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[发明专利]肖特基势垒制作方法及肖特基势垒-CN201410758156.6在审
发明人：姜硕;唐冬 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十七研究所
申请日： 2014-12-10 - 公布日： 2015-03-04 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种肖特基势垒制作方法，该方法包括如下步骤a.在硅片上形成低势垒金属层；b.在低势垒金属层上形成包覆所述低势垒金属层的电极金属层，形成硅片-低势垒金属-电极金属层结构；c.对所述硅片-低势垒金属-电极金属层结构进行热处理。本发明还公开了一种肖特基势垒。根据本发明的肖特基势垒制作方法和肖特基势垒利用外部的电极金属层对内部的低势垒金属层形成保护，防止低势垒金属层氧化而引起势垒参数不稳定的问题。另外，形成势垒的同时，电极金属层也同时形成，制作肖特基产品时不需要后续进行正面电极金属淀积处理。
肖特基势垒制作方法

[实用新型]肖特基势垒-CN201420778129.0有效
发明人：姜硕;唐冬 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十七研究所
申请日： 2014-12-10 - 公布日： 2015-05-13 - 主分类号： H01L29/47 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种肖特基势垒，包括硅片、低势垒金属层及电极金属层，所述低势垒金属层蒸镀在所述硅片上，所述电极金属层蒸镀在所述低势垒金属层上并包覆所述低势垒金属层。根据本实用新型的肖特基势垒利用外部的电极金属层对内部的低势垒金属层形成保护，防止对势垒的热处理过程中低势垒金属层被氧化而引起势垒参数不稳定的问题。形成势垒的同时，电极金属层也同时形成，制作肖特基产品时不需要后续进行正面电极金属淀积的处理。
肖特基势垒

[实用新型]一种掺杂的肖特基势垒器件-CN201420442005.5有效
发明人：洪旭峰 -专利权人：上海芯石微电子有限公司
申请日： 2014-08-07 - 公布日： 2015-06-03 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种掺杂的肖特基势垒器件；该肖特基势垒器件的势垒层是采用了掺杂磷的金属硅化物(P-MSi)作为肖特基势垒层，而传统的肖特基势垒器件的势垒层是无掺杂的金属硅化物(M-Si)作为肖特基势垒层，掺杂磷的金属硅化物势垒层（P-MSi）较传统的无掺杂的金属硅化物(M-Si)势垒层，具有低的势垒高度，因此采用掺杂磷的金属硅化物(P-MSi)作为肖特基势垒层的肖特基器件较传统的肖特基势垒器件，同等面积下
一种掺杂肖特基势垒器件

[实用新型]一种双P-GaN栅氮化镓增强型器件-CN202220591131.1有效
发明人：余丽波;邓颖婷;郑崇芝 -专利权人：成都智达和创信息科技有限公司
申请日： 2022-03-18 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种双P‑GaN栅氮化镓增强型器件，从下到上依次包括GaN沟道层和AlGaN势垒层，在所述AlGaN势垒层的顶部设有P‑GaN势垒层Ⅰ和P‑GaN势垒层Ⅱ，且P‑GaN势垒层Ⅰ和P‑GaN势垒层Ⅱ之间具有间距，在所述AlGaN势垒层的顶部一端淀积有源极金属，另一端淀积有漏极金属；所述P‑GaN势垒层Ⅰ的顶部淀积有栅极金属Ⅰ，所述P‑GaN势垒层Ⅱ的顶部淀积有栅极金属Ⅱ，所述的GaN沟道层和所述的AlGaN势垒层形成二维电子气，所述的P‑GaN势垒层Ⅰ、栅极金属Ⅰ、P‑GaN势垒层Ⅱ和栅极金属Ⅱ共同构成双P‑GaN栅结构；本实用新型不仅拥有相对传统GaN HEMT器件更低的栅电容，同时提高了耐压
一种 gan 氮化增强器件

[发明专利]势垒调制晶体管-CN202210757082.9在审
发明人： T.哈夫达拉;D.利维;D.本-巴萨特;M.泽哈维;B.R.冈伯格 -专利权人：太阳能安吉科技有限公司
申请日： 2022-06-29 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：晶体管包括半导体衬底和形成肖特基势垒的势垒金属层。一个或多个绝缘栅极可以位于肖特基势垒的边缘的附近。通过在半导体衬底和势垒金属之间施加反向偏置电压，并且在一个或多个绝缘栅极和势垒金属之间施加栅极电压，可以将反向偏置电流增加到反向偏置导电状态。当栅极电压足够时，晶体管可以在半导体衬底和势垒金属之间传导电流。例如，可以将电压施加到n型衬底和绝缘栅极(都相对于势垒金属)，并且电流可以从半导体衬底流到势垒金属。
调制晶体管

[发明专利]一种低势垒肖特基二极管及其制备方法-CN201711336861.7在审
发明人：倪炜江;张敬伟;袁俊 -专利权人：北京世纪金光半导体有限公司
申请日： 2017-12-14 - 公布日： 2018-05-22 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明公开了一种低势垒肖特基二极管及其制备方法，该肖特基二极管的肖特基势垒金属包括上下两层金属，其中下层金属为把高势垒金属的纳米级颗粒均匀的掺入低势垒金属中的合金，上层金属为低势垒金属；肖特基二极管的有源区势垒调制层的掺杂浓度高于沟道层本申请中的肖特基接触的外延层表面形成高掺杂层，并且用高低不同势垒两种金属的合金形成一薄层的肖特基接触层，最终根据以上两个因素增加了半导体表面的最高电场，根据镜像力原理对肖特基接触的势垒高度进一步降低，形成比单一金属的势垒更低的肖特基二极管
一种低势垒肖特基二极管及其制备方法

[发明专利]一种肖特基势垒接触的超势垒整流器及其制造方法-CN201710052574.7在审
发明人：陈文锁;张培健;钟怡;刘建 -专利权人：重庆中科渝芯电子有限公司;中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2017-01-24 - 公布日： 2018-04-20 - 主分类号： H01L29/812 文献下载
摘要：本发明公开了一种肖特基势垒接触的超势垒整流器及其制造方法。所述肖特基势垒接触的超势垒整流器包括重掺杂第一导电类型衬底层、轻掺杂第一导电类型外延层、第二导电类型体区、栅介质层、栅电极层、肖特基势垒接触区、上电极金属层和下电极金属层。所述肖特基势垒接触的超势垒整流器属于超势垒整流器类型，其可调节的肖特基势垒接触区可以采用常规肖特基势垒的制造工艺形成，能够依据具体应用条件方便的调节反向漏电水平和正向导通能力之间的匹配关系。从而该肖特基势垒接触的超势垒整流器具有制造工艺简单和方便应用的优点。
一种肖特基势垒接触超势垒整流器及其制造方法

[实用新型]一种肖特基势垒接触的超势垒整流器-CN201720104249.6有效
发明人：陈文锁;张培健;钟怡;刘建 -专利权人：重庆中科渝芯电子有限公司;中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2017-01-24 - 公布日： 2017-10-20 - 主分类号： H01L29/812 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种肖特基势垒接触的超势垒整流器。所述肖特基势垒接触的超势垒整流器包括重掺杂第一导电类型衬底层、轻掺杂第一导电类型外延层、第二导电类型体区、栅介质层、栅电极层、肖特基势垒接触区、上电极金属层和下电极金属层。所述肖特基势垒接触的超势垒整流器属于超势垒整流器类型，其可调节的肖特基势垒接触区可以采用常规肖特基势垒的制造工艺形成，能够依据具体应用条件方便的调节反向漏电水平和正向导通能力之间的匹配关系。从而该肖特基势垒接触的超势垒整流器具有制造工艺简单和方便应用的优点。
一种肖特基势垒接触超势垒整流器

[发明专利]氮化镓基高电子迁移率晶体管的栅电极-CN201510413172.6有效
发明人：曾畅;黄云;王远声;廖雪阳;李汝冠;来萍;苏伟;陈义强;恩云飞 -专利权人：工业和信息化部电子第五研究所
申请日： 2015-07-14 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及一种氮化镓基高电子迁移率晶体管的栅电极，包括依次连接的氮化镓层、势垒层、势垒金属层、栅帽金属层，以及设于所述势垒金属层和所述栅帽金属层之间的应力缓冲层；所述应力缓冲层包括缓冲金属层，所述缓冲金属层的热膨胀系数与所述势垒层以及势垒金属层的热膨胀系数相差在预设范围内本发明充分考虑热失配对GaN基HEMT的影响，在GaN基HEMT栅电极势垒金属层和栅帽金属层间插入应力缓冲层，应力缓冲层在选材时应注重其热学特性参数，使应力缓冲层能够承受热失配导致的张应力，从而大幅度降低势垒层和势垒金属层中的张应力
氮化镓基高电子迁移率晶体管电极

[实用新型]一种高击穿电压的GaN HEMT元件-CN202121263465.8有效
发明人：李炘 -专利权人：欧跃半导体（西安）有限公司
申请日： 2021-06-07 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高击穿电压的GaN HEMT元件，包括设置在衬底上的成核层；成核层的上方设有缓冲层，缓冲层的上方设有背部势垒层；背部势垒层上设有经刻蚀形成的背部势垒区，背部势垒区包括多个背部势垒块背部势垒区上方依次设有沟道层和势垒层；势垒层的两端均设有欧姆接触窗口，欧姆接触窗口内设有多层电极；势垒层上还设有栅极金属接触窗口，栅极金属接触窗口内设有栅极肖特基接触；多层电极和栅极肖特基接触之间设有钝化层。本实用新型通过将背部势垒区分割，形成多个背部势垒区，多个背部势垒区通过自发极化产生若干电场峰值，大大提升产品成品率。
一种击穿电压 gan hemt 元件

[发明专利]具有高热稳定性的AlGaN/GaN HEMT制造法-CN201310099827.8有效
发明人：任春江;陈堂胜 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2013-03-27 - 公布日： 2013-07-24 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明是一种具有高热稳定性的AlGaN/GaNHEMT制造方法，其特征是AlGaN/GaNHEMT的栅电极采用了肖特基栅结构，其肖特基栅电极由势垒金属层和栅帽金属层构成，其中势垒金属层从势垒层表面开始依次由WN金属层和W金属层构成，栅帽金属层包括Ti/Pt/Au/Ti、Ti/Pt/Au/Pt/Ti和Ti/Pt/Au/Ni多层金属体系；栅电极还采用凹槽栅形式的肖特基栅结构，其肖特基栅电极同样由势垒金属层和栅帽金属层构成，其不同点在于与势垒金属层接触的势垒层的部分被去除后在势垒层中形成了一个凹槽。
具有高热稳定性 algan gan hemt 制造

[发明专利]一种具有钛钨层的肖特基势垒二极管及其制造方法-CN202211079155.X在审
发明人：杨敏红;刘韵吉;单慧 -专利权人：桑德斯微电子器件（南京）有限公司
申请日： 2022-09-05 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：一种肖特基势垒二极管及制备方法，二极管结构是，在肖特基势垒硅化物和正面金属之间有一层钛钨层；具体的二极管构造是：从上到下依次为正面金属，钛钨层，肖特基势垒层，n‑外延层，衬底层，背面金属；肖特基势垒位于n‑外延层和钛钨层之间；钛钨层下面肖特基势垒层周围还设有氧化层。肖特基势垒层，n‑外延层，衬底层制备完成后溅射钛钨：用磁控溅射仪溅射钛钨层，钛钨厚度在0.1um‑0.3um，用于保护肖特基势垒，再制备正面金属电极。
一种具有钛钨层肖特基势垒二极管及其制造方法

[发明专利]肖特基二极管芯片、器件及芯片复合势垒的制备方法-CN201310697224.8有效
发明人：陈守迎;张聪;董军;单维刚;杨晓亮;沈中堂;宋迎新 -专利权人：济南市半导体元件实验所
申请日： 2013-12-18 - 公布日： 2017-03-29 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种肖特基二极管芯片、器件及芯片复合势垒的制备方法，芯片包括N型硅半导体衬底，半导体衬底的正面设有NiPtSi势垒层，所述势垒层与半导体衬底直接接触，形成NiPtSi‑Si势垒。本发明方法简易、成本低、实用有效，采用NiPt合金作为肖特基势垒金属,形成复合金属硅化物—硅接触势垒（NiPtSi‑Si），所得芯片和器件克服了单一金属势垒正向压降与反向漏电的矛盾，反向漏电和正向压均很低
肖特基二极管芯片器件复合制备方法

[发明专利]一种离子掺杂的宽禁带半导体忆阻器及其制备方法-CN201910751262.4有效
发明人：薛堪豪;李立恒;李祎;缪向水 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2019-08-15 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种离子掺杂的宽禁带半导体忆阻器及其制备方法，忆阻器由上电极、势垒调制层、离子掺杂层及下电极构成，势垒调制层采用宽禁带半导体，离子掺杂层为包含碱金属或碱土金属离子的功能层，忆阻器通过调控离子掺杂层中碱金属或碱土金属离子迁移至势垒调制层的浓度，改变上电极与势垒调制层之间的肖特基势垒，实现低能耗、大范围的阻值连续调节。其本质是一种具有界面势垒调节机制的多值存储忆阻器，工作原理为：离子迁移入该层，在宽禁带半导体中引入杂质能级，降低界面的肖特基势垒和宽禁带半导体电阻率，实现忆阻器件的阻值变化；通过控制迁移至势垒调制层中的离子浓度，调节肖特基势垒逐渐变化，使器件展现出阻值连续线型变化。
一种离子掺杂宽禁带半导体忆阻器及其制备方法

[发明专利]具有肖特基金属结的半导体装置及其制作方法-CN201911171044.X在审
发明人：单亚东;谢刚;胡丹;李武华 -专利权人：广微集成技术（深圳）有限公司
申请日： 2019-11-26 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有肖特基金属结的半导体装置及其制作方法，所述半导体装置包括衬底以及形成于衬底表面的外延层，所述外延层上设有多个沟槽，每一沟槽内填充有多晶硅，且所述多晶硅与沟槽之间形成有栅氧化层，该多晶硅上表面形成有第一金属层，所述外延层与多晶硅相邻的上表面处形成有第二金属层，且该外延层上表面还形成有所述第一金属层，所述第二金属层和外延层形成的肖特基势垒与第一金属层和外延层形成的肖特基势垒大小不同。本发明采用两种不同的势垒金属作为肖特基接触，器件反向阻挡时，利用高势垒的肖特基金属对低势垒肖特基金属的电场屏蔽作用降低肖特基势垒电流，器件正向导通时，器件因低势垒肖特基金属具有较低的导通压降。
具有基金半导体装置及其制作方法

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