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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]图案化光致抗蚀剂的去除-CN201510859346.1有效
发明人：郑雅玲;张庆裕;陈建志 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-11-30 - 公布日： 2020-04-24 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明涉及图案化光致抗蚀剂的去除。具体的，本发明提供一种用于执行光刻工艺的方法。所述方法在光致抗蚀剂已被用作为蚀刻掩模后，促进光致抗蚀剂从晶片的去除。所述光致抗蚀剂可以是负色调光致抗蚀剂，其经历曝露于电磁能的交联过程。通过降低的曝光后烘烤温度和/或减少交联剂加载来限制所述交联，所述光致抗蚀剂或者至少其一部分可具有减小的溶剂式剥除阻力。由于所述减小的溶剂式剥除阻力，所述光致抗蚀剂的一部分可使用溶剂式剥除加以去除。在所述溶剂式剥除之后，可执行干蚀刻以去除所述光致抗蚀剂的剩余部分。
图案化光致抗蚀剂去除

[发明专利]处理基材的设备和方法-CN200710145210.X有效
发明人：金怡政;徐庚进;尹沧老;赵重根 -专利权人：细美事有限公司
申请日： 2007-08-17 - 公布日： 2008-02-27 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：一种用于除去基材上的光致抗蚀剂的基材处理设备，其包括：支撑部，用于支撑基材；干式处理部，用于除去基材上的光致抗蚀剂；以及湿式处理部，用于除去基材上的光致抗蚀剂。在基材被支撑部支撑时，借助于干式处理部初次除去基材上的光致抗蚀剂，借助于湿式处理部进行第二次除去。该干式处理部包括用于将等离子体供应到基材上的等离子体供应单元以及改变等离子体供应单元和基材的相对位置的移动单元。
处理基材设备方法

[发明专利]干膜光致抗蚀剂及其制备方法-CN200810220127.9有效
发明人：李兆辉 -专利权人：番禺南沙殷田化工有限公司
申请日： 2008-12-18 - 公布日： 2009-05-27 - 主分类号： G03F7/09 文献下载
摘要：印刷电路板加工用的干膜光致抗蚀剂及其制备方法，该干膜光致抗蚀剂由聚酯薄膜，光致抗蚀剂膜及聚乙烯保护膜三部分组成。光致抗蚀剂膜为干膜光致抗蚀剂的主体，其制备方法为将感光胶涂布到聚酯薄膜上而成，搅拌加热制成。感光胶的制备方法为将成膜剂、粘结剂、光引发剂、热阻聚剂、色料等加入溶剂中，并在上述组合物中加入二咪唑类化合物。通过测试表明用该方法制备的干膜光致抗蚀剂相对原有方法制备的干膜光致抗蚀剂具有良好的光谱范围，并降低了感光度，从而减少了曝光时间和能源消耗，能有效的提高良品率并降低生产成本。
干膜光致抗蚀剂及其制备方法

[发明专利]利用卤化物化学品的光致抗蚀剂显影-CN202080046943.1在审
发明人：萨曼莎·西亚姆华·坦;游正义;李达;范译文;潘阳;杰弗里·马克斯;理查德·A·戈奇奥;丹尼尔·彼得;蒂莫西·威廉·威德曼;鲍里斯·沃洛斯基;杨文兵 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2020-06-25 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： G03F7/36 文献下载
摘要：光致抗蚀剂的显影对于例如用于在高分辨率图案化的背景下形成图案化掩模会是有用的。显影可使用例如卤化氢之类的含卤化物化学品而完成。使用干式或湿式沉积技术可在半导体衬底上沉积含金属抗蚀剂膜。该光致抗蚀剂膜可以是EUV敏感的含有机金属氧化物或含有机金属薄膜抗蚀剂。在暴露后，使用湿式或干式显影将经光图案化的含金属抗蚀剂进行显影。
利用卤化物化学品光致抗蚀剂显影

[发明专利]制作悬浮结构的方法-CN200610100646.2无效
发明人：康育辅;杨辰雄 -专利权人：探微科技股份有限公司
申请日： 2006-06-30 - 公布日： 2008-01-02 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：首先，提供基底，基底上包括加热硬化的图案化光致抗蚀剂层。之后，蚀刻硬化的图案化光致抗蚀剂层，使图案化光致抗蚀剂层具有预定的侧壁形状。接着在部分的基底与部分的图案化光致抗蚀剂层上方形成结构层，随后再进行干式蚀刻工艺以移除图案化光致抗蚀剂层，使结构层成为悬浮结构。
制作悬浮结构方法

[发明专利]光致抗蚀剂膜的干式室清洁-CN202080058274.X在审
发明人：丹尼尔·彼得;李达;蒂莫西·威廉·威德曼;鲍里斯·沃洛斯基;吴呈昊;卡蒂·林恩·纳尔迪;凯文·利·顾;利昂·塔莱;萨曼莎·西亚姆华·坦;游正义;薛萌 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2020-06-25 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： G03F7/36 文献下载
摘要：含金属光致抗蚀剂膜可使用干式沉积技术沉积在半导体衬底上。在沉积、斜面和背侧清洁、烘烤、显影或蚀刻操作期间，非预期的含金属光致抗蚀剂材料可能形成在处理室的内表面上。原位干式室清洁可通过暴露于蚀刻气体来执行，以去除非预期的含金属光致抗蚀剂材料。干式室清洁可以在升高的温度且未激励等离子体下执行。在一些实施方案中，干式室清洁可包括抽排/清扫及调节操作。
光致抗蚀剂膜干式室清洁

[发明专利]薄膜晶体管基底的制造方法-CN200710152434.3无效
发明人：李德重;宋大昊;金京燮;李庸懿 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-10-12 - 公布日： 2008-04-16 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜晶体管(TFT)基底的制造方法，该方法包括：在基底上形成栅极绝缘膜和有源层；在有源层上形成包括第一金属层、第二金属层和第三金属层的数据金属层；在数据金属层上形成第一光致抗蚀剂图案；通过利用第一光致抗蚀剂图案对第三金属层进行干蚀刻；通过利用第一光致抗蚀剂图案对第二金属层和第一金属层同时进行干蚀刻；通过利用第一光致抗蚀剂图案对有源层进行干蚀刻；对第一光致抗蚀剂图案进行蚀刻以形成第二光致抗蚀剂图案，其中，通过第二光致抗蚀剂图案来去除沟道区；通过利用第二光致抗蚀剂图案对数据金属层的沟道区进行干蚀刻来形成源电极和漏电极。
薄膜晶体管基底制造方法

[发明专利]形成反色调图像的硬掩模方法-CN200980131798.0无效
发明人： D·J·阿卜杜拉;R·R·达莫尔;M·尼瑟 -专利权人： AZ电子材料美国公司
申请日： 2009-03-30 - 公布日： 2011-07-13 - 主分类号： G03F7/40 文献下载
摘要：本发明涉及在器件上形成反色调图像的方法，包括：a)在基底上形成吸收性底层；b)在所述底层上形成正性光致抗蚀剂的涂层；c)形成光致抗蚀剂图案；d)用硬化性化合物处理所述第一光致抗蚀剂图案，从而形成经硬化的光致抗蚀剂图案；e)在所述经硬化的光致抗蚀剂图案上由硅涂料组合物形成硅涂层；f)干蚀刻所述硅涂层以除去所述硅涂层直到所述硅涂层具有与所述光致抗蚀剂图案几乎相同的厚度；和g)干蚀刻以除去所述光致抗蚀剂和底层，从而在所述光致抗蚀剂图案的原始位置下方形成沟槽
形成色调图像硬掩模方法

[发明专利]制作悬浮结构的方法-CN200610101137.1无效
发明人：康育辅 -专利权人：探微科技股份有限公司
申请日： 2006-07-04 - 公布日： 2008-01-09 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：所述方法包括：提供基底；在基底上形成第一光致抗蚀剂图案并加热使硬化以作为牺牲层；在基底与牺牲层上方形成暴露出部分牺牲层与基底的第二光致抗蚀剂图案；在基底、第二光致抗蚀剂图案与牺牲层上形成结构层；进行剥离工艺，移除第二光致抗蚀剂图案与位于第二光致抗蚀剂图案上的结构层；以及用干式蚀刻工艺移除牺牲层使结构层，形成悬浮结构。
制作悬浮结构方法

[发明专利]形成焊接掩模的方法及其装置和形成电路构图的内部介电层的方法-CN201310078720.5有效
发明人：阿基欧·塞基莫托;玛萨尤基·M·考吉马 -专利权人：太阳美国公司;丽可得映像系统公司;太阳控股株式会社
申请日： 2004-03-23 - 公布日： 2013-07-17 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：在用于形成焊接掩模的方法中，将光致成像墨涂敷到载体膜上，以在载体膜上形成光致成像墨层。使光致成像墨层变干，以形成光致成像抗蚀剂层，由此形成至少一个光致成像抗蚀剂层承载膜。将光致成像抗蚀剂层承载膜层叠到衬底的至少一侧，以使光致成像抗蚀剂层的上表面与衬底接触。通过载体膜使光致成像抗蚀剂层曝光于成像光。从光致成像抗蚀剂层去除载体膜以形成曝光的抗蚀剂层。显影曝光的抗蚀剂层以形成显影的抗蚀剂层；硬化显影的抗蚀剂层以在衬底上形成焊接掩模。
形成焊接方法及其装置电路构图内部介电层

[发明专利]形成焊接掩模的方法及其装置和形成电路构图的内部介电层的方法-CN200480042537.9无效
发明人：阿基欧·塞基莫托;玛萨尤基·M·考吉马 -专利权人：太阳美国公司;丽可得映像系统公司;太阳油墨制造株式会社
申请日： 2004-03-23 - 公布日： 2007-04-11 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：在用于形成焊接掩模的方法中，将光致成像墨涂敷到载体膜上，以在载体膜上形成光致成像墨层。使光致成像墨层变干，以形成光致成像抗蚀剂层，由此形成至少一个光致成像抗蚀剂层承载膜。将光致成像抗蚀剂层承载膜层叠到衬底的至少一侧，以使光致成像抗蚀剂层的上表面与衬底接触。通过载体膜使光致成像抗蚀剂层曝光于成像光。从光致成像抗蚀剂层去除载体膜以形成曝光的抗蚀剂层。显影曝光的抗蚀剂层以形成显影的抗蚀剂层；硬化显影的抗蚀剂层以在衬底上形成焊接掩模。
形成焊接方法及其装置电路构图内部介电层

[发明专利]使用双重图案化的光致抗蚀剂图像成形方法-CN200980111624.8无效
发明人： R·R·达梅尔;D·J·阿布达拉;E·阿勒梅;M·帕德马纳本 -专利权人： AZ电子材料美国公司
申请日： 2009-03-30 - 公布日： 2011-02-23 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：在器件上形成光致抗蚀剂图案的方法，包括：a)在基底上从第一光致抗蚀剂组合物形成第一光致抗蚀剂层；b)成像式曝露该第一光致抗蚀剂；c)将第一光致抗蚀剂显影以形成第一光致抗蚀剂图案；d)用包括至少2个氨基(NH2)基团的硬化化合物处理第一光致抗蚀剂图案，因此形成硬化的第一光致抗蚀剂图案；e)在包括该硬化的第一光致抗蚀剂图案的基底区域上从第二光致抗蚀剂组合物形成第二光致抗蚀剂层；f)成像式曝露该第二光致抗蚀剂；和g)将成像式曝露的第二光致抗蚀剂显影以在第一光致抗蚀剂图案之间形成第二光致抗蚀剂图案，因此提供双重光致抗蚀剂图案。
使用双重图案光致抗蚀剂图像成形方法

[发明专利]照相模块及其制造方法-CN201010275846.8无效
发明人：林孜颖;郑杰元;林宏烨 -专利权人：采钰科技股份有限公司;美商豪威科技股份有限公司
申请日： 2010-09-07 - 公布日： 2011-12-14 - 主分类号： G03B17/02 文献下载
摘要：本发明揭示一种照相模块及其制造方法，该照相模块包括：一具有一微透镜阵列的图像感测装置、一透镜组以及一干膜式光致抗蚀剂间隔层。透镜组位于图像感测装置上方，而干膜式光致抗蚀剂间隔层夹设于图像感测装置与透镜组之间，其中干膜式光致抗蚀剂间隔层具有一开口位于微透镜阵列上方。
照相模块及其制造方法

[发明专利]光致抗蚀剂树脂组合物-CN200510071268.5无效
发明人：金奉玘;柳盛文;朴圣模;朴赞硕 -专利权人：东进世美肯株式会社
申请日： 2005-05-08 - 公布日： 2005-11-09 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明涉及光致抗蚀剂树脂组合物，特别是涉及含有以下物质的光致抗蚀剂树脂组合物：a)具有2个氨基甲酸酯键的丙烯酸酯单体，b)具有至少2个乙烯型双键的氨基甲酸酯系列的交联性单体，c)碱可溶性化合物，d)光聚合引发剂和e)溶剂；还涉及利用所述光致抗蚀剂树脂的感光性干膜抗蚀剂。本发明所述的光致抗蚀剂树脂组合物和利用该光致抗蚀剂树脂组合物的感光性干膜抗蚀剂，其与基材的胶粘性和耐喷砂性优异，同时还具有高分辨率和高感光度，从而可以在基材上形成精细的图案。
光致抗蚀剂树脂组合

[发明专利]石墨烯改性的干膜光致抗蚀剂及其在印刷线路板中的应用-CN201810176044.8有效
发明人：钱晓春;衡京;胡春青;翁云峰 -专利权人：常州强力电子新材料股份有限公司;常州强力先端电子材料有限公司
申请日： 2018-03-02 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明提供了一种石墨烯改性的干膜光致抗蚀剂及其在印刷线路板中的应用。该石墨烯改性的干膜光致抗蚀剂包括石墨烯改性的聚氨酯(甲基)丙烯酸酯、碱可溶性树脂、光聚合单体及光引发剂。上述干膜光致抗蚀剂中采用了石墨烯改性的聚氨酯(甲基)丙烯酸酯，因石墨烯具有低原子层厚度、较高的拉伸断裂伸长率和抗冲击强度，利用石墨烯改性的聚氨酯(甲基)丙烯酸酯能够极大提高干膜光致抗蚀剂的柔韧性、盖孔性和抗电镀性，使得本发明提供的干膜光致抗蚀剂能更好地应用在多层印刷线路板和微型印刷线路板的制备中。
石墨改性干膜光致抗蚀剂及其印刷线路板中的应用

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