“半导体化合物”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果2952781个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]化合物半导体器件及其制造方法-CN201110180598.3有效
发明人：山田敦史 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2011-06-24 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种化合物半导体器件包括：衬底；化合物半导体层，形成在所述衬底上方；以及栅电极，形成在所述化合物半导体层上方，在所述化合物半导体层和所述栅电极之间设置有栅绝缘膜。所述栅绝缘膜包括具有反转自发极化的第一层，其自发极化的方向与所述化合物半导体层的自发极化相反。
化合物半导体器件及其制造方法

[发明专利]化合物半导体热电材料及其制造方法-CN201680012741.9在审
发明人：权五贞;崔铉祐;林炳圭;郑明珍;朴哲熙 -专利权人：株式会社LG化学
申请日： 2016-07-21 - 公布日： 2017-11-28 - 主分类号： H01L35/16 文献下载
摘要：提供了化合物半导体热电材料，其制造方法以及使用其的热电模块、热电发电机或热电冷却装置，所述化合物半导体热电材料通过具有优异的功率因数和ZT值而具有优异的热电转换性能，并且特别地，在低温下具有优异的热电转换性能根据本发明的化合物半导体热电材料包含n型化合物半导体基体；和分散在基体中的n型颗粒，所述n型颗粒是与基体不同的化合物半导体并且平均颗粒尺寸为1μm至100μm。
化合物半导体热电材料及其制造方法

[发明专利]化合物半导体基板的制造方法-CN200480031316.1有效
发明人：秦雅彦;小野善伸;上田和正 -专利权人：住友化学株式会社
申请日： 2004-10-25 - 公布日： 2006-11-29 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：提供化合物半导体基板的制造方法，包含以下的工序(a)～(e)。(a)在基板(1)上，通过外延生长形成化合物半导体功能层(2)；(b)在化合物半导体功能层(2)上接合支撑基板(3)；(c)通过研磨除去基板(1)、与基板(1)接触一侧的化合物半导体功能层(2)的一部分；(d)在通过工序(c)露出的化合物半导体功能层(2)的表面接合具有比基板(1)大的热传导率的高热传导性基板(4)，取得多层基板；(e)从多层基板分离支撑基板(3)。
化合物半导体制造方法

[发明专利]制造发光二极管的方法-CN201310063858.8有效
发明人：酒井士郎 -专利权人：首尔OPTO仪器股份有限公司
申请日： 2010-06-10 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种制造发光二极管的方法，该方法包括：在第一基底上形成具有至少第一半导体层的多个化合物半导体层；在化合物半导体层上设置第二基底；使化合物半导体层与所述第一基底分离，其中，形成所述多个化合物半导体层的步骤包括在所述第一半导体层上形成图案层，在所述第一半导体层中形成多个腔并且增大腔的体积，增大腔的体积的步骤包括在所述图案层的上侧形成第二半导体层的步骤。
制造发光二极管方法

[发明专利]半导体装置及半导体结构-CN201811486774.4有效
发明人：韦维克;陈柏安 -专利权人：新唐科技股份有限公司
申请日： 2018-12-06 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种半导体装置及半导体结构，上述半导体装置包括基板、第一III‑V族化合物层、第二III‑V族化合物层、源极、漏极和栅极堆叠结构；第一III‑V族化合物层设置于上述基板上；第二III‑V族化合物层设置于第一III‑V族化合物层上；源极和漏极设置于第二III‑V族化合物层的相对侧边界上；栅极堆叠结构设置于第二III‑V族化合物层上，栅极堆叠结构包括第一栅极和第二栅极，第一栅极设置于第二III‑V族化合物层上；第二栅极设置于第一栅极上且与第一栅极电性绝缘，第二栅极电性耦接至源极。上述半导体装置可降低半导体装置的漏电。
半导体装置结构

[发明专利]一种化合物半导体复合膜-CN200610024516.5无效
发明人：毕明光;殷伟军;殷小淞;毕颖 -专利权人：毕明光;殷伟军
申请日： 2006-03-09 - 公布日： 2007-09-12 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种化合物半导体材料及其制造工艺，特别涉及一种具有大面积、微结构的化合物半导体复合薄膜。包括具有纳米尺寸的二维半导体材料、一维半导体材料、零维半导体材料及具有阵列点阵的半导体材料。一种半导体复合薄膜的制造工艺，它是利用核径迹蚀刻技术在电介质薄膜上蚀刻出微孔，再在微孔中沉积填充化合物半导体材料。填充方法具有模板法限位生长的特性，又有溶胶凝胶法化合物半导体组成、成分易于控制的特性，并利用电化学生长进行控制的特性。
一种化合物半导体复合

[发明专利]主要由氮化物半导体材料制成的半导体器件及其形成工艺-CN201811037953.X在审
发明人：菅原健太;井上和孝 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2018-09-06 - 公布日： 2019-03-12 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种主要由氮化物半导体材料制成的半导体器件。该半导体器件包括衬底；衬底上的半导体堆叠体；各自设置在半导体堆叠体上的栅极、源极和漏极，其中栅极包含镍(Ni)；覆盖半导体堆叠体的表面的Si化合物；覆盖从Si化合物中露出的栅极的氧化铝(Al₂O₃)膜；和覆盖Al₂O₃膜和从Al₂O₃膜中露出的Si化合物的另一Si化合物。本发明的半导体器件的特征在于：Al₂O₃膜至少在栅极和漏极之间露出Si化合物。
半导体器件半导体堆叠体氮化物半导体材料衬底漏极覆盖氧化铝源极

[发明专利]具有改善的热管理的堆叠管芯架构-CN201811502258.6在审
发明人： F·艾德;S·科塔里;C·M·杰哈;J·M·斯旺;M·J·贝克尔;S·M·利夫;T·L·索纳尔特;B·K·加布雷希沃特;S·德瓦塞纳提帕蒂;T·盖恩斯;D·A·拉奥拉内 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2018-12-10 - 公布日： 2019-07-19 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本文公开了一种半导体器件，其具有耦合至衬底的半导体管芯。模制化合物包封所述半导体管芯，并且至少一个导热材料区段从与所述半导体管芯相邻处延伸通过所述模制化合物。因而，所述至少一个导热材料区段通过所述模制化合物从所述半导体管芯运送热量。
半导体管芯模制化合物导热材料半导体器件堆叠管芯耦合热管理相邻处包封衬底架构运送延伸

[发明专利]制造氮化镓基半导体发光器件的方法-CN201310170557.5无效
发明人：吕寅准;金玄永;宋尚烨 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2013-05-10 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种制造氮化镓（GaN）基半导体发光器件的方法。在衬底上形成发光结构，并且该发光结构包括n型半导体层、有源层以及由包含镓（Ga）的氮化物半导体形成的p型半导体层。在p型半导体层上沉积金属层，并进行热处理，以形成镓-金属化合物。去除在p型半导体层上形成的镓-金属化合物。在已去除了镓-金属化合物的p型半导体层的上表面上沉积电极。镓-金属化合物的形成包括在p型半导体层的表面中形成镓空位。
制造氮化半导体发光器件方法

[发明专利]氮化镓系化合物半导体发光元件及其制造方法-CN200780047412.9有效
发明人：三木久幸 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2007-12-20 - 公布日： 2009-11-04 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明的目的是提供发光输出功率高、且驱动电压低的氮化镓系化合物半导体发光元件。本发明的氮化镓系化合物半导体发光元件，在基板上依次具有由氮化镓系化合物半导体形成的n型半导体层、发光层和p型半导体层，在该n型半导体层和该p型半导体层上分别设置负极和正极，该正极由具有导电性和透光性的氧化物材料形成，该发光元件的特征在于，在该p型半导体层与该正极之间存在含有具有Ga-O键和/或N-O键的化合物的层。
氮化化合物半导体发光元件及其制造方法

[发明专利]制备有机半导体化合物的单晶薄膜的方法-CN200880105268.4有效
发明人：加藤隆志;五十岚达也;岛田敏宏;石井由威 -专利权人：富士胶片株式会社;国立大学法人东京大学
申请日： 2008-08-26 - 公布日： 2010-08-04 - 主分类号： H01L21/368 文献下载
摘要：制备有机半导体化合物的单晶薄膜的方法，该方法包括下列步骤：通过将有机溶剂涂布到基板(2)上而在基板(2)上形成液膜(9)，其中所述有机溶剂具有不小于4.5的介电常数，并且所述有机半导体化合物在其中可溶；将所述有机半导体化合物提供并溶解到液膜(9)中；以及在所述有机溶剂中将所述有机半导体化合物结晶。
制备有机半导体化合物薄膜方法

[发明专利]氮化物系化合物半导体元件及其制造方法-CN201310288724.6无效
发明人：古川拓也;品川达志;岩见正之;梅野和行;加藤祯宏 -专利权人：先进动力设备技术研究协会
申请日： 2013-07-10 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明的课题是提供抑制了漏电的氮化物系化合物半导体元件及其制造方法。该氮化物系化合物半导体元件具备：基板；在所述基板上形成的包含多层复合层的缓冲层，该复合层层叠有由氮化物系化合物半导体构成的第1层，和晶格常数比所述第1层小的、由含有铝的氮化物系化合物半导体构成的第2层；在所述缓冲层上形成的半导体工作层；以及在所述半导体工作层上形成的多个电极。
氮化物化合物半导体元件及其制造方法

[发明专利]化合物半导体装置及化合物半导体装置的制造方法-CN201210028773.1有效
发明人：伊籐裕规;岩渕昭夫;施欣宏 -专利权人：联华电子股份有限公司;三垦电气株式会社
申请日： 2012-02-09 - 公布日： 2012-08-15 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供一种使用沟道进行元件分离且抑制了因相邻元件的动作带来的影响的化合物半导体装置及化合物半导体装置的制造方法。该化合物半导体装置具备：半导体衬底；具有载流子渡越层和载流子供给层且配置于半导体衬底上的氮化物半导体层；内部具有上端部位于载流子渡越层与载流子供给层的边界面的上方的空穴、并包围氮化物半导体层的周围而配置的元件分离绝缘膜
化合物半导体装置制造方法

[发明专利]量子点及其制造方法与应用-CN201911098749.3在审
发明人：林耕竹 -专利权人：奇美实业股份有限公司
申请日： 2019-11-12 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：纳米晶体为选自由XII‑XV族化合物半导体纳米晶体、XII‑XVI族化合物半导体纳米晶体、XIII‑XV族化合物半导体纳米晶体与XIII‑XVI族化合物半导体纳米晶体所组成的族群中的至少一种。配体包含15～70％的脂肪酸化合物、1～35％的膦化合物0～55％的硫醇化合物、及0～10％其它配位基。本发明可以提升量子点的量子效率。
量子及其制造方法应用

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN201810081641.2在审
发明人：林信志;周钰杰;陈富信 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2018-01-29 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提出一种半导体结构及其制造方法，其中半导体结构包含化合物半导体层设置于透明基底上，保护层设置于化合物半导体层上，开口穿过保护层且暴露出化合物半导体层，金属电极填入开口且覆盖部分的保护层，以及阻障层设置于金属电极与保护层之间此外，也提供半导体结构的制造方法。根据本发明实施例的形成半导体结构的方法，可降低所形成的金属电极与化合物半导体层之间的接触电阻，当这些金属电极作为源极/漏极电极时，可使得半导体装置的源极/漏极接触电阻降低，进而提升包含半导体结构的半导体装置的效能
半导体结构化合物半导体层金属电极保护层半导体装置接触电阻开口源极/漏极电极制造源极/漏极阻障层基底填入穿过透明暴露覆盖