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[发明专利]半导体外延基板-CN201180011758.X在审
发明人：角田浩二;野崎龙也;金井进 -专利权人：吉坤日矿日石金属株式会社
申请日： 2011-03-01 - 公布日： 2012-11-14 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体层的镶嵌性低且适合半导体器件的制作的半导体外延基板。该半导体外延基板在具有第一晶格常数的半导体基板上使倾斜缓冲层和半导体层进行外延生长而制成，其中，所述倾斜缓冲层以使晶格常数在第一晶格常数和大于第一晶格常数的第二晶格常数的范围内呈阶段性增加的方式使组分倾斜，所述半导体层由具有第二晶格常数的半导体晶体构成，在所述半导体外延基板中，在设从[100]方向向[011]方向按顺时针旋转的方向为正时，半导体层的(mnn)面(m、n是整数，但排除m＝n＝0)和半导体基板的(mnn)面所成的角为+0.05º以上。
半导体外延

[发明专利]外延生长法-CN200480020384.8无效
发明人：高草木操;金井进 -专利权人：株式会社日矿材料
申请日： 2004-04-28 - 公布日： 2006-09-13 - 主分类号： H01L21/203 文献下载
摘要：一种外延生长方法，是采用分子束外延生长法形成具有III－V族系化合物半导体的异质结的半导体薄膜的外延生长方法，具备下述工序：照射至少一种以上的III族元素的分子束和第1V族元素的分子束，形成第1化合物半导体层的第1工序；停止上述III族元素的分子束和上述第1V族元素的分子束的照射，中断生长直到上述第1V族元素的供给量变为上述第1工序中的供给量的1/10以下的第2工序；和照射至少一种以上的III族元素的分子束和第2V族元素的分子束，在上述第1化合物半导体层上形成与上述第1化合物半导体不同的第2化合物半导体层的第3工序。
外延生长