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[发明专利]用于限制在浅沟槽隔离工艺之后形成凹坑的方法-CN02820410.7无效
发明人：彼得·H·巴特鲁;马可·W·坎特尔;杰罗姆·B·拉斯克;詹姆斯·D·威尔 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2002-11-14 - 公布日： 2005-05-04 - 主分类号： H01L21/26 文献下载
摘要：该方法包括：提供一在硅区域(260)中形成的其内有淀积的氧化物(290)的沟槽(285)；氧化该硅区域(260)的顶层，以在该硅区域(260)顶上形成一层热氧化物(302)；以及相对于该淀积的氧化物(290)选择地刻蚀该热氧化物(302)。
用于限制沟槽隔离工艺之后形成方法

[发明专利]浅沟槽隔离区氧化物沉积方法-CN200610119150.X有效
发明人：张文广 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2006-12-05 - 公布日： 2008-06-11 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：一种浅沟槽隔离区氧化物沉积方法，包括：在半导体衬底上形成一沟槽；形成一侧壁氧化层于所述沟槽的侧壁与底部；以一低温制程沉积第一氧化层于所述侧壁氧化层上；刻蚀所述第一氧化层以扩大第二沉积开口；在所述第一氧化层上沉积第二氧化层应用HDPCVD执行沉积－刻蚀－沉积工艺，可实现无孔洞的浅沟槽隔离区/膜层氧化物沉积；通过控制沉积反应温度，可降低沉积膜层的致密度，进而获得具有低应力的浅沟槽隔离区/膜层氧化物。
沟槽隔离氧化物沉积方法

[发明专利]一种超高密度随机存储器制造方法-CN201710245065.6在审
发明人：肖荣福;郭一民;陈峻 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2017-04-14 - 公布日： 2018-11-02 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：一种超高密度随机存储器制造方法，包括：通过光刻刻蚀形成源极沟槽；在源极沟槽内填充导电材料；回刻蚀以形成凹槽；依次生长第一薄膜、第二薄膜及第三薄膜；刻蚀第一、第二及第三薄膜，仅保留由凹槽上部的薄膜形成的叠层；在叠层上均匀生长一层氧化物绝缘材料层；在氧化物绝缘材料层上均匀生长一层金属导电膜层；对金属导电膜层进行垂直刻蚀，仅留下叠层侧壁上的金属导电膜层，使相邻叠层之间完全电绝缘；利用氧化物绝缘隔离材料填充相邻叠层之间的空间；继续生长第一掺杂类型的半导体薄膜和金属导电膜；对半导体薄膜和金属导电膜进行刻蚀，仅留下所述叠层上的半导体薄膜和金属导电膜；沉积氧化膜绝缘材料，将氧化膜绝缘材料的上表面磨平。
叠层金属导电膜层薄膜半导体薄膜金属导电膜刻蚀氧化物绝缘材料生长随机存储器绝缘材料相邻叠层源极沟槽氧化膜绝缘隔离材料填充导电材料薄膜形成掺杂类型电绝缘回刻蚀上表面氧化物侧壁磨平沉积填充制造垂直保留

[发明专利]一种具有屏蔽氧化物的沟槽型肖特基整流器及其加工工艺-CN202010161084.2在审
发明人：汪良恩;焦世龙 -专利权人：安徽安芯电子科技股份有限公司
申请日： 2020-03-10 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有屏蔽氧化物的沟槽型肖特基整流器及其加工工艺，属于肖特基器件技术领域。取一覆盖二氧化硅或氮化硅介质作为掩膜的芯片，采用干法刻蚀沟槽，淀积二氧化硅，再填充多晶，采用研磨及干法刻蚀将沟槽内多晶刻蚀掉1/3～1/2，再湿法刻蚀沟槽侧壁二氧化硅至高于沟槽内剩余多晶表面0.1～0.3μm，沟槽上部较薄层二氧化硅淀积或热氧化形成屏蔽氧化物，再淀积多晶并回刻至沟槽侧壁平台高度，最后淀积势垒金属并退火，淀积传导金属，得到具有屏蔽氧化物的沟槽型肖特基整流器，本发明用于调整反向偏置下沟槽底部拐角附近电场分布以及减小台面势垒金属
一种具有屏蔽氧化物沟槽型肖特基整流器及其加工工艺

[发明专利]一种刻蚀方法-CN202010514652.2在审
发明人：赵月梅;冯志明 -专利权人：芯恩（青岛）集成电路有限公司
申请日： 2020-06-08 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种刻蚀方法，在介电层上形成包括底部碳化层及顶部金属氧化物光刻胶层的双层结构，通过对顶部金属氧化物光刻胶层进行曝光及显影，以图形化顶部金属氧化物光刻胶层，形成显露底部碳化层的沟槽窗口；形成抗反射层及光刻胶，并图形化光刻胶，以在光刻胶中形成通孔窗口；通过通孔窗口，刻蚀抗反射层、底部碳化层及介电层，形成通孔，以及通过沟槽窗口，刻蚀底部碳化层、第二介电层及第一介电层，形成与通孔相连通的沟槽；刻蚀介质阻挡层，以显露基底本发明的刻蚀方法无需进行金属硬掩膜的刻蚀，从而可在同一电介质刻蚀腔中，形成通孔及沟槽，制备工艺简单、设备少、生产成本低、产品质量高。
一种刻蚀方法

[发明专利]一种用负性光刻胶制作背照式影像传感器深沟槽的方法-CN201310012234.3有效
发明人：李平 -专利权人：陆伟
申请日： 2013-01-14 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及一种用负性光刻胶制作背照式影像传感器深沟槽的方法，包括以下步骤，器件晶圆与逻辑晶圆键合后，对晶圆表面氧化物进行刻蚀,至露出四乙氧基硅层;在刻蚀后的晶圆表面上淀积一层隔离氧化物层;在隔离氧化物层上涂覆一层负性光刻胶，通过光刻在负性光刻胶上制作出负性光刻胶图形，确定刻蚀沟槽的区域；以负性光刻胶图形为掩蔽层进行沟槽刻蚀；沟槽刻蚀后，在硅片上再涂覆一层负性光刻胶，通过光刻在负性光刻胶上制作出负性光刻胶图形，以负性光刻胶图形为掩蔽层刻蚀通孔，通孔刻蚀停止在逻辑晶圆顶层金属。
一种用负性光刻制作背照式影像传感器深沟方法

[发明专利]一种顶层选择栅切线的氧化物填充方法-CN201711167889.2有效
发明人：何佳;刘藩东;夏志良;霍宗亮 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2017-11-21 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： H01L27/11578 文献下载
摘要：本发明提供了一种顶层选择栅切线的氧化物填充方法，通过将顶层选择栅切线沟道中氧化物材料的填充采用高密度等离子化学气相淀积法(HDP‑CVD)，得到的填充氧化物能够有效抵御在后续钨栅极形成过程中含氟气体脱除的有害刻蚀，从而避免形成刻蚀沟道而被钨沉积所填充，进而避免了不必要的钨残留，提高了3D NAND闪存结构的产品性能。
一种顶层选择切线氧化物填充方法

[发明专利]接触孔形成方法-CN201010111143.1有效
发明人：杨昌辉;奚裴;肖海波 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2010-02-10 - 公布日： 2011-08-10 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：公开了一种接触孔形成方法，包括步骤：提供半导体结构，其包括衬底；位于衬底中及衬底上的MOS器件；覆盖MOS器件和衬底的层间介质层，所述层间介质层包括氧化物层和位于所述氧化物层上的氮化物层；对所述层间介质层进行刻蚀，刻蚀停止在衬底表面，在所述层间介质层中形成通孔，所述刻蚀的同时在通孔内形成刻蚀聚合物；对所述刻蚀聚合物和所述通孔暴露的衬底进行干法刻蚀，使所述通孔延伸至衬底内；用酸性溶液清洗，去除所述通孔内剩余的刻蚀聚合物
接触形成方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202110418016.4有效
发明人：王虎;何应春;张继亮;顾林;陈翔 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2021-04-19 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件，包括：覆盖在源漏区以及栅极结构表面的第一富硅氧化物层，在第一富硅氧化物层的表面形成有接触刻蚀停止层。层间膜形成于接触刻蚀停止层的表面并将栅极结构之间的间隔区域完全填充。层间膜采用HDP氧化膜。第一富硅氧化物层由多层富硅氧化物子层叠加而成，各层富硅氧化物子层分开沉积使得各上下相邻的所述富硅氧化物子层之间存在界面层，通过调节界面层的层数来防止层间膜的形成工艺中的等离子体电荷穿过从而保护栅介质层。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件的焊盘制造方法及半导体器件制造方法-CN202010940263.6在审
发明人：王永庆;孟晓明;宋冬门;伍术;华子群;马瑞 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-09-09 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的焊盘制造方法及半导体器件制造方法，在对具有聚合物感光保护层的钝化层进行刻蚀时，采用含氟气体进行干法刻蚀，并且选用与聚合物感光保护层发生较少或者不发生聚合反应的气体，例如NF3/SF6，由此使得较少的含氟聚合物残留在金属焊盘的表面，进而控制产生较少的刻蚀副产物(例如氟氧化物)，对金属焊盘表面的少量刻蚀副产物进行还原，形成容易被去除的氟氧化物，然后用酸液将该可溶于酸的氟氧化物去除，得到表面清洁的金属焊盘。
半导体器件制造方法

[发明专利]一种绝缘体上硅射频开关器件及其制造方法-CN201910059096.1有效
发明人：刘张李 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2019-01-22 - 公布日： 2022-02-15 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了一种绝缘体上硅射频开关器件及其制造方法，包括：在衬底上形成第一氧化物层、第一单晶硅层、第二氧化物层、第二单晶硅层、第三氧化物层和掩膜层；刻蚀掩膜层、第三氧化物层、第二单晶硅层和第二氧化物层形成第一开口和第二开口；在第一开口和第二开口内通过外延生长使其和第二单晶硅层的表面一致；刻蚀掩膜层、第三氧化物层、第二单晶硅层、第二氧化物层和第一单晶硅层形成第一沟槽、第二沟槽和第三沟槽；向三个沟槽内沉积等离子体氧化物形成浅沟槽隔离结构；去除所述第三氧化物层和所述掩膜层；在第二单晶硅层上形成体区接触器件。
一种绝缘体射频开关器件及其制造方法

[发明专利]在结处具有绝缘层的场效应晶体管结构-CN200680046460.1无效
发明人：吉尔贝托·A·库拉托拉;塞巴斯蒂安·努汀克 -专利权人： NXP股份有限公司
申请日： 2006-12-07 - 公布日： 2008-12-17 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种制造FET的方法，其包括形成栅极结构(18)，然后，在每侧上刻蚀空腔。然后，在空腔中的衬底(10)上沉积SiGe层(22)，随后沉积Si层(24)。然后，执行选择性刻蚀以刻蚀掉除了栅极结构(18)下的SiGe层部分以外的SiGe(22)，以及生长氧化物(28)以填充产生的空隙。然后，在空腔中沉积SiGe源极和漏极。氧化物(28)能降低结漏电流。
具有绝缘场效应晶体管结构

[发明专利]一种金属氧化物纳米反阵列薄膜的制备方法-CN200610021847.3无效
发明人：钟智勇;张怀武;刘爽;唐晓莉 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2006-09-14 - 公布日： 2007-02-28 - 主分类号： C23C14/00 文献下载
摘要：一种金属氧化物纳米反阵列薄膜的制备方法，属于材料技术领域，涉及一种利用纳米胶体球刻蚀技术制备纳米金属氧化物薄膜的方法。将一定尺寸的纳米高分子胶体球分散在基片上形成纳米球模板，利用氧环境下的磁控反应溅射工艺在纳米球模板上沉积金属氧化物薄膜的同时对高分子纳米胶体球进行刻蚀，最终制备出金属氧化物纳米反阵列薄膜。采用不同尺寸的高分子纳米球以及控制溅射功率和工作气压，可制备出不同尺寸的目的物。本发明能够减少金属氧化物纳米反阵列薄膜制备过程的设备投入，缩短制备时间，降低制造成本；可用来制备各种金属氧化物纳米反阵列薄膜，可应用于高密度磁存贮、传感器的制备和基于单元尺寸调制的器件性能优化等方面的工业化大规模生产
一种金属氧化物纳米阵列薄膜制备方法

[发明专利]一种NOR闪存器件的制造方法-CN202310024737.6在审
发明人：段松汉;齐翔羽;王虎;顾林;佟宇鑫 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2023-01-09 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： H10B41/35 文献下载
摘要：本发明提供一种NOR闪存器件的制造方法，包括提供衬底，该衬底上形成有栅极结构；淀积ONO层并刻蚀以形成第一侧墙，ONO层包括减薄的第一氧化物层、氮化物层和加厚的第二氧化物层；对Cell区进行源漏极离子注入；淀积SiN层并刻蚀以形成第二侧墙；对外围区进行源漏极离子注入；淀积SAB并进行光刻刻蚀工艺；对衬底表面进行预清洗处理；采用磷酸湿法刻蚀所述第一侧墙的氮化物层以降低第一侧墙的高度和厚度；淀积NiPt、TiN本发明淀积减薄的第一氧化物层、氮化物层和加厚的第二氧化物层为第一侧墙，在形成金属硅化物前，采用高选择比的磷酸湿法刻蚀侧墙SiN，减薄了侧墙厚度及高度，减小ILD沉积深宽比，且对存储单元区和外围区电性没有影响
一种 nor 闪存器件制造方法

[发明专利]浅沟槽隔离区的制作方法-CN200910201052.4有效
发明人：任红茹 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-12-10 - 公布日： 2011-06-15 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了浅沟槽隔离区的制作方法，在晶圆衬底上依次形成氧化物和氮化物，刻蚀氮化物、氧化物和衬底形成浅沟槽，在浅沟槽内和氮化物表面淀积氧化物；之后，该方法还包括：去除氮化物表面的氧化物；测量氮化物高度SH1；去除浅沟槽内指定高度的氧化物；去除氮化物；测量浅沟槽内氧化物表面与浅沟槽外氧化物表面之间的高度差SH2；根据SH2去除浅沟槽内和浅沟槽外的氧化物。本发明方案能够缩小制作完成浅沟槽隔离区之后得到的浅沟槽内氧化物表面与浅沟槽外硅表面之间的高度差的变化范围。
沟槽隔离制作方法