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[发明专利]共晶装置及晶体管封装共晶系统-CN202110176456.3有效
发明人：胡靖;温永阔;黄黎明;谢少华;刘盼 -专利权人：深圳市东飞凌科技有限公司
申请日： 2021-02-07 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供了一种共晶装置及晶体管封装共晶系统，该共晶装置包括晶圆吸取结构、待共晶产品吸取结构、预热结构、共晶加热平台和共晶识别结构，晶圆吸取结构用于吸取晶圆，待共晶产品吸取结构用于吸取待共晶产品，预热结构用于预热待共晶产品，共晶加热平台用于加热晶圆和待共晶产品，共晶识别结构用于在共晶过程中进行拍照，预热结构、共晶加热平台和共晶识别结构的数量均为两个，两个预热结构分别与两个共晶加热平台对应设置，两个共晶识别结构对应设置于两个共晶加热平台的上方该共晶装置能够提升共晶效率，两个预热结构的结构相同，极大地减少了预热结构加工与装配公差的影响，使得两个共晶加热平台共晶精度与共晶效果基本一致。
装置晶体管封装晶系

[实用新型]晶体管封装共晶系统及晶体管-CN202120365628.7有效
发明人：胡靖;温永阔;黄黎明;谢少华;刘盼 -专利权人：深圳市东飞凌科技有限公司
申请日： 2021-02-07 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种晶体管封装共晶系统及晶体管，该晶体管封装共晶系统包括晶圆提供机构、晶圆校正机构以及共晶加热机构，共晶加热结构的预热结构、共晶加热平台和晶圆识别结构的数量均为两个，两个预热结构分别与两个共晶加热平台对应，两个共晶加热平台分别与两个第三晶圆识别结构对应，当其中一个共晶加热平台共晶时，与其对应的预热结构预热待共晶的产品，当另一个共晶加热平台共晶时，与其对应的预热结构预热待共晶的产品，提升了共晶效率，两个预热结构的结构相同，使得两个共晶加热平台共晶精度与共晶效果基本一致，极大地减少了预热结构加工与装配公差的影响。
晶体管封装晶系

[发明专利]热压烧结氧化铝基共晶复合陶瓷材料的方法-CN201710279850.3在审
发明人：苏海军;任俊飞;张军;刘林;黄太文;郭敏;杨文超;傅恒志 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2017-04-26 - 公布日： 2017-08-11 - 主分类号： C04B35/10 文献下载
摘要：一种热压烧结氧化铝基共晶复合陶瓷材料的方法，利用激光悬浮区熔定向凝固技术制备组织细小均匀的棒状共晶试样；通过粉碎过筛获得内部包含有共晶结构的共晶粉末；采用热压烧结制备内部保留有共晶结构的氧化铝基共晶陶瓷复合材料本发明制备的烧结共晶复合材料保留了初始共晶试样当中的共晶结构，消除了大部分晶界和界面非晶相，进而为大尺寸氧化铝基共晶陶瓷复合材料的制备提供了一种新思路。本发明的组织呈典型的“象形文字”共晶形貌，并且共晶颗粒粒度分布在4～25μm且大于共晶层片间距，因此共晶颗粒有效保留了共晶结构，实现了高熔点、接近全致密、内部保留了接近全共晶结构尤其是具有较大尺寸的块体共晶复合陶瓷材料的制备
热压烧结氧化铝基共晶复合陶瓷材料方法

[发明专利]一种半导体芯片的共晶方法及共晶结构-CN201010261581.6有效
发明人：刘英策;火东明;孙天宝 -专利权人：比亚迪股份有限公司
申请日： 2010-08-21 - 公布日： 2011-04-20 - 主分类号： H01L21/58 文献下载
摘要：一种半导体芯片的共晶方法，包括：以基板的一面为承载面形成第一共晶层和以半导体芯片的一面为承载面形成第二共晶层，所述第一共晶层或者第二共晶层为形成有孔结构的共晶层；对第一共晶层和第二共晶层进行共晶连接。本发明还涉及一种半导体芯片的共晶结构，包括半导体芯片、基板，以及位于半导体芯片和基板之间的共晶连接层，其中，所述共晶连接层由第一连接层和有孔结构的第二连接层共晶结合而成。本发明实施例提供的一种半导体芯片的共晶方法及共晶结构，有孔的共晶层和另一共晶层共晶，使二者之间形成更均匀结合力更强的共晶层，进而提高芯片和基板之间的结合力。
一种半导体芯片方法结构

[发明专利]一种氧化物共晶结构陶瓷粉末的制备方法-CN201710279849.0在审
发明人：苏海军;任俊飞;张军;刘林;黄太文;郭敏;傅恒志 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2017-04-26 - 公布日： 2017-09-08 - 主分类号： C04B35/117 文献下载
摘要：一种氧化物共晶结构陶瓷粉末的制备方法。通过激光悬浮区熔技术，制备组织细小且均匀的共晶材料，然后通过粉碎、筛分将具有强界面结合的微观共晶结构保存在共晶粉末中，进而制备出具有一定粒径分布的共晶粉末，从而通过初始共晶试样的层片间距和共晶粉末粒径的合理搭配，有效的将初始共晶试样当中的共晶结构保留到烧结共晶体中。本发明得到的氧化物共晶结构陶瓷粉末为典型的共晶形貌；通过改变激光悬浮区熔过程中的抽拉速率得到具有不同层片间距的共晶材料；通过抽拉速率和球磨时间的组合，得到了不同粒径分布的共晶粉末。
一种氧化物结构陶瓷粉末制备方法

[发明专利]放电等离子烧结氧化铝基共晶陶瓷复合材料的方法-CN201710279867.9有效
发明人：苏海军;任俊飞;张军;刘林;黄太文;郭敏;傅恒志 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2017-04-26 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： C04B35/117 文献下载
摘要：一种放电等离子烧结氧化铝基共晶陶瓷复合材料的方法，利用激光悬浮区熔定向凝固技术制备了组织细小均匀的棒状共晶试样；通过粉碎过筛获得内部包含有共晶结构的共晶粉末；采用放电等离子烧结制备内部保留有共晶结构的氧化铝基共晶陶瓷复合材料本发明制备的烧结共晶复合材料保留了初始共晶试样当中的共晶结构，并且消除了大部分晶界和界面非晶相，为大尺寸氧化铝基共晶陶瓷复合材料的制备提供了一种新思路。本发明得到的组织呈典型的“象形文字”共晶形貌，共晶颗粒粒度分布在4～12μm且大于共晶层片间距，颗粒内部能有效保留初始共晶试样当中的共晶结构。由于烧结时间短，有效抑制烧结过程中的组织长大，有利于获得均匀细小组织的共晶陶瓷。
放电等离子烧结氧化铝基共晶陶瓷复合材料方法

[发明专利]一种降低共晶空洞率的共晶焊接结构及方法-CN202310107995.0在审
发明人：文泽海;张平升;陆吟泉;曾策;李江建;庞婷;陈恒佳;张剑;伍泽亮;雷东阳 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十九研究所
申请日： 2023-02-07 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L23/492 文献下载
摘要：本发明涉及微电子封装技术领域，公开了一种降低共晶空洞率的共晶焊接结构及方法，该共晶焊接结构，包括共晶承载板、设于所述共晶承载板表面的共晶区域，所述共晶承载板表面还设有与所述共晶区域连接的焊料施放区。本发明解决了现有技术存在的容易形成气体填充型的共晶空洞、容易导致芯片过热低效、甚至烧毁等问题。
一种降低空洞焊接结构方法

[发明专利]发光二极管芯片-CN201610089450.1在审
发明人：黄逸儒;庄东霖;沈志铭;许圣宗;黄冠杰;黄靖恩;丁绍滢 -专利权人：新世纪光电股份有限公司
申请日： 2016-02-17 - 公布日： 2016-08-24 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：发光二极管芯片包括半导体磊晶结构以及至少一电极垫结构。半导体磊晶结构电性连接至承载基板。电极垫结构包括共晶层、阻挡层以及延展层。共晶层适于共晶接合于承载基板上。阻挡层配置于共晶层与半导体磊晶结构之间，以阻挡共晶层材料于共晶接合时扩散。延展层配置于共晶层与半导体磊晶结构之间，且延展层可具有至少一金属材料堆栈形成。延展层减少在共晶接合的过程中因基板随着加热的过程热胀冷缩而对发光二极管芯片产生的应力，避免电极垫结构产生裂缝，而维持发光二极管芯片的质量。
发光二极管芯片

[发明专利]一种手动共晶贴片装置、系统及方法-CN202110790873.7有效
发明人：陶怀亮;尹超;李双江;李金龙;江凯;王旭光 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2021-07-13 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明涉及共晶贴片领域，具体公开了一种手动共晶贴片装置、系统及方法，其中，手动共晶贴片装置包括并列设置的预热室和共晶室；所述预热室中设置有预热平台、对预热平台加热的第一加热单元，所述共晶室中设置有共晶平台、对共晶平台加热的第二加热单元；所述预热室上设置有向预热平台注入氮气的第一氮气注入单元，所述共晶室上设置有向共晶平台注入氮气的第二氮气注入单元。本发明的目的在于提供一种结构简单的手动共晶贴片装置，一方面解决全自动贴片机结构复杂的技术问题，另一方面解决共晶贴片质量不佳的技术问题，为小批量多品种的芯片的生产问题提供一种解决方案。
一种手动共晶贴片装置系统方法

[发明专利]一种有机共晶增益材料及其制备方法和在激光性能中的应用-CN201811192070.6有效
发明人：赵永生;褚曼曼;李勇军 -专利权人：中国科学院化学研究所;中国科学院大学
申请日： 2018-10-12 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： C07D213/74 文献下载
摘要：本发明提供了一种有机共晶增益材料及其制备方法和在激光性能中的应用，所述有机共晶增益材料的分子间相互作用的不同导致他们组装成特定的微纳结构(例如微米片、微米环)；所述具有特定微纳结构的有机共晶增益材料可作为高质量的光学谐振腔体，为共晶的受激辐射提供光学反馈和模式选择；所述有机共晶增益材料的卤键间的相互作用，仅仅带来了微弱的电荷转移，从而在共晶中保留了有利的四能级结构以实现最终的激光辐射；同时，改变卤键给体可调控所述有机共晶增益材料的分子间相互作用，进而改变组装结构和能级结构，最终实现对共晶激光性质的调控。在所述材料中首次实现了共晶的光泵浦激光辐射，并且通过改变卤键给体调节激光性质。
一种有机增益材料及其制备方法激光性能中的应用

[发明专利]基于子结构-分子间相互作用网络的共晶形成预测方法及应用-CN202011479079.2在审
发明人：唐贇;任国宾;郑露露;朱彬;吴增睿 -专利权人：华东理工大学
申请日： 2020-12-15 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： G16C20/10 文献下载
摘要：本发明公开了基于子结构‑分子间相互作用网络的共晶形成预测方法及应用，预测方法包括：分子间相互作用网络的构建、化合物‑子结构网络的构建、子结构‑分子间相互作用网络的构建以及基于分子间互补作用机制的预测，为药物或其他类型化合物推荐合适的共晶配体，从而开发其共晶或盐型。对于给定的分子，能够给出其共晶配体推荐列表，居于推荐列表前列的共晶配体为该分子的优势配体，易形成共晶。化合物子结构的引入使化合物的结构信息可为预测模型所利用，并扩展其应用范围，可以同时为网络内、外的化合物预测共晶配体。基于此预测方法进行共晶设计和制备，可大大降低共晶筛选实验的工作量和化学品以及试剂消耗，从而减少各种资源浪费和环境污染。
基于结构分子相互作用网络晶形预测方法应用

[发明专利]一种含有MTW结构的共晶材料及其制备方法-CN201910767015.3有效
发明人：冯刚 -专利权人：南昌大学
申请日： 2019-08-20 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： C01B39/02 文献下载
摘要：本发明提供一种含有MTW结构的共晶材料及其制备方法，以质量百分比计，该共晶材料包括1.2％至98％的MTW结构材料，其余为BEA或MOR结构材料；共晶材料中Si/Al原子比为1～6000:1。通过将含有硅元素、铝元素、水、有机分子等原料在PH值大于7的条件下混合，之后将混合后的物质在120‑200℃条件下晶化20至200小时，之后将产物分离即得到含MTW结构的共晶材料，该方法可以克服现有技术无法提供MTW/MOR共晶分子筛、及MTW/BEA共晶分子筛产品种类单一的技术问题。
一种含有 mtw 结构材料及其制备方法

[发明专利]一种共晶LED的制造方法-CN201811018686.1在审
发明人：罗建华 -专利权人：东洋工业照明（广东）有限公司
申请日： 2018-09-03 - 公布日： 2019-03-12 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种共晶LED的制造方法，包括以下步骤：S1涂覆共晶焊料；S2一次焊接；S3点助焊剂；S4安装LED；S5二次焊接。本发明提供的共晶LED的制造方法，通过在安装LED芯片之前对共晶焊料进行真空焊接，使得共晶焊料分布于呈腔体结构的共晶焊料位的每个角落，排空共晶焊料位内部的所有空气，减小空洞率，通过在安装LED芯片之后对共晶焊料进行真空焊接，使得共晶焊料浸润LED芯片与焊盘之间的间隙，进一步减小空洞率，提供LED的可靠性。
共晶焊料真空焊接空洞率减小制造二次焊接腔体结构一次焊接助焊剂焊盘排空涂覆浸润

[发明专利]一种利用热板与光波复合加热的LED共晶装置及方法-CN201310225485.X有效
发明人：汤勇;李宗涛;朱本明;丁鑫锐;余树东 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2013-06-07 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： B23K3/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用热板与光波复合加热的LED共晶装置及方法，该共晶装置利用热板和光波复合加热，三个功能区依次为管芯安放区、基板预热区以及高温光波共晶区；LED共晶方法包括步骤：首先将基板传至点助焊剂处，将适量助焊剂点在基板焊盘，移动基板至管芯安放处，将LED芯片吸附并置于基板焊盘上；然后将基板传至基板预热区进行预热；最后将基板传至高温光波共晶区加热，加热后利用光波管缓慢移动扫过基板，基板温度升至共晶温度形成共晶层，实现LED共晶。本发明的LED共晶装置结构新颖，使用方便，高温光波共晶区能使基板温度稳定均匀，能保证良好的共晶质量，减少生产时间，且工艺过程控制精确，生产产品良率高，生产成本低。
一种利用光波复合加热 led 装置方法

[实用新型]一种利用热板与光波复合加热的LED共晶装置-CN201320327658.4有效
发明人：汤勇;李宗涛;朱本明;丁鑫锐;余树东 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2013-06-07 - 公布日： 2014-04-02 - 主分类号： B23K3/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种利用热板与光波复合加热的LED共晶装置，该共晶装置利用热板和光波复合加热，三个功能区依次为管芯安放区、基板预热区以及高温光波共晶区；LED共晶方法包括步骤：首先将基板传至点助焊剂处，将适量助焊剂点在基板焊盘，移动基板至管芯安放处，将LED芯片吸附并置于基板焊盘上；然后将基板传至基板预热区进行预热；最后将基板传至高温光波共晶区加热，加热后利用光波管缓慢移动扫过基板，基板温度升至共晶温度形成共晶层，实现LED共晶。本实用新型的LED共晶装置结构新颖，使用方便，高温光波共晶区能使基板温度稳定均匀，能保证良好的共晶质量，减少生产时间，且工艺过程控制精确，生产产品良率高，生产成本低。
一种利用光波复合加热 led 装置

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