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[发明专利]无需晶粒级输入数据的晶粒级产品建模-CN202080072498.6在审
发明人： R·伯奇;朱青;J·霍尔特 -专利权人： PDF决策公司
申请日： 2020-10-16 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明公开一种用于每个晶粒的机器学习模型，所述机器学习模型用于估算所述晶粒处的过程控制参数。所述模型是基于跨整个晶圆的多个测试位点处的晶圆分类参数测量以及所述晶圆的良率结果。
无需晶粒输入数据产品建模

[发明专利]电池托盘用含稀土晶粒细化剂的铝合金及其制备方法-CN202210052309.X有效
发明人：庞兴志;许征兵;汤宏群;杨剑冰;杨楼江;刘丞钰;谭翔云 -专利权人：广西大学
申请日： 2022-01-18 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： C22C21/00 文献下载
摘要：本发明公开了电池托盘用含稀土晶粒细化剂的铝合金，包括以下重量百分比原料：Zr 1.1‑1.3％、Si 0.4‑0.7％、V 0.1‑0.3％、Ti 0.2‑0.5％、稀土晶粒细化剂0.1‑0.6％、余量为铝本发明在铝合金产品中加入Zr、Si、V等离子介质，通过引入稀土晶粒细化剂再产品制备中，对合金晶粒细化，从而提高产品的强度、韧性等性能；稀土晶粒细化剂制备中，采用Re、B原料，经过精炼剂进行精炼，同时精炼中通过精炼气体，提高晶粒细化剂的晶粒精细度，同时均匀化处理，进一步的对稀土晶粒细化剂优化，避免发生聚集和偏析，从而应用在合金产品中，提高了产品的细化效果。
电池托盘稀土晶粒细化铝合金及其制备方法

[发明专利]一种垂直结构LED晶粒分选后质检方法-CN202211404061.5在审
发明人：朱兵兵;王晓明;赵晓明;董国庆;文国昇;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2022-11-10 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供了一种垂直结构LED晶粒分选后质检方法，通过将晶圆的原始标准数据与质检BIN晶粒数据进行对比分析，分析项目：电压、波长、亮度，按标准数据中电压、亮度、波长数据的标准范围进行对比，以此分类作为成品入库，利用导电膜收集晶圆中晶粒，同时抛出收集晶圆中晶粒原始数据，点测机回测导电膜收集晶圆中晶粒比对原始标准数据，得到良率管控，提前防止切割产出不良晶粒流入客户端，有效管控产品NG异常率，有效卡控LED晶粒产品质量，解决产品批次异常、分类混乱的问题，保证LED晶粒产品的质量及可靠性。
一种垂直结构 led 晶粒分选质检方法

[发明专利]轴式二极管的制作方法-CN201910400480.3在审
发明人：方敏清 -专利权人：强茂电子（无锡）有限公司
申请日： 2019-05-15 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种轴式二极管的制作方法，包括如下步骤：1、晶片切割→2、上下导线装填→3、下焊片装填→4、晶粒Pick/Place放入晶粒盘→5、晶粒吸盘装填→6、上焊片装填→7、合盘→8、高温焊接→9、因为采用晶粒Pick/Place放入晶粒盘+晶粒吸盘装填方式进行组装，避免了原来下晶粒及摇晶粒制程时晶粒互相碰撞，晶粒之间不会发生接触及碰撞，可降低晶粒外观损伤问题，进而提升产品生产合格率，提高产品可靠性品质水准
晶粒二极管焊片装填晶粒吸盘装填放入轴式产品可靠性产品生产导线装填高温焊接晶片切割品质水准外观损伤无铅电镀印字包装合盘塑封制程制作成型合格率组装测试

[发明专利]一种摄像头芯片的SiP封装设计方法-CN202011160687.7在审
发明人：丁海松 -专利权人：合肥君正科技有限公司
申请日： 2020-10-27 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明提供一种摄像头芯片SiP封装设计方法，所述方法包括以下步骤：S1，依据芯片规格定义，确定图像传感器晶粒，主控芯片晶粒，内存芯片晶粒；S2，将内存晶粒放置于基板上，主控晶粒放置于内存晶粒上；S3，将主控晶粒和内存晶粒的信号连接用键合线打线互连，主控晶粒其他外设信号打线到基板上；S4，将图像传感器晶粒叠加在主控晶粒上，且将图像传感器晶粒的感应面朝上；S5，将图像传感器晶粒的MIPI或者DVP信号通过键合线打线与主控晶粒互连。本方法充分将图像传感器die，主控芯片die，内存芯片die合封在一个封装体内形成一个芯片，简化后续摄像头产品的单板设计，降低产品生产成本。
一种摄像头芯片 sip 封装设计方法

[实用新型]一种KBP晶粒摇盘装填装置-CN201120153216.3无效
发明人：李安 -专利权人：淄博美林电子有限公司
申请日： 2011-05-13 - 公布日： 2011-12-28 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种KBP晶粒摇盘装填装置，包括晶粒摇盘、晶粒吸笔、真空泵；晶粒摇盘内部为中空，上部表层设有第一晶粒吸孔；晶粒摇盘侧部设有第一出气孔；第一出气孔与经连接管与真空泵连通；晶粒吸笔表层设有第二晶粒吸孔，晶粒吸笔侧部设有第二出气孔；第二出气孔经连接管与真空泵连通；晶粒摇盘上部表层、第一晶粒吸孔左右两侧，分别对称设置有晶粒吸笔定位孔；相应地，晶粒吸笔表层、第二晶粒吸孔左右两侧，分别对称设置有晶粒吸笔定位销；晶粒吸笔定位孔可以插入晶粒吸笔定位销其有益效果是：使用本实用新型对KBP产品晶粒进行装填时，每次能装填数船，大大提高了生产效率，减轻了员工的劳动强度，为该产品实现大规模生产奠定了基础。
一种 kbp 晶粒装填装置

[发明专利]一种2Cr12NiMo1W1V锻件晶粒细化方法-CN201510736420.0在审
发明人：赵义瀚;李宇峰;刘新新;孙福民;彭建强;邢玉荣;曹雪;杨丹娜;许诺;张继婵 -专利权人：哈尔滨汽轮机厂有限责任公司
申请日： 2015-11-02 - 公布日： 2016-03-02 - 主分类号： C21D6/00 文献下载
摘要：一种2Cr12NiMo1W1V锻件晶粒细化方法，本发明涉及一种钢锻件晶粒的细化方法。本发明的目的是为了解决针对现有锻造工艺生产2Cr12NiMo1W1V产品锻件，性能热处理后出现粗晶问题。本发明利用对温度的控制，对粗晶的锻件产品分别进行加热、炉冷、空冷、再加热、油冷和回火处理实现了将粗晶的2Cr12NiMo1W1V产品进行晶粒细化的热处理工艺。本发明的晶粒细化方法能够有效的细化粗晶的2Cr12NiMo1W1V产品的晶粒度。本发明的晶粒细化方法用于钢锻件晶粒的细化。
一种 cr12nimo1w1v 锻件晶粒细化方法

[发明专利]一种掩模板、晶圆及其曝光方法、封装方法-CN201811198895.9在审
发明人：高超;程洁 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2018-10-15 - 公布日： 2019-01-18 - 主分类号： G03F1/42 文献下载
摘要：所述掩模板包括若干个产品晶粒图形以及至少一个对准晶粒图形，所述产品晶粒图形用于在晶圆上形成产品图形，所述对准晶粒图形用于在晶圆上形成后道封装时对准定位的掩膜图形。本发明采用具有对准晶粒图形的掩模板，曝光制备的晶圆具有在后道封装时用于对准和定位的对准晶粒，减少了作为mirror die用于后道封装对准和定位所牺牲的晶粒的数量，从而降低了成本。
对准晶粒封装晶圆掩模板曝光产品晶粒产品图形掩膜图形种晶制备

[发明专利]制作全波段对比晶粒的方法及校正芯片测试机的方法-CN201610364520.X有效
发明人：郭组福 -专利权人：湘能华磊光电股份有限公司
申请日： 2016-05-28 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： G01R35/00 文献下载
摘要：本发明提供一种制作全波段对比晶粒的方法，包括以下步骤：步骤A、确定波段数量和全波段对比晶粒的份数；步骤B、选取包含全波段的多个方片产品；步骤C、将第一个波段和最后一个波段的方片产品通过包括外围晶粒的方法进行分档，将第二个波段至倒数第二个波段的方片产品通过不包括外围晶粒的方法进行分档；步骤D、转换为分选机识别的档；步骤E、采用分选机从多个方片产品上选取同一bin的晶粒放入新的方片上得到多份具有全波段晶粒的方片产品本发明方法工艺精简，能快速、准确获得多份全波段对比晶粒。本发明还提供一种采用上述全波段对比晶粒进行校正芯片测试机的方法，步骤精简，能够确保校正后的芯片测试机具有一致性对比效率。
制作波段对比晶粒方法校正芯片测试

[发明专利]一种高镍正极材料晶粒生长过程的模拟方法及系统-CN202310426650.1在审
发明人：陈宁;李天亦;桂卫华;阳春华;刘洪臻;刘红杰;陈嘉瑶;李彬艳 -专利权人：中南大学
申请日： 2023-04-20 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种高镍正极材料晶粒生长过程的模拟方法及系统，根据高镍正极材料烧结实验所获取的晶粒生长数据，获得不同温度不同时间下的一次晶粒分布规律；根据一次晶粒分布规律，通过机理方程MSE匹配建立最符合实验材料的晶粒生长机理公式；通过平均粒径与温度和时间的关系，辨识出高镍正极材料的晶粒生长活化能；根据晶粒生长机理公式与晶粒生长活化能，获得高镍正极材料晶粒生长参数，获得不同温度下的高镍正极材料晶粒生长速率；根据所需要模拟的高镍正极材料晶粒生长过程特点，建立概率对冲元胞自动机，提出晶粒生长速率规则，在元胞自动机中实现晶粒生长。本发明为改进烧结制度、提高产品成品率、改善产品的电化学性能提供了依据。
一种正极材料晶粒生长过程模拟方法系统

[发明专利]半导体结构和制造半导体结构的方法-CN202010698144.4在审
发明人：吕宗育;张耀仁;邱绍玲 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-07-20 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：该方法包括：形成复数晶粒区域在半导体基底上；经由第一掩模，形成第一特征在每一晶粒区域的第一产品区域；经由第二掩模，形成第二特征在每一晶粒区域的第二产品区域；经由第三掩模，形成第三特征在每一晶粒区域的一第三产品区域；经由第四掩模，形成第四特征在每一晶粒区域的一第四产品区域；以及经由第一、第二、第三与第四掩模，形成第五特征在每一晶粒区域的第一、第二、第三与第四产品区域之间的对准区域。第一产品区域没有第二特征、第三特征和第四特征。
半导体结构制造方法

[实用新型]光学传感器封装结构-CN202220638704.1有效
发明人：夏镇宇;杨旭;杨晓磊 -专利权人：上海旭福电子有限公司;敦南微电子（无锡）有限公司
申请日： 2022-03-23 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本实用新型提供一种光学传感器封装结构，包括基板、发光晶粒、感光晶粒和连接线，所述发光晶粒、感光晶粒分别通过连接线与所述基板电连接，所述发光晶粒与所述感光晶粒包覆于透光封装件内，所述发光晶粒与所述感光晶粒之间填充遮光件本实用新型的结构采用喷填涂覆的方式将格挡槽灌满遮光胶，避免了使用注射成型从而导致的质量风险；并可依据产品的需求改变格挡的位置以及宽度，大幅度增加了产品的灵活性；且无需造价高昂的成型模具，降低了生产成本。
光学传感器封装结构

[发明专利]一种单粒芯片植球工艺-CN202310012479.X在审
发明人：魏厚韬;许虎林 -专利权人：合肥矽迈微电子科技有限公司
申请日： 2023-01-05 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明申请公开了一种单粒芯片植球工艺，包括：晶粒粘附步骤：将晶粒粘附在蓝膜上；晶粒排列步骤：提供一表面贴双面膜的基板，将晶粒通过倒装机转贴附后排列在双面膜对应位置，晶粒的有源面朝向双面膜，晶粒间距为产品最终间距；包封研磨步骤：将排列后的晶粒包封，并在包封面研磨；圆片植球步骤：剥离基板和双面膜并形成圆片封装体，晶粒有源面暴露进行植球，产品成型步骤：将植球后的圆片封装体进行布线，实现芯片电性连接之后再切割，形成单个芯片产品
一种芯片工艺

[实用新型]晶粒分类机产品表面清洁系统-CN202221683079.9有效
发明人：徐敏 -专利权人：京隆科技（苏州）有限公司
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： B08B5/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种晶粒分类机产品表面清洁系统，包括晶圆承载盘，挑起结构，晶粒吸取装置以及清洁装置。晶圆承载盘具有一晶圆承载槽，晶圆承载槽用于放置切割后的晶圆；挑起结构设置于晶圆承载槽内，用于挑起位于晶圆承载槽内、经切割后的晶圆内的目标晶粒；晶粒吸取装置包括吸嘴，吸嘴正对晶圆承载盘上的挑起结构设置，以对经挑起结构挑起后的目标晶粒进行吸取；以及，清洁装置，包括吹气管，吹气管上形成有与挑起结构对应设置的吹气口，以使经吹气口吹出的气流能吹向经挑起结构挑起的目标晶粒的表面。本实用新型的晶粒分类机产品表面清洁系统，能够对目标晶粒的表面进行吹气以移除目标晶粒表面的外物，提高晶粒分拣的良率。
晶粒分类机产品表面清洁系统

[发明专利]由碳化硅制备的防护产品-CN201380031380.9有效
发明人： G.罗西凯;E.若尔热 -专利权人：欧洲技术研究圣戈班中心;法国国家科学研究中心
申请日： 2013-05-17 - 公布日： 2017-07-11 - 主分类号： F41H5/04 文献下载
摘要：通过碳化硅粉末与烧结助剂的固相烧结获得的产品，所述产品具有大于98.5%的相对密度，并包含超过92重量%的以晶粒形式存在的SiC，小于2重量%的元素氧，总计小于6重量%的其它元素，所述产品的特征在于‑基于SiC晶粒的总数量，按数量计超过10%的所述晶粒具有大于3的伸长系数F（F>3），‑按数量计超过50%的伸长系数F大于3的所述晶粒具有大于3微米的宽度，‑所述产品中的其它SiC晶粒具有大于1微米和小于
碳化硅制备防护产品

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