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[实用新型]一种高电压高温老炼工装-CN202220859311.3有效
发明人：余丽波;赵旭;姚洪梅 -专利权人： 成都智达和创信息科技有限公司
申请日： 2022-04-14 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高电压高温老炼工装，用于对晶闸管或高压释能模块进行批量化老炼，包括M×N个测试座和M+N个控制开关，其中，M为横向数量，N为纵向数量；同一列的N个所述测试座的HV端连接在一起并通过一个控制开关连接到高压电源输出正端；同一行的M个所述测试座的GND端连接在一起并通过一个控制开关连接到高压电源输出负端；本实用新型公开的老炼工装结构简单、操作便捷，可对产品进行批量化高电压、高温老炼，同时采用单台高压电源进行供电，节约成本；通过对行控制开关以及列控制开关的顺序控制，可快速定位漏电流过大的瑕疵器件，提高效率。
一种电压高温工装

[实用新型]一种消除电压折回现象的逆导型IGBT-CN202221049368.3有效
发明人：刘超;余丽波;孙瑞泽 -专利权人： 成都智达和创信息科技有限公司
申请日： 2022-05-05 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种消除电压折回现象的逆导型IGBT，包括半元胞结构，半元胞结构包括集电极结构、耐压层结构发射极结构和栅极结构；集电极结构位于耐压层结构的其中一端，发射极结构和栅极结构位于耐压层结构另一端的两侧；其中集电极结构包括P+集电极区、N+集电极区和N型缓冲层、P+导电材料、集电极金属、N型导电材料和浮空金属；N型缓冲层的其中一侧连接在耐压层结构上，P+集电极区和N+集电极区的其中一侧分别连接在N型缓冲层的另一侧，且P+集电极区和N+集电极区之间具有间隙，P+集电极区的另一侧具有集电极金属；本实用新型在常规逆导型IGBT结构的基础上通过对集电极结构的优化及改进，消除了snapback现象，并且反向导通电流更加均匀。
一种消除电压折回现象逆导型 igbt

[实用新型]一种双P-GaN栅氮化镓增强型器件-CN202220591131.1有效
发明人：余丽波;邓颖婷;郑崇芝 -专利权人： 成都智达和创信息科技有限公司
申请日： 2022-03-18 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种双P‑GaN栅氮化镓增强型器件，从下到上依次包括GaN沟道层和AlGaN势垒层，在所述AlGaN势垒层的顶部设有P‑GaN势垒层Ⅰ和P‑GaN势垒层Ⅱ，且P‑GaN势垒层Ⅰ和P‑GaN势垒层Ⅱ之间具有间距，在所述AlGaN势垒层的顶部一端淀积有源极金属，另一端淀积有漏极金属；所述P‑GaN势垒层Ⅰ的顶部淀积有栅极金属Ⅰ，所述P‑GaN势垒层Ⅱ的顶部淀积有栅极金属Ⅱ，所述的GaN沟道层和所述的AlGaN势垒层形成二维电子气，所述的P‑GaN势垒层Ⅰ、栅极金属Ⅰ、P‑GaN势垒层Ⅱ和栅极金属Ⅱ共同构成双P‑GaN栅结构；本实用新型不仅拥有相对传统GaN HEMT器件更低的栅电容，同时提高了耐压，提升了器件在高压条件下工作时的可靠性。
一种 gan 氮化增强器件

[实用新型]一种反向电流分布均匀的逆导型IGBT-CN202221049722.2有效
发明人：孙瑞泽;余丽波;刘超 -专利权人： 成都智达和创信息科技有限公司
申请日： 2022-05-05 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种反向电流分布均匀的逆导型IGBT，包括半元胞结构，半元胞结构包括集电极结构、耐压层结构发射极结构和栅极结构；集电极结构位于耐压层结构的其中一端，发射极结构和栅极结构位于耐压层结构另一端的两侧；其中集电极结构包括P+集电极区、N+集电极区和N型缓冲层、P型导电材料、集电极金属、浮空金属；集电极金属连接在P+集电极区并引出集电极，浮空金属连接在N+集电极区，且集电极金属与浮空金属之间不接触；本实用新型在常规逆导型IGBT结构的基础上通过对集电极结构的优化及改进，利用在集电极侧引入的P型肖特基二极管来消除电压折回现象，因此使得P+集电极区与N+集电极区的长度比值可以较小，保证器件在反向导通时电流更均匀。
一种反向电流分布均匀逆导型 igbt

[发明专利]一种QCL加速寿命的评估方法-CN202210376928.4在审
发明人：赵旭;姚洪梅;王希政;胡彬;李强 -专利权人： 成都智达和创信息科技有限公司
申请日： 2022-04-12 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明公开一种QCL加速寿命的评估方法，该方法基于温度应力的加速寿命评估，包括如下步骤：S1：对QCL进行摸底试验或强化试验，确定所述温度应力的破坏极限值以及所述述温度应力的安全加速范围；S2：以QCL的温度应力破坏极限值、规范规定的最高温度应力值对QCL和温度应力的安全加速范围进行加速寿命试验，并构建加速实验模型；S3：在加速实验的基础上构建似然函数，通过数据迭代等方式，计算出不同应力水平下的加速因子，评估QCL的可靠工作寿命；本发明将QCL产品工作寿命和加速寿命试验的理论结合起来，设计QCL产品加速寿命试验方案，采用极大似然法，计算出产品的激活能和各应力水平下的加速因子，为QCL工作贮存寿命方案设计与数据评估奠定基础。
一种 qcl 加速寿命评估方法

[发明专利]一种消除电压折回现象的逆导型IGBT-CN202210480121.5在审
发明人：刘超;余丽波;孙瑞泽 -专利权人： 成都智达和创信息科技有限公司
申请日： 2022-05-05 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本发明公开了一种消除电压折回现象的逆导型IGBT，包括半元胞结构，半元胞结构包括集电极结构、耐压层结构发射极结构和栅极结构；集电极结构位于耐压层结构的其中一端，发射极结构和栅极结构位于耐压层结构另一端的两侧；其中集电极结构包括P+集电极区、N+集电极区和N型缓冲层、P+导电材料、集电极金属、N型导电材料和浮空金属；N型缓冲层的其中一侧连接在耐压层结构上，P+集电极区和N+集电极区的其中一侧分别连接在N型缓冲层的另一侧，且P+集电极区和N+集电极区之间具有间隙，P+集电极区的另一侧具有集电极金属；本发明在常规逆导型IGBT结构的基础上通过对集电极结构的优化及改进，消除了snapback现象，并且反向导通电流更加均匀。
一种消除电压折回现象逆导型 igbt

[发明专利]一种反向电流分布均匀的逆导型IGBT-CN202210480122.X在审
发明人：孙瑞泽;余丽波;刘超 -专利权人： 成都智达和创信息科技有限公司
申请日： 2022-05-05 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本发明公开了一种反向电流分布均匀的逆导型IGBT，包括半元胞结构，半元胞结构包括集电极结构、耐压层结构发射极结构和栅极结构；集电极结构位于耐压层结构的其中一端，发射极结构和栅极结构位于耐压层结构另一端的两侧；其中集电极结构包括P+集电极区、N+集电极区和N型缓冲层、P型导电材料、集电极金属、浮空金属；集电极金属连接在P+集电极区并引出集电极，浮空金属连接在N+集电极区，且集电极金属与浮空金属之间不接触；本发明在常规逆导型IGBT结构的基础上通过对集电极结构的优化及改进，利用在集电极侧引入的P型肖特基二极管来消除电压折回现象，因此使得P+集电极区与N+集电极区的长度比值可以较小，保证器件在反向导通时电流更均匀。
一种反向电流分布均匀逆导型 igbt

[实用新型]具有混合高k介质场板的横向氮化镓肖特基二极管结构-CN202220590994.7有效
发明人：余丽波;邓颖婷;郑崇芝 -专利权人： 成都智达和创信息科技有限公司
申请日： 2022-03-18 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本实用新型公开了具有混合高k介质场板的横向氮化镓肖特基二极管结构，基于GaN‑on‑Si外延片，GaN‑on‑Si外延片具有GaN沟道层和钝化层，且钝化层位于GaN沟道层的上方，其特征在于，在钝化层的顶部设有高K介质层，在GaN‑on‑Si外延片的顶部一侧设有阳极肖特基金属电极，另一侧设有阴极欧姆金属电极，所述的阳极肖特基金属电极底部延伸至GaN沟道层中，所述的阳极肖特基金属电极向所述的阴极欧姆金属电极所在方向延伸构成金属场板，所述的金属场板与所述的高K介质层和SiN钝化层共同构成混合高K介质场板；本实用新型不仅具有肖特基势垒二极管的低开启电压和低导通电阻的优势，同时能够提高反向击穿电压，降低反向泄漏电流。
具有混合介质横向氮化镓肖特基二极管结构

[实用新型]一种N-MOS控制功率器件终端结构-CN202220281718.2有效
发明人：余丽波 -专利权人： 成都智达和创信息科技有限公司
申请日： 2022-02-11 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开一种N‑MOS控制功率器件终端结构，包括依次连接的漏极结构、耐压层结构以及源极结构，耐压层结构包括超结耐压层；漏极结构的上表面布置p型埋层，p型埋层接触超结耐压层的n型漂移区。本实用新型能够改善器件的反向恢复特性及电场分布。
一种 mos 控制功率器件终端结构

[发明专利]具有混合高k介质场板的横向氮化镓肖特基二极管结构-CN202210267330.1在审
发明人：余丽波;邓颖婷;郑崇芝 -专利权人： 成都智达和创信息科技有限公司
申请日： 2022-03-18 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本发明公开了具有混合高k介质场板的横向氮化镓肖特基二极管结构，基于GaN‑on‑Si外延片，GaN‑on‑Si外延片具有GaN沟道层和钝化层，且钝化层位于GaN沟道层的上方，其特征在于，在钝化层的顶部设有高K介质层，在GaN‑on‑Si外延片的顶部一侧设有阳极肖特基金属电极，另一侧设有阴极欧姆金属电极，所述的阳极肖特基金属电极底部延伸至GaN沟道层中，所述的阳极肖特基金属电极向所述的阴极欧姆金属电极所在方向延伸构成金属场板，所述的金属场板与所述的高K介质层和SiN钝化层共同构成混合高K介质场板；本发明不仅具有肖特基势垒二极管的低开启电压和低导通电阻的优势，同时能够提高反向击穿电压，降低反向泄漏电流。
具有混合介质横向氮化镓肖特基二极管结构

[实用新型]一种多光谱收发集成传感器及非接触式无损血糖仪-CN201921832372.5有效
发明人：王希政;赵旭 -专利权人： 成都智达和创信息科技有限公司
申请日： 2019-10-29 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： A61B5/1455 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多光谱收发集成传感器及非接触式无损血糖仪，该传感器包括基板、均置于基板上的发射模块、探测模块和读出电路，所述发射模块包括包括多种不同波长范围的光源；所述探测模块包括多种可响应不同波长范围的探测器。发射模块和探测模块均采用多个，光源的波长范围和探测器响应的波长范围均有多种，通过多点检测，为后续血糖计算提供多组数据，大大提高血糖检测的精度，其可直接为医疗提供数据。
一种光谱收发集成传感器接触无损血糖仪

[发明专利]一种多光谱收发集成传感器及非接触式无损血糖仪-CN201911036796.5在审
发明人：王希政;赵旭 -专利权人： 成都智达和创信息科技有限公司
申请日： 2019-10-29 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： A61B5/1455 文献下载
摘要：本发明公开了一种多光谱收发集成传感器及非接触式无损血糖仪，该传感器包括基板、均置于基板上的发射模块、探测模块和读出电路，所述发射模块包括包括多种不同波长范围的光源；所述探测模块包括多种可响应不同波长范围的探测器。发射模块和探测模块均采用多个，光源的波长范围和探测器响应的波长范围均有多种，通过多点检测，为后续血糖计算提供多组数据，大大提高血糖检测的精度，其可直接为医疗提供数据。
波长发射模块探测模块基板光源集成传感器探测器响应读出电路多点检测多组数据非接触式血糖检测多光谱血糖仪传感器探测器无损血糖收发响应医疗

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