[发明专利]具有改善的热管理的堆叠管芯架构在审
申请号: | 201811502258.6 | 申请日: | 2018-12-10 |
公开(公告)号: | CN110034027A | 公开(公告)日: | 2019-07-19 |
发明(设计)人: | F·艾德;S·科塔里;C·M·杰哈;J·M·斯旺;M·J·贝克尔;S·M·利夫;T·L·索纳尔特;B·K·加布雷希沃特;S·德瓦塞纳提帕蒂;T·盖恩斯;D·A·拉奥拉内 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/56;H01L23/367;H01L25/065 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 林金朝;王英 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本文公开了一种半导体器件,其具有耦合至衬底的半导体管芯。模制化合物包封所述半导体管芯,并且至少一个导热材料区段从与所述半导体管芯相邻处延伸通过所述模制化合物。因而,所述至少一个导热材料区段通过所述模制化合物从所述半导体管芯运送热量。 | ||
搜索关键词: | 半导体管芯 模制化合物 导热材料 半导体器件 堆叠管芯 耦合 热管理 相邻处 包封 衬底 架构 运送 延伸 | ||
【主权项】:
1.一种半导体器件,包括:耦合至衬底的半导体管芯;包封所述半导体管芯的模制化合物;至少一个导热材料区段,其从与所述半导体管芯相邻处延伸通过所述模制化合物,以通过所述模制化合物从所述半导体管芯运送热量。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造