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[发明专利]模型编译方法、装置、设备和存储介质-CN202310478439.4在审
发明人：郑祯;庄东霖;宋帅文;邱侠斐;白俊杰;林伟 -专利权人：阿里云计算有限公司
申请日： 2023-04-25 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： G06F8/41 文献下载
摘要：本发明提供一种模型编译方法、装置、设备及存储介质，该方法包括：获取待编译的模型对应的计算图中包含多个访存密集型算子及相应数据的目标计算子图。根据模型的执行器中设定的多个线程和每个线程的计算任务并行度，确定目标线程需串行执行的多组计算任务，其中，每个计算任务是指依次采用多个访存密集型算子对相应数据进行计算的任务。针对任一组计算任务，根据多个访存密集型算子的计算依赖关系，对任一组计算任务中包含的多个计算任务进行顺序重排，使同一访存密集型算子对应的不同计算任务被并行排列，以生成目标线程与任一组计算任务对应的执行指令序列。基于任一组计算任务对应的执行指令序列，确定执行器执行模型的可执行程序文件。
模型编译方法装置设备存储介质

[发明专利]发光二极管芯片与发光二极管装置-CN201910717718.5有效
发明人： 庄东霖;黄逸儒;郭佑祯;兰彦廷;沈志铭;黄靖恩 -专利权人：新世纪光电股份有限公司
申请日： 2019-08-05 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管芯片，包括磊晶叠层、第一、第二电极以及第一反射层。磊晶叠层包括第一型、第二型半导体层与发光层。第一、第二电极分别与第一型、第二型半导体层电性连接。发光层于第一型半导体层的正投影与第一电极于第一型半导体层的正投影错位。第一反射层设置于磊晶叠层、第一、第二电极上。第一反射层于第二型半导体层的正投影与第二电极于第二型半导体层的正投影错位。另，一种发光二极管装置亦被提供。
发光二极管芯片装置

[发明专利]发光装置及其制造方法-CN202110650042.X在审
发明人：黄逸儒;庄东霖;郑季豪 -专利权人：新世纪光电股份有限公司
申请日： 2021-06-10 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本发明提供一种发光装置，包括成长基板、发光元件、第一导电凸块以及第二导电凸块。发光元件设置于成长基板上，包括第一型半导体层、第二型半导体层、发光层、欧姆接触层、第一导体层以及第二导体层。发光层与第二型半导体层由凹槽贯穿。欧姆接触层设置于第一型半导体层上且位于凹槽中。欧姆接触层与第一型半导体层电性连接。第一导电层设置于第一型半导体层上且位于凹槽中。第一导电层覆盖欧姆接触层。第二导电层设置于第二型半导体层上且与第二型半导体层电性连接。一种发光装置的制造方法亦被提出。
发光装置及其制造方法

[发明专利]发光二极管-CN201910386672.3有效
发明人：黄逸儒;庄东霖;兰彦廷;许圣宗;沈志铭;黄靖恩;赖腾宪;麦宏全;黄冠杰;丁绍滢;陈正彬;简玮辰;郑至钦;曾志宏 -专利权人：新世纪光电股份有限公司
申请日： 2016-04-22 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管，包括第一型半导体层、发光层、第二型半导体层、第一电极、第二电极、布拉格反射结构、导电层以及多个绝缘图案。发光层位于第一型半导体层与第二型半导体层之间。第一电极电性连接第一型半导体层。第二电极电性连接第二型半导体层。第一电极与第二电极皆位于布拉格反射结构的相同一侧。导电层配置在布拉格反射结构与第二型半导体层之间。绝缘图案配置在导电层与第二型半导体层之间，且导电层在绝缘图案以外的面积接触第二型半导体层。本发明技术方案中，配置在布拉格反射结构上的膜层可良好地披覆在布拉格反射结构上，而有助于发光二极管的性能提升。
发光二极管

[发明专利]发光二极管-CN202010832795.8在审
发明人：黄逸儒;许圣宗;郭佑祯;沈志铭;庄东霖;黄琮训;黄敬恩 -专利权人：新世纪光电股份有限公司
申请日： 2017-10-09 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：一种发光二极管，包括第一型半导体层、发光层、第二型半导体层、第一金属层、第一电流传导层、第一接合层及第二电流传导层。发光层位于第一型半导体层与第二型半导体层之间。第一金属层位于第一型半导体层上且与第一型半导体层电性连接。第一金属层位于第一电流传导层与第一型半导体层之间。第一电流传导层位于第一接合层与第一金属层之间。第一接合层藉由第一电流传导层及第一金属层与第一型半导体层电性连接。第一接合层具有与第一金属层重叠的贯穿开口。第二电流传导层与第二型半导体层电性连接。
发光二极管

[发明专利]红光发光二极管及其制造方法-CN202010209074.1在审
发明人： 庄东霖;黄逸儒;郭佑祯;沈志铭;黄琮训;黄靖恩 -专利权人：新世纪光电股份有限公司
申请日： 2020-03-23 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本发明提供一种红光发光二极管及其制造方法，所述红光发光二极管包括磊晶叠层、第一、第二电极、第一、第二电极垫。磊晶叠层包括第一型、第二型半导体层以及发光层。发光层的主要发光波长落在一红光范围内。磊晶叠层具有邻近第一型半导体层的第一侧与邻近第二型半导体层的第二侧。第一、第二电极分别与第一型、第二型半导体层电性连接，且分别位于磊晶叠层的第一、第二侧。第一、第二电极垫分别设置于第一、第二电极上且分别与第一、第二电极电性连接。第一、第二电极垫位于磊晶叠层的第一侧。
红光发光二极管及其制造方法

[发明专利]发光二极管及其制造方法-CN202010097226.3在审
发明人：黄逸儒;郭佑祯;许圣宗;沈志铭;李耀唐;庄东霖;黄琮训;黄靖恩 -专利权人：新世纪光电股份有限公司
申请日： 2020-02-17 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管及其制造方法，所述发光二极管包括第一型半导体层、发光层、第二型半导体层、第一金属层、第一电流传导层、第一接合层及第二电流传导层。发光层位于第一型半导体层与第二型半导体层之间。第一金属层位于第一型半导体层上且与第一型半导体层电性连接。第一金属层位于第一电流传导层与第一型半导体层之间。第一电流传导层位于第一接合层与第一金属层之间。第一接合层通过第一电流传导层及第一金属层与第一型半导体层电性连接。第一接合层具有与第一金属层重叠的贯穿开口。第二电流传导层与第二型半导体层电性连接。
发光二极管及其制造方法

[发明专利]发光二极管-CN202010313803.8在审
发明人：黄逸儒;庄东霖;兰彦廷;许圣宗;沈志铭;黄靖恩;赖腾宪;麦宏全;黄冠杰;丁绍滢;陈正彬;简玮辰;郑至钦;曾志宏 -专利权人：新世纪光电股份有限公司
申请日： 2016-04-22 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管，包括第一型半导体层、发光层、第二型半导体层、第一电极、第二电极、布拉格反射结构、导电层以及多个绝缘图案。发光层位于第一型半导体层与第二型半导体层之间。第一电极电性连接第一型半导体层。第二电极电性连接第二型半导体层。第一电极与第二电极皆位于布拉格反射结构的相同一侧。导电层配置在布拉格反射结构与第二型半导体层之间。绝缘图案配置在导电层与第二型半导体层之间，且导电层在绝缘图案以外的面积接触第二型半导体层。本发明技术方案中，配置在布拉格反射结构上的膜层可良好地披覆在布拉格反射结构上，而有助于发光二极管的性能提升。
发光二极管

[发明专利]发光二极管及其制造方法-CN201911243327.0在审
发明人：黄逸儒;康凯舜;庄东霖;郭祐祯;兰彦廷;沈志铭;黄靖恩 -专利权人：新世纪光电股份有限公司
申请日： 2019-12-06 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管及其制造方法，包括磊晶叠层、第一、第二反射层、电流传导层、及第一、第二电极。磊晶叠层包括第一型、第二型半导体层及主动层。第一、第二反射层分别设置于磊晶叠层的两侧，且第一反射层与第二反射层其中之一上形成有主要出光面，其光穿透率大于0％且小于或等于10％。电流传导层与第二型半导体层接触。第一电极与第一型半导体层电性连接。第二电极通过电流传导层与第二型半导体层电性连接。电流传导层与第二型半导体层接触范围界定为出光范围。出光范围与第一反射层及第二反射层重叠，且不与第一电极与第二电极重叠。另，一种发光二极管的制造方法也被提出。
发光二极管及其制造方法

[发明专利]发光二极管-CN201610256143.8有效
发明人：黄逸儒;庄东霖;兰彦廷;许圣宗;沈志铭;黄靖恩;赖腾宪;麦宏全;黄冠杰;丁绍滢;陈正彬;简玮辰;郑至钦;曾志宏 -专利权人：新世纪光电股份有限公司
申请日： 2016-04-22 - 公布日： 2020-05-15 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管，包括第一型半导体层、发光层、第二型半导体层、第一电极、第二电极、布拉格反射结构、导电层以及多个绝缘图案。发光层位于第一型半导体层与第二型半导体层之间。第一电极电性连接第一型半导体层。第二电极电性连接第二型半导体层。第一电极与第二电极皆位于布拉格反射结构的相同一侧。导电层配置在布拉格反射结构与第二型半导体层之间。绝缘图案配置在导电层与第二型半导体层之间，且导电层在绝缘图案以外的面积接触第二型半导体层。本发明技术方案中，配置在布拉格反射结构上的膜层可良好地披覆在布拉格反射结构上，而有助于发光二极管的性能提升。
发光二极管

[发明专利]发光元件-CN201911295322.2在审
发明人：黄逸儒;庄东霖;沈志铭;许圣宗;黄冠杰;黄靖恩 -专利权人：新世纪光电股份有限公司
申请日： 2016-02-17 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明提供一种发光元件，包括一磊晶结构、一黏着层、一第一反射层、一第二反射层、一阻挡层、一第一电极以及一第二电极；磊晶结构包括一基板、一第一半导体层、一发光层以及一第二半导体层；黏着层设置于磊晶结构的第二半导体层上；第一反射层设置于黏着层上；第二反射层设置于第一反射层上且延伸至黏着层上；自第二反射层朝磊晶结构的方向定义一投影方向；第二反射层在投影方向上的投影面积大于第一反射层在投影方向上的投影面积；阻挡层设置于第二反射层上且具有导电性；第一电极电性连接于第一半导体层；第二电极电性连接于第二半导体层。本发明可利用第二反射层有效增加整体的反射面积，进而提升发光元件的整体出光效率。
发光元件

[发明专利]发光元件-CN201911296398.7在审
发明人：黄逸儒;庄东霖;沈志铭;许圣宗;黄冠杰;黄靖恩 -专利权人：新世纪光电股份有限公司
申请日： 2016-02-17 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明提供一种发光元件，包括一磊晶结构、一黏着层、一第一反射层、一第二反射层、一阻挡层、一第一电极以及一第二电极；磊晶结构包括一基板、一第一半导体层、一发光层以及一第二半导体层；黏着层设置于磊晶结构的第二半导体层上；第一反射层设置于黏着层上；第二反射层设置于第一反射层上且延伸至黏着层上；自第二反射层朝磊晶结构的方向定义一投影方向；第二反射层在投影方向上的投影面积大于第一反射层在投影方向上的投影面积；阻挡层设置于第二反射层上且具有导电性；第一电极电性连接于第一半导体层；第二电极电性连接于第二半导体层。本发明可利用第二反射层有效增加整体的反射面积，进而提升发光元件的整体出光效率。
发光元件

[发明专利]具有布拉格反射镜的发光二极管及其制造方法-CN201911295352.3在审
发明人：黄逸儒;黄冠杰;沈志铭;庄东霖;麦宏全;黄靖恩;丁绍滢 -专利权人：新世纪光电股份有限公司
申请日： 2016-02-17 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明提供一种具有布拉格反射镜的发光二极管及其制造方法。本发明的具有布拉格反射镜的发光二极管包括：磊晶层，具有第一半导体层、发光层以及第二半导体层，其中发光层介于第一半导体层与第二半导体层之间；透明导电层，位于第二半导体层上；至少一布拉格反射层，位于透明导电层上，并具有多个贯穿布拉格反射层的第一贯穿孔；第一电极，电性连接于第一半导体层；以及第二电极，电性连接于透明导电层。本发明使用布拉格反射镜取代传统的银反射镜，可排除银反射镜所导致的不稳定因素，提升产品优良率。
具有布拉格反射发光二极管及其制造方法

[发明专利]发光元件-CN201911295478.0在审
发明人：黄逸儒;庄东霖;沈志铭;许圣宗;黄冠杰;黄靖恩 -专利权人：新世纪光电股份有限公司
申请日： 2016-02-17 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明提供一种发光元件，包括一磊晶结构、一黏着层、一第一反射层、一第二反射层、一阻挡层、一第一电极以及一第二电极；磊晶结构包括一基板、一第一半导体层、一发光层以及一第二半导体层；黏着层设置于磊晶结构的第二半导体层上；第一反射层设置于黏着层上；第二反射层设置于第一反射层上且延伸至黏着层上；自第二反射层朝磊晶结构的方向定义一投影方向；第二反射层在投影方向上的投影面积大于第一反射层在投影方向上的投影面积；阻挡层设置于第二反射层上且具有导电性；第一电极电性连接于第一半导体层；第二电极电性连接于第二半导体层。本发明可利用第二反射层有效增加整体的反射面积，进而提升发光元件的整体出光效率。
发光元件

[发明专利]具有布拉格反射镜的发光二极管及其制造方法-CN201610089271.8有效
发明人：黄逸儒;黄冠杰;沈志铭;庄东霖;麦宏全;黄靖恩;丁绍滢 -专利权人：新世纪光电股份有限公司
申请日： 2016-02-17 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明提供一种具有布拉格反射镜的发光二极管及其制造方法。本发明的具有布拉格反射镜的发光二极管包括：磊晶层，具有第一半导体层、发光层以及第二半导体层，其中发光层介于第一半导体层与第二半导体层之间；透明导电层，位于第二半导体层上；至少一布拉格反射层，位于透明导电层上，并具有多个贯穿等布拉格反射层的第一贯穿孔；第一电极，电性连接于第一半导体层；以及第二电极，电性连接于透明导电层。本发明使用布拉格反射镜取代传统的银反射镜，可排除银反射镜所导致的不稳定因素，提升产品优良率。
具有布拉格反射发光二极管及其制造方法

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