2006-05-09 - 公布日： 2008-09-03 - 主分类号： H01L29/15 文献下载
摘要：半导体器件，包括超晶格，超晶格依次含有多个叠加的层组。每组超晶格可以包括用于限定基础半导体部分和其上的能带修改层的多个叠加的基础半导体单层。此外，能带修改层可以包括束缚于相邻的基础半导体部分的晶格内的至少一个非半导体单层。超晶格的至少一个层组可以是基本上未掺杂的。
包含具有至少一组基本掺杂晶格半导体器件

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条