[发明专利]一种优化型大直径区熔硅单晶收尾方法有效
| 申请号： | 201811565908.1 | 申请日： | 2018-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN109440183B | 公开（公告）日： | 2020-11-13 |
| 发明（设计）人： | 刘琨;刘凯;王遵义;郝大维;涂颂昊;孙健;王彦君 | 申请（专利权）人： | 天津中环领先材料技术有限公司 |
| 主分类号： | C30B13/30 | 分类号： | C30B13/30;C30B29/06 |
| 代理公司： | 天津滨海科纬知识产权代理有限公司 12211 | 代理人： | 刘莹 |
| 地址： | 300384 天津市滨海新区*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种优化型大直径区熔硅单晶收尾方法，包括：S1、根据单晶规格，多晶料剩余长度到达设定阈值时，打开收尾程序；S2、当单晶直径收细到201mm后，更改单晶下速和多晶上速、以及功率，单晶直径逐渐从201mm收细至198mm，单晶熔体与多晶硅熔体液面逐渐脱离；S3、单晶熔体与多晶硅熔体液面脱离后，功率设定值保持不变，对单晶下速和多晶上速进行调节；S4、到达设定时间后，进行降温，单晶下速和多晶上速与步骤S3中的速度相同，降温时间到达设定值后，关闭系统，拆取单晶。本发明所述的优化型大直径区熔硅单晶收尾方法实现大直径区熔单晶收尾的高效稳定操作，减少质量损失，是大直径区熔硅单晶规模生产技术领域需要改进的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 优化 直径 区熔硅单晶 收尾 方法 | ||
【主权项】：
1.一种优化型大直径区熔硅单晶收尾方法，其特征在于，包括：S1、根据单晶规格，多晶料剩余长度到达设定阈值时，打开收尾程序，对单晶下速和多晶上速、以及功率进行调节，使单晶直径逐渐从205mm收细到201mm；S2、当单晶直径收细到201mm后，更改单晶下速和多晶上速、以及功率，单晶直径逐渐从201mm收细至198mm，单晶熔体与多晶硅熔体液面逐渐脱离；S3、单晶熔体与多晶硅熔体液面脱离后，功率设定值保持不变，对单晶下速和多晶上速进行调节；S4、到达设定时间后，进行降温，单晶下速和多晶上速与步骤S3中的速度相同，降温时间到达设定值后，关闭系统，拆取单晶。
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