“金玄永”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果30个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201911120346.4有效
发明人： 金玄永;郭逃远;徐康元 -专利权人：夏泰鑫半导体（青岛）有限公司
申请日： 2019-11-15 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H10N97/00 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置，包括：基板；导电图案，从所述基板向上延伸，所述导电图案具有中空结构；第一导电层，覆盖所述导电图案；以及介电层，至少覆盖所述第一导电层。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN202010046710.3有效
发明人： 金玄永;郭逃远;徐康元 -专利权人：夏泰鑫半导体（青岛）有限公司
申请日： 2020-01-16 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：公开了一种半导体结构及其制造方法。该半导体结构包括一互连结构，该互连结构包括：在基板上方彼此分开且邻近地布置的多个导电特征；在所述多个导电特征之上和之间共形地形成的衬垫，以在相邻的一对导电特征之间界定具有第一深度的沟槽，其中，水平覆盖在所述导电特征的各个顶表面上的所述衬垫的厚度小于垂直覆盖在所述导电特征的各个侧壁上的所述衬垫的厚度；及在所述导电特征的顶表面上的衬垫上的介电层，其中，所述介电层密封所述沟槽，且在与所述沟槽相邻的一对导电特征之间形成空隙。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]半导体器件-CN201911108196.5有效
发明人：金志勋;金玄永;卞成洙;朴相荣 -专利权人：夏泰鑫半导体（青岛）有限公司
申请日： 2019-11-13 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：一种半导体器件，所述半导体器件包括形成在基板的器件区域上方的电容器结构和缓冲层。所述电容器结构包括下电极，所述下电极具有U形轮廓，所述U形轮廓的开口远离所述基板，所述U形轮廓限定了内表面和相对的外表面。介电质衬层延伸进入所述U形轮廓并保形地覆盖所述下电极的内表面；所述上电极形成在所述介电质衬层上，延伸进入并填充到所述U形轮廓中，所述上电极包括顶部导电层。所述缓冲层形成在所述上电极的顶部导电层上，其中，所述缓冲层的晶格常数大于所述顶部导电层的晶格常数。
半导体器件

[发明专利]半导体处理工艺及半导体元器件-CN202010072119.5有效
发明人：朴相荣;金志勋;金玄永;徐康元 -专利权人：夏泰鑫半导体（青岛）有限公司
申请日： 2020-01-21 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：一种半导体处理工艺，其包括以下步骤：提供复合结构，包括层叠设置的硅基体及绝缘层，且所述绝缘层上开设有露出部分所述硅基体的开口；在第一温度下沉积第一钛层，所述第一钛层形成于所述绝缘层背离所述硅基体的表面、所述开口的侧壁及从所述开口露出的部分所述硅基体，且从所述开口露出的所述硅基体的表面与部分沉积的所述第一钛层反应形成硅化钛层；通入氨气对所述第一钛层进行氮化处理，使得所述第一钛层远离所述硅基体的部分反应形成氮化钛层；以及在第二温度下沉积第二钛层，所述第二钛层覆盖所述氮化钛层，其中，所述第一温度小于所述第二温度。本发明还提供由上述半导体处理工艺制得的半导体器件。
半导体处理工艺元器件

[发明专利]半导体器件及其制备方法-CN202110397427.X在审
发明人： 金玄永;边大一;徐康元;高建峰;刘卫兵;杨涛;李俊峰;王文武 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2021-04-13 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制备方法，该半导体器件包括：衬底，所述衬底上形成有栅极沟槽和隔离沟槽；覆盖于所述栅极沟槽与所述隔离沟槽的内表面上并覆盖于所述衬底表面的栅介电层；覆盖于所述栅介电层上方并充满所述栅极沟槽与所述隔离沟槽的导电金属层，所述导电金属层使用包括钨元素和银元素的金属化合物。本发明的半导体器件具有低电阻的埋栅结构。
半导体器件及其制备方法

[发明专利]半导体器件及其制备方法-CN202110397795.4在审
发明人： 金玄永;边大一;徐康元;项金娟;李亭亭;刘青 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2021-04-13 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制备方法，该半导体器件包括：衬底，所述衬底上形成有栅极沟槽和隔离沟槽；覆盖于所述栅极沟槽与所述隔离沟槽的内表面上并覆盖于所述衬底表面的栅介电层；覆盖于所述栅介电层表面的阻挡层；覆盖于所述阻挡层上方并充满所述栅极沟槽与所述隔离沟槽的导电金属层，所述导电金属层使用包括钨元素和银元素的金属化合物。本发明的半导体器件具有低电阻的埋栅结构。
半导体器件及其制备方法

[发明专利]一种半导体结构及其制作方法-CN202110020457.9在审
发明人： 金玄永;郭挑远;徐康元;高建峰;刘卫兵 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2021-01-07 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体结构及其制作方法。一种半导体结构，包括：半导体衬底，所述半导体衬底上形成有多晶硅层；所述多晶硅层表面形成有TixWy层，x、y分别指Ti和W的摩尔比，并且0＜x≤1.5，0＜y≤1.5；所述TixWy层的表面形成有导体金属层。一种半导体结构的制作方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成多晶硅层；在所述多晶硅层表面溅射形成TixWy层，x、y分别指Ti和W的摩尔比，并且0＜x≤1.5，0＜y≤1.5；在所述TixWy层的表面形成导体金属层。本发明采用TixWy材料作为阻挡层进行金属化，解决了金属化工艺难度高、电阻不可靠、热稳定性不足等问题。
一种半导体结构及其制作方法

[发明专利]一种半导体栅极结构及其制备方法-CN202110020527.0在审
发明人： 金玄永;郭挑远;徐康元;高建峰;项金娟;杨涛;李俊峰;王文武 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2021-01-07 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体栅极结构及其制备方法。一种半导体栅极结构，包括：半导体衬底，所述半导体衬底上设有栅极沟槽，所述栅极沟槽内依次沉积有介质层、阻挡层和金属层；其中，所述阻挡层为无定形的金属氮化物。一种半导体栅极结构的制备方法，包括：在半导体衬底上刻蚀栅极沟槽；在所述栅极沟槽的底壁和侧壁沉积介质层；采用ALD或PEALD方法在所述栅极沟槽的底壁和侧壁沉积阻挡层，形成于所述介质层的表面；所述阻挡层为无定形的金属氮化物；然后在所述栅极沟槽内填充金属。本发明采用无定形的金属氮化物作为阻挡层，可以实现阻挡层更薄、占用空间更小，从而为金属填充留出更多的空间以及更自由的工艺余地，降低了金属填充工艺难度。
一种半导体栅极结构及其制备方法

[发明专利]一种电容结构、DRAM及其制造方法-CN202110019371.4在审
发明人： 金玄永;郭挑远;徐康元;高建峰;项金娟;杨涛;李俊峰;王文武 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2021-01-07 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本发明涉及一种电容结构、DRAM及其制造方法。一种电容结构，所述电容为圆筒形结构，包括下电极和上电极，以及隔离所述下电极和所述上电极的电容介质膜；所述下电极和所述上电极中的至少一个包括等离子处理的金属氮化物层，且所述等离子处理的金属氮化物层位于与所述介质膜接触的一侧等离子处理。本发明能改善电极的光滑度、降低电极拉应力，有效降低电容的漏电问题，适宜更微型化尺寸的器件制作。
一种电容结构 dram 及其制造方法

[发明专利]一种半导体器件及其制备方法和存储器件-CN202011625006.X在审
发明人： 金玄永;郭挑远;徐康元;高建峰;白国斌;杨涛;李俊峰;王文武 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，提供形成有导电结构的半导体衬底，半导体衬底上；在导电结构的上方制备与导电结构连接的插塞；在形成了插塞的半导体衬底表面形成浸润层，浸润层为金属间化合物，金属间化合物含有金属线元素、抗电迁移的金属元素以及起粘合作用的金属元素；在浸润层的上方形成包含金属线元素的上金属层；对浸润层和上金属层进行图形化处理，得到连接导电结构的互连线。通过本发明能够形成厚薄均匀的浸润层和上金属层，进而提高了像电迁移、应力迁移等可靠度，保证了半导体产品质量。
一种半导体器件及其制备方法存储器件

[发明专利]一种半导体器件及其制备方法-CN202011561555.5在审
发明人： 金玄永;郭挑远;徐康元;高建峰;白国斌;杨涛;李俊峰;王文武 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-12-25 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L21/62 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制备方法，提供半导体衬底，半导体衬底上形成有支撑层以及在支撑层内形成有电容柱；在支撑层的上方形成图案化的电极板，图案化的电极板包含完全包围电容柱的连接层，以及位于连接层上方的图案化的覆盖层，连接层的部分区域相对于图案化的覆盖层露出。通过在支撑层的上方形成图案化的电极板，而图案化的电极板包含完全包围电容柱的连接层，以及位于连接层上方的覆盖层，且连接层的部分区域相对于覆盖层露出。本发明实施例在降低了工艺难度的同时，仍然避免半导体器件的电容电极出现弯曲、裂纹或者抬升等现象，且可以应用于小尺寸器件的制备。
一种半导体器件及其制备方法

[发明专利]一种制造半导体结构的方法及半导体结构-CN202011455578.8在审
发明人： 金玄永;郭挑远;徐康元;高建峰;刘卫兵;杨涛;李俊峰;王文武 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-12-10 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明实施例提供的一种制造半导体结构的方法及半导体结构，其中的半导体结构，包括：半导体衬底；多晶硅层，位于半导体衬底上；阻挡层，位于多晶硅层上，阻挡层包含导电氧化物层；金属层，形成在阻挡层上。本发明实施例中的阻挡层包含导电氧化物层，该导电氧化物层在工艺加工过程中具有较高的热稳定性和可靠性，易于成膜，并且在成型过程中不需要进行额外的电阻率控制；因此，可解决半导体器件中的金属线结构在制造过程中存在不易成膜或热稳定性差的问题，使得该半导体结构构成的金属线能够较大的改善半导体器件性能的稳定性和可靠性。
一种制造半导体结构方法

[发明专利]一种半导体结构的制备方法及半导体结构-CN202011174094.6在审
发明人： 金玄永;郭挑远;徐康元;高建峰;刘卫兵;孔真真 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-10-28 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构的制备方法及半导体结构，方法包括：提供半导体基底，半导体基底上形成有接触孔；在接触孔的底部形成SiGe层；在SiGe层上方沉积欧姆金属层；在欧姆金属层上方沉积覆盖金属层；对欧姆金属层进行热处理后，去除覆盖金属层；在去除覆盖金属层后的欧姆金属层上方沉积扩散阻挡层及主体金属层；在接触孔的内部预先形成SiGe层，可在接触孔内部形成锗硅化物；由于Ge比Si的电子移动速率快，因此可实现较低的电阻率，确保半导体结构的性能；且在形成金属结构时不需要消耗大量的硅基板，提高锗硅化物的形成位置，确保欧姆接触金属结构与硅基板之间保持浅接面；因减少了硅基板的消耗量，改善锗硅化物的不均匀现象。
一种半导体结构制备方法

[发明专利]一种半导体器件的制备方法及半导体器件-CN202011213203.0在审
发明人： 金玄永;郭挑远;徐康元;高建峰;范正萍;杨涛;王文武;李俊峰 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-11-04 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的制备方法及半导体器件，方法包括：半导体衬底上形成有接触结构，接触结构与电容器电连接；在接触结构的上方形成刻蚀停止层；在刻蚀停止层上方形成牺牲层及支撑层的叠层；牺牲层及支撑层均包括至少一层；在每次形成支撑层后对支撑层进行离子注入，并对离子注入后的支撑层进行退火处理；在最顶面的支撑层上方形成硬掩膜层；向支撑层内注入离子，利用离子碰撞释放Si‑O键之间的应力，去除支撑层的残余膜压力；对支撑层进行退火处理，形成具有高致密性的膜，避免半导体器件的电容电极出现弯曲、裂纹或者抬现象；这样无需调整支撑层的沉积条件，无需缩小支撑层的工序窗，确保制备工艺的稳定性及半导体器件的整体性能。
一种半导体器件制备方法

[发明专利]导电结构及半导体器件-CN201911236824.8有效
发明人： 金玄永;郭逃远;徐康元 -专利权人：夏泰鑫半导体（青岛）有限公司
申请日： 2019-12-05 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本公开的一方面提供一种导电结构，其特征在于，包括：延伸穿过介电层的纵向部件，其包括深宽比超过1的内部导体；布置在所述纵向部件上方的横向部件，其包括在所述纵向部件的所述内部导体上方横向延伸的上部导线；和设置在所述内部导体和所述上部导线之间的中介层，其厚度基本均匀，并横向延伸超过所述纵向部件的平面投影；其中，所述横向部件的上部导线通过所述中介层与所述纵向部件的内部导体电连接。
导电结构半导体器件

1
2
下一页»
尾页
共 30 条