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[发明专利]一种SiC Mosfet阈值电压监测系统及方法-CN202211491759.5在审
发明人：江雪晨;明志茂;陆裕东;毛景雄;李汝冠;岳龙;杨晓玲 -专利权人：广电计量检测集团股份有限公司;广电计量检测（深圳）有限公司;广州广电计量检测（上海）有限公司
申请日： 2022-11-25 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明提供了一种SiC Mosfet阈值电压监测系统及方法，属于SiC Mosfet阈值电压监测技术领域。本发明中控制器与驱动模块和开关模块分别连接；驱动模块与开关模块连接；开关模块与测试回路连接；测试回路与阈值电压采集模块连接；控制器控制驱动模块，通过驱动模块使开关模块动作，开关模块的动作使测试回路在测试脉冲预处理电路与阈值电压检测电路间进行切换。本发明考虑了恢复效应，在测试脉冲前施加预处理脉冲，使得测量的阈值电压更准确，实现了测试脉冲预处理电路及阈值电压测试回路间的快速切换，由控制器控制脉冲宽度和上电间隔时间，精度可控，满足测试要求。
一种 sic mosfet 阈值电压监测系统方法

[发明专利]一种在线监测结温的方法及电路-CN202211491727.5在审
发明人：江雪晨;明志茂;杨静;陆裕东;李汝冠;岳龙;李博然 -专利权人：广州广电计量检测股份有限公司;广电计量检测（深圳）有限公司;广州广电计量检测（上海）有限公司
申请日： 2022-11-25 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： G01K7/01 文献下载
摘要：本发明提供了一种在线监测结温的方法及电路，属于Mosfet的HTRB试验技术领域。包括高压偏置阻断电路和监测回路；通过多个开关闭合，控制高压偏置阻断电路和监测回路分别导通；高压偏置阻断电路导通时，切断待测Mosfet上的高压偏置后在百微秒以内导通监测回路，引入测试电流，进行结温监测。本发明填补了市场上HTRB试验中结温在线测试技术的空白；保证了结温提取的准确性；可以实现在高压偏置切除1ms内，安全监测样品结温，确保测试结温的时效性，将器件的高压偏置隔离掉，只探测测试电流流过器件时的数百毫伏压降，确保了结温提取的准确性。
一种在线监测方法电路

[发明专利]一种低频噪声测试装置及方法-CN202010524930.2有效
发明人：岳龙;陆裕东;刘远;李汝冠;江雪晨;明志茂 -专利权人：广州广电计量检测股份有限公司
申请日： 2020-06-10 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： G01R29/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种低频噪声测试装置及方法，所述装置包括：待测器件模块，用于在给待测器件提供外部的偏置电压使其工作与设定状态后，将待测器件需关注的噪声信号引入；第一器件噪声测量通路，用于将所述待测器件模块输出的第一路小信号噪声放大和数字化采样以得到第一路数字噪声信号；第二器件噪声测量通路，用于将所述待测器件模块输出的第二路小信号噪声放大和数字化采样以得到第二路数字噪声信号；电源噪声提取通路，用于将供电电源的噪声提取出来并数字化以得到供电电源的数字噪声信号；频谱重建模块，用于根据三路获得的采样数据，计算输入信号的频率谱密度，以得到被测器件的低频噪声中关注的频率谱。
一种低频噪声测试装置方法

[发明专利]一种多通道相关的低频噪声测试装置及分析方法-CN202110494459.1有效
发明人：岳龙;明志茂;陆裕东;刘远;李汝冠;江雪晨;毛景雄 -专利权人：广州广电计量检测股份有限公司
申请日： 2021-05-07 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： G01R29/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种多通道相关的低频噪声测试装置及分析方法，所述测试装置包括：待测器件模块，用于为待测器件提供外部的偏置电压，引入待测器件需要关注的噪声信号并输出；第一路噪声测试通路，用于将所述待测器件模块输出的第一路小信号噪声放大和数字化采样以得到第一路数字噪声信号；第二路噪声测试通路，用于将所述待测器件模块输出的第二路小信号噪声放大和数字化采样以得到第二路数字噪声信号；频谱分析模块，用于根据采样后的两路数据，对每个通路分别计算各通道的噪声谱情况，然后再进行两个通路之间的相关性分析或进行噪声消除。
一种通道相关低频噪声测试装置分析方法

[发明专利]一种低频噪声分析系统及方法-CN202010556336.1有效
发明人：岳龙;刘远;明志茂;陆裕东;李汝冠;江雪晨 -专利权人：广州广电计量检测股份有限公司
申请日： 2020-06-17 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： G01H17/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种低频噪声分析系统及方法，所述系统包括：待测器件模块，用于在给器件提供外部的偏置电压使其工作与设定状态后，将待测器件需要关注的噪声信号引入；低噪声放大器模块，用于将所述待测器件模块输出的小信号噪声放大；可调增益放大模块，用于依据待测器件输出的信号幅度大小选择信号增益将放大后的噪声信号进行再次放大输出模拟噪声信号；低频采样模块，用于对所述可调增益放大模块输出的模拟噪声信号进行采样，将模拟噪声信号转化为数字噪声信号；噪声处理模块，用于将所述低频采样模块输出的数字噪声信号进行噪声建模和神经网络分析。
一种低频噪声分析系统方法

[发明专利]重复雪崩耐量测试系统-CN202011541449.0在审
发明人：明志茂;江雪晨;陆裕东;李汝冠;岳龙;赵可沦 -专利权人：广州广电计量检测（上海）有限公司
申请日： 2020-12-23 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本申请涉及一种重复雪崩耐量测试系统，在对待测器件进行重复雪崩耐量测试时，能够获取重复雪崩耐量测试的相关设定参数以及测试环境参数进行分析，得到在当前设定参数下待测器件的结温参数。之后将结温参数与预设结温阈值进行比较分析，根据比较分析结果判断设定参数是否合理，也即根据比较分析结果输出对应的设定参数合理的信息或调整设定参数的提示信息，最终在接收到开始测试信息时控制脉冲发生装置产生连续脉冲，实现重复雪崩耐量测试。通过上述方案，可以在重复雪崩耐量测试操作中指导用户进行雪崩耐量参数的设置，从而保证用户选取的设置参数满足待测器件的重复雪崩耐量测试需求，进而保证重复雪崩耐量测试结果的准确性。
重复雪崩测试系统

[发明专利]雪崩测试参数选取方法、装置、计算机设备及存储介质-CN202011548035.0在审
发明人：明志茂;江雪晨;陆裕东;李汝冠;岳龙;赵可沦 -专利权人：广电计量检测（湖南）有限公司
申请日： 2020-12-23 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本申请涉及一种雪崩测试参数选取方法、装置、计算机设备及存储介质，在对待测器件进行重复雪崩耐量测试时，能够获取测试环境参数和重复雪崩耐量电路的相关设定参数进行分析，得到在当前设定参数下待测器件的结温参数。之后将结温参数与预设结温阈值进行比较分析，最终根据比较分析结果判断设定参数是否合理，也即根据比较分析结果输出对应的设定参数合理的信息或调整设定参数的提示信息。通过上述方案，可以在重复雪崩耐量测试操作中指导用户进行雪崩耐量参数的设置，从而保证用户选取的设置参数满足待测器件的重复雪崩耐量测试需求，进而保证重复雪崩耐量测试结果的准确性。
雪崩测试参数选取方法装置计算机设备存储介质

[发明专利]氮化镓HEMT器件结温测试装置、测试板、测试系统及其方法-CN201710751882.9有效
发明人： 李汝冠;周斌;廖雪阳;陈媛;来萍 -专利权人：中国电子产品可靠性与环境试验研究所
申请日： 2017-08-28 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种氮化镓HEMT器件结温测试装置、测试板、测试系统及其方法，包括：二极管、第一电压测量装置和第二电压测量装置；二极管正极用于连接待测试氮化镓HEMT器件的栅极，二极管负极用于输入外接电压；第一电压测量装置连接在待测试氮化镓HEMT器件的栅极与源极之间；第二电压测量装置连接在待测试氮化镓HEMT器件的漏极与源极之间。上述测试装置是基于负向栅压测试的设计，结构简单，使用方便，测量结果准确率高，误差小。
氮化 hemt 器件测试装置系统及其方法

[发明专利]氮化镓基高电子迁移率晶体管的栅电极-CN201510413172.6有效
发明人：曾畅;黄云;王远声;廖雪阳;李汝冠;来萍;苏伟;陈义强;恩云飞 -专利权人：工业和信息化部电子第五研究所
申请日： 2015-07-14 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及一种氮化镓基高电子迁移率晶体管的栅电极，包括依次连接的氮化镓层、势垒层、势垒金属层、栅帽金属层，以及设于所述势垒金属层和所述栅帽金属层之间的应力缓冲层；所述应力缓冲层包括缓冲金属层，所述缓冲金属层的热膨胀系数与所述势垒层以及势垒金属层的热膨胀系数相差在预设范围内。本发明充分考虑热失配对GaN基HEMT的影响，在GaN基HEMT栅电极势垒金属层和栅帽金属层间插入应力缓冲层，应力缓冲层在选材时应注重其热学特性参数，使应力缓冲层能够承受热失配导致的张应力，从而大幅度降低势垒层和势垒金属层中的张应力，避免因热失配产生的裂纹，提升GaN基HEMT器件的可靠性。
氮化镓基高电子迁移率晶体管电极

[发明专利]氮化镓电子器件的检测方法和系统-CN201410129768.9有效
发明人：曾畅;黄云;廖雪阳;李汝冠;来萍;恩云飞 -专利权人：工业和信息化部电子第五研究所
申请日： 2014-03-31 - 公布日： 2017-07-11 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓电子器件的检测方法和系统，所述方法包括获取处于静态工作点的氮化镓电子器件在预设光束扫描下的漏极电流值和扫描位置，其中，所述扫描位置为所述预设光束在所述氮化镓电子器件上的投射位置，一个扫描位置对应一个漏极电流值；根据获取的漏极电流值和扫描位置，绘制漏极电流随所述扫描位置的变化图，并将绘制的变化图与所述氮化镓电子器件的光学显微图像进行叠加，生成叠加图像；根据所述叠加图像，获取所述氮化镓电子器件的陷阱缺陷位置信息。实施本发明的方法和系统，可获取陷阱缺陷在氮化镓电子器件的空间分布信息，进而可提供对器件进行筛选和失效分析的依据。
氮化电子器件检测方法系统

[发明专利]基于结构函数的半导体分立器件封装质量检测方法及系统-CN201510697392.6在审
发明人：杨少华;周斌;李汝冠 -专利权人：工业和信息化部电子第五研究所
申请日： 2015-10-21 - 公布日： 2016-01-06 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明提供半导体分立器件的封装质量检测方法和系统，该方法包括：通过采集至少在三个温度条件下的被检测器件在第一检测电流下的结压值从而得到被检测器件的温敏系数；利用电学法检测得到被检测器件和参照器件结压变化曲线和参照器件的结压变化曲线，根据所述温敏系数将所述被检测器件的结压变化曲线和参照器件的结压变化曲线分别转换为所述被检测器件的结构函数曲线和所述参照器件的结构函数曲线；将所述被检测器件的结构函数曲线与参照器件的结构函数曲线进行比较确定所述被检测器件的封装质量。该半导体分立器件封装质量检测方法简单，无需损坏被检测器件的内部结构。
基于结构函数半导体分立器件封装质量检测方法系统

[实用新型]金氧半场效晶体管热阻测试装置和测试板-CN201420623733.6有效
发明人： 李汝冠;周斌;何小琦;游金程;曾畅;廖雪阳 -专利权人：工业和信息化部电子第五研究所
申请日： 2014-10-24 - 公布日： 2015-03-18 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本实用新型提供一种金氧半场效晶体管热阻测试装置和测试板，其中，装置包括：电压源、第一电流源、第二电流源、二极管和电压测量装置；所述电压源的正负极分别连接被测金氧半场效晶体管的栅极和源极；所述第一电流源的正负极分别连接所述被测金氧半场效晶体管的漏极和源极；所述第二电流源的正极通过所述二极管连接所述被测金氧半场效晶体管的漏极，其中，所述第二电流源的负极连接源极，所述二极管的负极连接漏极；所述电压测量装置正负极分别连接所述被测金氧半场效晶体管的源极和漏极。通过在第二电流源和被测金氧半场效晶体管之间加入二极管，可以屏蔽第二电流源的泄露信号对测试信号的干扰，从而无需串联焊接两个测试器件，提高测试效率。
半场晶体管测试装置

[发明专利]金氧半场效晶体管热阻测试装置、方法和测试板-CN201410577251.6在审
发明人： 李汝冠;周斌;何小琦;游金程;曾畅;廖雪阳 -专利权人：工业和信息化部电子第五研究所
申请日： 2014-10-24 - 公布日： 2015-01-21 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明提供一种金氧半场效晶体管热阻测试装置、方法和测试板，其中，装置包括：电压源、第一电流源、第二电流源、二极管和电压测量装置；所述电压源的正负极分别连接被测金氧半场效晶体管的栅极和源极；所述第一电流源的正负极分别连接所述被测金氧半场效晶体管的漏极和源极；所述第二电流源的正极通过所述二极管连接所述被测金氧半场效晶体管的漏极，其中，所述第二电流源的负极连接源极，所述二极管的负极连接漏极；所述电压测量装置正负极分别连接所述被测金氧半场效晶体管的源极和漏极。通过在第二电流源和被测金氧半场效晶体管之间加入二极管，可以屏蔽第二电流源的泄露信号对测试信号的干扰，从而无需串联焊接两个测试器件，提高测试效率。
半场晶体管测试装置方法

[发明专利]电子元件热阻测试夹具-CN201410129084.9有效
发明人：周斌;李汝冠;何小琦;李勋平;游金程 -专利权人：工业和信息化部电子第五研究所
申请日： 2014-03-31 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： G01R1/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种电子元件热阻测试夹具，包括底座和夹台，所述夹台上设有电子元件安装位，安装位设有引脚套，引脚套包括接线部和与引脚连接部，接线部至少设有功率施加线、结压采集线和测试电流施加线三线。它在接触紧密性、散热性、恒定壳温测试方面都良好，且适用于红外法和电学法两种测量方法。
电子元件测试夹具

[发明专利]采用指爪式电极的平板型薄膜可调电容器-CN201410024216.1有效
发明人：蒋书文;李汝冠;宋阳 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2014-01-20 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： H01G4/33 文献下载
摘要：该发明属于微波介质材料与微波器件领域中的平板型薄膜可调电容器，包括基板，含电极基片、指爪式电极头及其引线电极头、焊片的上电极，绝缘介质层，含电极基片及焊片的下电极。该发明由于将传统的整体式上电极头及其引线改为指爪式的多指形上电极及其引线，这种多电容并联结构既可在不改变其工作面积基础上有效提高可调电容的品质因数(Q值)，又可大幅度缩短上电极引线所覆盖下电极棱边的宽度，而且在使用中即使某个电极头因被击穿失效时、其它电极头仍可使电容器保持工作状态。因而，本发明具有品质因数(Q值)及大容值电容在较高电压条件下工作时的可靠性高，以及利于后期进行电容值精度的调整，应用范围广等特点。
采用指爪式电极平板薄膜可调电容器

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