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- [发明专利]一种单晶生长方法及装置-CN201410638863.1在审
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吴晟;吴星;倪代秦
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吴晟;吴星;倪代秦
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2014-11-13
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2015-02-04
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C30B13/10
- 一种单晶生长方法及装置，装置包括加料部、单晶生长部、加热单元和熔料器；开始时,仅有部分籽晶或者部分籽晶和少量预加料全部熔化，在单晶生长部形成熔区，生长单晶的过程中，在熔区的上方以熔液的方式逐步向熔区内添加原料，同时改变加热器与籽晶的相对位置，使熔区相对于籽晶向上移动，直至长成所需尺寸的单晶。本发明由于采用熔液加料，便于分别控制原料熔化和熔液结晶；可以根据结晶需要的最佳条件在很大的范围内自由调整，有利于提高单晶生长速度、改善单晶质量并精确控制单晶成分，还有利于节能。
- 一种生长方法装置
- [实用新型]一种单晶生长装置-CN201420676379.3有效
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吴晟;吴星;倪代秦
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吴晟;吴星;倪代秦
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2014-11-13
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2015-07-15
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C30B13/10
- 一种单晶生长装置，装置包括加料部、单晶生长部、加热单元和熔料器；开始时,仅有部分籽晶或者部分籽晶和少量预加料全部熔化，在单晶生长部形成熔区，生长单晶的过程中，在熔区的上方以熔液的方式逐步向熔区内添加原料，同时改变加热器与籽晶的相对位置，使熔区相对于籽晶向上移动，直至长成所需尺寸的单晶。本实用新型由于采用熔液加料，便于分别控制原料熔化和熔液结晶；可以根据结晶需要的最佳条件在很大的范围内自由调整，有利于提高单晶生长速度、改善单晶质量并精确控制单晶成分，还有利于节能。
- 一种生长装置
- [发明专利]大直径区熔硅单晶制备方法-CN200510013851.0有效
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沈浩平;刘为钢;高福林;高树良;李翔;汪雨田
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天津市环欧半导体材料技术有限公司
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2005-06-15
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2006-01-25
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C30B15/00
- 本发明涉及一种硅单晶制备方法，特别涉及一种用于生产大功率、高电压、大电流半导体器件的大直径区熔硅单晶制备方法。当区熔硅单晶的直径扩肩到Φ110mm～130mm时，发生界面翻转，此时，立即调整区熔单晶炉发生器设定的阳极电压，每隔5～10秒，将阳极电压设定电增加0.1％～0.3％；当区熔硅单晶的直径扩肩到Φ110mm时，将区熔单晶炉编码器控制下轴向下的运动速度设定在2.0～2.4mm/分范围内，其转动速度设定在4～6转/分范围内；在抽空充气过程中，拉晶所需炉膛压力应达3.0bar～3.2bar，当区熔硅单晶的直径扩肩到Φ110mm时开始充入N2，其比例相当于Ar的0.5％－0.6％，此外还对区熔单晶炉的热场系统进行了改进。经本发明制备的区熔硅单晶，各项指标均达到SEMI标准，从而满足了大型水利火力发电工程用大功率、高电压、大电流的电力电子器件领域以及尖端国防领域对大直径区熔硅单晶的需求。
- 直径区熔硅单晶制备方法
- [发明专利]水平区熔生长碲锌镉单晶的装置和方法-CN200610148709.1无效
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袁诗鑫
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袁诗鑫
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2006-12-30
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2008-07-02
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C30B29/48
- 本发明涉及水平区熔生长碲锌镉单晶的装置和方法，该装置包括炉体、石英长晶管、区熔长晶舟和镉源舟：炉体包括镉源炉和由多个依次排列的小炉子组成的水平区熔长晶炉，炉体内放置有内设镉源舟和区熔长晶舟的石英长晶管，区熔长晶舟设有头部缩颈和尾部缩颈，水平区熔生长碲锌镉单晶的方法是先将碲、锌和籽晶放入区熔长晶舟内、镉放入镉源舟内，再将区熔长晶舟和镉源舟放入石英长晶管中封管后，置于水平区熔炉体中加热合成碲锌镉锭条，经区熔提纯的碲锌镉锭条纯度提高后再由籽晶引导生长出碲锌镉单晶采用本发明的装置和方法生产碲锌镉单晶成品率高、纯度高，生长出的碲锌镉单晶完全符合应用要求。
- 水平生长碲锌镉单晶装置方法
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