专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种半导体封装的切割方法-CN202210256413.0在审
  • 魏厚韬 - 合肥矽迈微电子科技有限公司
  • 2022-03-16 - 2023-09-22 - H01L21/78
  • 本发明提供的一种半导体封装的切割方法,将切割平台台面与水平面具有夹角设计不为0°,将需要切割的含有多个芯片的整体封装体固定在切割平台台面上,在整体封装体的纵向上,从整体封装体的底端的一排芯片的两端均进行纵向切割,且切割长度不超过整体封装体底端的一排芯片的相邻一排芯片的位置,然后进行横向切割,横向切割时,是从整体封装体的左端边缘直接切割刀右端边缘,且横向切割经过纵向切割所形成的切割道,横向切割后,整体封装体底端的一排芯片由于受到重力的作用,直接掉落,并进行收集,再重复进行上述的纵向切割和横向切割,直到整体封装体切割完全为止。不需要进行人工刮落并收集,省时省力,且大大增加了生产效率。
  • 一种半导体封装切割方法
  • [发明专利]一种单粒芯片植球工艺-CN202310012479.X在审
  • 魏厚韬;许虎林 - 合肥矽迈微电子科技有限公司
  • 2023-01-05 - 2023-04-11 - H01L21/56
  • 本发明申请公开了一种单粒芯片植球工艺,包括:晶粒粘附步骤:将晶粒粘附在蓝膜上;晶粒排列步骤:提供一表面贴双面膜的基板,将晶粒通过倒装机转贴附后排列在双面膜对应位置,晶粒的有源面朝向双面膜,晶粒间距为产品最终间距;包封研磨步骤:将排列后的晶粒包封,并在包封面研磨;圆片植球步骤:剥离基板和双面膜并形成圆片封装体,晶粒有源面暴露进行植球,产品成型步骤:将植球后的圆片封装体进行布线,实现芯片电性连接之后再切割,形成单个芯片产品,本申请将多个单粒芯片对应位置放置封装并烧边为圆片封装体后植球,工艺简单有效,既不需要额外购入设备,也解决了单粒芯片无法吸附、固定、植球的问题。
  • 一种芯片工艺
  • [发明专利]一种植球芯片背面刷胶平台结构及其制造方法-CN202310013082.2在审
  • 魏厚韬;许虎林 - 合肥矽迈微电子科技有限公司
  • 2023-01-05 - 2023-04-11 - H01L21/683
  • 本发明申请公开了一种植球芯片背面刷胶平台结构及其制造方法,包括包括封装体,所述封装体内部封装有基板,所述封装体上还包括;金属层,所述金属层设置在封装体的上表面;圆孔,所述圆孔通过金属层蚀刻形成,且圆孔处暴露封装体;同心孔,所述同心孔通过蚀刻圆孔处暴露的封装体而形成,且与圆孔同心,所述封装体研磨后的厚度为基板厚度加上植球芯片的植球高度,本申请通过将基板封装后蚀刻出圆孔和同心孔,用以将倒置的芯片的植球部分容纳,形成支撑平台结构,便于背面刷胶,避免植球压碎,既可以将芯片束缚,又可以提供保护,便于圆孔的蚀刻形成和同心孔的激光烧边剥离形成,工艺简单有效,成本较低。
  • 种植芯片背面平台结构及其制造方法
  • [发明专利]一种提高导通性能的半导体封装方法-CN202210268388.8在审
  • 魏厚韬 - 合肥矽迈微电子科技有限公司
  • 2022-03-18 - 2022-06-24 - H01L21/48
  • 本发明提供的一种提高导通性能的半导体封装方法,步骤一:在半导体封装过程中,对包封层进行激光钻孔形成通孔,并暴露包封层内部的铜块,铜块处于通孔底部,步骤二:在通孔内进行电镀,形成金属层,金属层与铜块连接,在所述步骤一和步骤二之间,将封装体至于真空环境中,并进行二次激光,打通暴露的铜块与空气接触时产生氧化铜层,使铜块暴露出来。能够有效去除氧化铜层,在电镀时,能够大大提高导通性能,降低电阻力,从而提高封装体的性能。
  • 一种提高通性半导体封装方法
  • [发明专利]一种芯片封装的切割返工方法-CN202210250644.0在审
  • 魏厚韬 - 合肥矽迈微电子科技有限公司
  • 2022-03-15 - 2022-06-10 - H01L21/67
  • 本发明提供的一种芯片封装的切割返工方法,通过将切割不良的晶圆颗粒从旧膜上进行转移贴合到另外一张新膜上,且每个晶圆颗粒在新膜上的位置与旧膜上的位置一致,在新膜上的每个晶圆颗粒之间的距离大于在旧膜上切割所形成的切割道宽度,贴合到新膜之后,进行塑封封装,将每个晶圆颗粒重新塑封形成一个整体晶圆,塑封完成后,将晶圆重新贴膜,再进行返工切割形成晶圆颗粒。能够解决在切割晶圆时,切割位置偏移、歪斜等情况所产生的不良晶圆颗粒,避免给后续的工艺带来麻烦,从而避免大量的经济损失,提高企业经济效益。
  • 一种芯片封装切割返工方法
  • [发明专利]一种沉铜工艺前处理方法及芯片封装工艺-CN202210059202.8在审
  • 魏厚韬;操守杰 - 合肥矽迈微电子科技有限公司
  • 2022-01-19 - 2022-05-13 - C23C18/54
  • 本发明公开了一种沉铜工艺前处理方法及芯片封装工艺,包括以下步骤,步骤一:准备芯片封装工艺中的所采用的不锈钢钢板作为基材;步骤二:对沉铜工艺之前的蚀刻生产线中设置至少一组化学药水槽;步骤三:在化学药水槽中添加混合液,混合液先与不锈钢钢材表面氧化膜参与反应除去氧化膜,然后,再参与化学置换反应形成Cu单质的反应介质。本发明的沉铜工艺前处理方法具有以下优点:采用快速蚀刻和药水洗,通过化学处理,可自由实现控制钢板表面粗糙度,此法高效简单,工作劳动强度大大减轻。
  • 一种工艺处理方法芯片封装

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