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- [发明专利]多高度鳍式场效应管基体制备方法-CN201510435407.1在审
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黄秋铭
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上海华力集成电路制造有限公司
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2015-07-22
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2015-12-02
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H01L21/336
- 一种多高度鳍式场效应管基体制备方法，包括：提供半导体基体，在基体上掺杂外延生长半导体外延层；图案化蚀刻部分地去除半导体外延层；形成氧化物层以覆盖半导体基体；在氧化物层上覆盖图案化掩膜层；利用图案化掩膜层来第一次蚀刻氧化物层，并且在半导体外延层处停止所述第一次蚀刻；以图案化掩膜层和残留的氧化物层为掩膜，蚀刻留下的部分半导体外延层，仅留下第一掩膜图案下方的外延层部分，使得刻蚀停止于半导体基体；利用图案化掩膜层来第二次蚀刻残留的氧化物层；以图案化掩膜层为遮掩，蚀刻半导体基体，从而分别形成第一半导体基体鳍部和第二半导体基体鳍部；去图案化掩膜层和剩余的氧化物层，从而形成多高度鳍式场效应管基体结构。
- 高度场效应基体制备方法
- [发明专利]一种制作半导体器件的方法-CN201310237598.1有效
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韩秋华
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中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
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2013-06-17
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2017-05-10
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H01L21/768
- 本发明公开了一种制作半导体器件的方法，包括提供半导体衬底；在所述半导体衬底上依次形成刻蚀停止层、超低k介电层、低k过渡层、氧化物硬掩膜层和金属硬掩膜层；图案化所述金属硬掩膜层，以在所述金属硬掩膜层中形成开口；在所述开口的底部和侧壁以及所述金属硬掩膜层上形成氧化物保护层；在所述氧化物保护层上形成图案化的光刻胶层；根据所述图案化的光刻胶层依次刻蚀所述氧化物保护层、所述氧化物硬掩膜层、所述低k过渡层和所述超低k根据本发明的制造工艺可以解决图案化工艺失效的问题，以避免在刻蚀形成的沟槽的底部低k过渡层上形成氮化硅层，以保证后续的一体化刻蚀工艺顺利进行。
- 一种制作半导体器件方法
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