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[实用新型]压气机周向槽中等离子体流动控制系统-CN201820163153.1有效
发明人：王逸斌;刘思飏;覃宁;赵宁 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2018-01-31 - 公布日： 2018-11-02 - 主分类号： F04D27/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种压气机周向槽中等离子体流动控制系统，本实用新型在压气机动叶机匣处应用周向槽机匣处理，并且在周向槽内引入等离子体对槽内流质进行诱导作用，改善了前缘溢出流动现象并且达到延缓叶顶泄漏涡向前缘的发展的目的
周向槽流动控制系统本实用新型中等离子体压气机前缘叶顶等离子体后缘压气机动叶低速气流机匣处理流动现象诱导作用机匣处溢出泄漏延缓堵塞引入应用

[发明专利]一种动压式等离子体合成射流发生器-CN201810600514.9在审
发明人：林麒;陈约适;刘汝兵 -专利权人：厦门大学
申请日： 2018-06-12 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： H05H1/26 文献下载
摘要：一种动压式等离子体合成射流发生器，涉及一种射流发生装置。该装置利用前方来流动压，将高速来流经过引气管道与单向阀引进等离子体发生器腔内，提高腔内压力，同时在腔内通过高压放电产生高温等离子体，使腔内气体受热膨胀并在射流出口处产生高速射流。本装置设有等离子体发生器、引气管道、单向阀和高压脉冲电源，其中等离子体发生器由阴电极、阳电极和发生器腔体组成，发生器腔体上设有来流入口、射流出口和电极插入孔。
等离子体发生器等离子体合成发生器腔体射流发生器高速射流引气管道单向阀动压式腔内射流高温等离子体高压脉冲电源射流发生装置电极插入孔高速来流高压放电气动外形腔内压力射流出口受热膨胀电参数流入口阳电极阴电极重量轻飞行器加载流动

[发明专利]一种基于19.6nm软X射线的准单能背光阴影成像方法-CN202010337206.9在审
发明人：王琛;安红海;王轶文;方智恒;熊俊;贺芝宇;曹兆栋;谢志勇;张帆;王伟 -专利权人：中国工程物理研究院上海激光等离子体研究所
申请日： 2020-04-26 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： G01N23/04 文献下载
摘要：包括以下步骤：S1、安装、调节成像装置，成像装置包括背光靶、待测靶、多层膜球面镜、接收部件；S2、驱动激光辐照背光靶，产生软X射线，所述软X射线的波长为19.6nm；S3、驱动激光辐照射待测靶，驱动产生等离子体；S4、软X射线穿越等离子体，多层膜球面镜对等离子体进行成像，接收部件接收记录等离子体成像。本发明采用波长19.6nm的软X射线作为探针，由于穿透能力适中，使得诊断传统硬X射线背光阴影方法无能为力的某些特殊条件下的中等及较低电子密度等离子体成为可能；可以非常方便的实现准单能近正入射成像，所得背光阴影图像具有准单能性和高空间分辨
一种基于 19.6 nm 射线准单能背光阴影成像方法

[发明专利]一种水中等离子体无电极一氧化氮的制备装置及方法-CN202211500064.9在审
发明人：卢新培;罗婧怡 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2022-11-28 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： C01B21/32 文献下载
摘要：本发明提供了一种水中等离子体无电极一氧化氮的制备装置及方法。将其从下至上分隔为高压水电极层和地水电极层；高压水电极层设置进气口，第一电极浸泡在高压水电极层的工作液体中，连接高压电源；第二电极接地并浸泡在地水电极层的工作液体中，地水电极层设置高于其液面的出气口；隔离板具有多个贯通小孔作为等离子体通道；当等离子体通道上下两端的电位差达到阈值时，工作气体经过等离子体通道时被击穿，产生等离子体，生成NO和NO2，NO2被地水电极层中的工作液体吸收
一种水中等离子体电极一氧化氮制备装置方法

[发明专利]用于等离子体处理衬底的技术-CN201180028561.7有效
发明人：海伦·梅纳德;卡莫尔·哈迪德;维克拉姆·辛;提摩太·J·米勒;卢多维克·葛特;乔治·D·帕帕守尔艾迪斯;伯纳德·G·琳赛 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2011-06-13 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：揭示等离子体处理衬底的方法、处理衬底的方法及在设备中等离子体处理衬底的方法。在一个特定示范性实施例中，等离子体处理衬底的方法可用包括以下操作的方法来实现：在接近等离子体源处引入馈送气体，其中所述馈送气体可包括第一和第二物质，所述第一和第二物质具有不同的电离能量；向所述等离子体源提供多电平
用于等离子体处理衬底技术

[实用新型]装修后固态甲醛源头存量消减装置-CN201922211114.1有效
发明人：张涛 -专利权人：北京施泰格环境科技有限公司
申请日： 2019-12-11 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： B01D53/72 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种装修后固态甲醛源头存量消减装置，包括壳体，壳体上具有进风口和出风口；用于驱动气流从进风口送往出风口的风机组件，风机组件安装在壳体上；等离子反应腔体，等离子反应腔体安装在壳体内，并位于进风口和出风口之间且其上具有供气流通过的网孔结构；等离子管组件，等离子管组件安装在等离子反应腔体内部；电源组件，电源组件紧固连接在等离子反应腔体外侧，并与等离子管组件一端电性连接。通过应用等离子管组件，产生高浓度非平衡等离子体和中等浓度的活性臭氧，等离子体带动臭氧与装饰/装修材料中的甲醛反应，从而在源头上消解甲醛，减少甲醛的存量，进而缩短甲醛释放周期。
装修固态甲醛源头存量消减装置

[实用新型]三针式交流等离子体发生器装置-CN202022414076.2有效
发明人：肖真;黄思源;张烈平 -专利权人：四川众创智信科技发展有限公司
申请日： 2020-10-27 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： H05H1/34 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种三针式交流等离子体发生器装置，其包括等离子基座，等离子基座顶端设有贯穿等离子基座的出气管，等离子基座顶部以出气管的轴线为对称轴对称设有电极支架，电极支架顶部可拆卸连接有电极棒，且电极支架底部贯穿等离子基座；等离子基座顶端还设有贯穿等离子基座的引弧支架，引弧支架顶端设有引弧电极片和反向限位件，且引弧电极片位于反向限位件和出气管之间，引弧电极片的中上部分与反向限位件之间的夹角为α，电极支架和引弧支架上均套设有绝缘套，且绝缘套与等离子基座接触。解决了现有技术中等离子体发生器的结构适配于直流电源直接供电，存在结构复杂的问题。
三针交流等离子体发生器装置

[实用新型]三针式等离子体发生组件-CN202022424026.2有效
发明人：肖真;黄思源;张烈平 -专利权人：四川众创智信科技发展有限公司
申请日： 2020-10-27 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： H05H1/48 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种三针式等离子体发生组件，其包括等离子基座，等离子基座顶端设有贯穿等离子基座的出气管，等离子基座顶部以出气管的轴线为对称轴对称设有电极支架，电极支架顶部可拆卸连接有电极棒，且电极支架底部贯穿等离子基座；等离子基座顶端还设有贯穿等离子基座的引弧支架，引弧支架顶端设有引弧电极片和反向限位件，且引弧电极片位于反向限位件和出气管之间，引弧电极片顶端具有弯折部，且弯折部内侧与出气管的出口相对，电极支架和引弧支架上均套设有绝缘套，且绝缘套与等离子基座接触。解决了现有技术中等离子体发生器的结构适配于直流电源直接供电，存在结构复杂的问题。
三针等离子体发生组件

[实用新型]一种液体材料等离子体处理装置-CN201320809448.9有效
发明人：沈文凯;王红卫 -专利权人：苏州市奥普斯等离子体科技有限公司
申请日： 2013-12-11 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种液体材料等离子体处理装置，包括处理腔和等离子体喷枪，处理腔任一侧壁上端设置有进液口，下端设置有进气口，处理腔对应侧壁上端设置有出气口，下端设置有出液口，处理腔内水平设置有气体分布板，出液口、出气口和进液口分别设置于气体分布板上方，进气口设置于气体分布板下方，等离子体喷枪头端与进气口连接。本实用新型中等离子体喷枪将电力后的反应气体从进气口进入处理腔下部，然后经过气体分布板进入处理腔上部，充满处理腔后从出气口溢出，再从进液口中向处理腔上部通入液体材料，电离后的反应气体边对液体材料鼓泡边对其进行表面处理，从而实现液体材料等离子处理，使得处理更均匀，效果更好。
一种液体材料等离子体处理装置

[发明专利]等离子石墨烯粉体的生产工艺-CN202210704256.5在审
发明人：简先仲;黄礼贵 -专利权人：贵州玖碳科技有限公司
申请日： 2022-06-21 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： C01B32/194 文献下载
摘要：本发明公开了一种等离子石墨烯粉体的生产工艺，包括以下步骤：S1:称取石墨烯粉体置于设备的反应室内，开启设备将反应器抽成真空状态；S2：将反应器进行旋转，并且对石墨烯粉体进行加热烘烤处理；S3：向反应室中通入等离子体，其中等离子体的入射离子束能量为20eV‑50eV，剂量在1014 cm‑2‑1016cm‑2之间对石墨烯粉体进行改性处理；本发明通过利用不同的等离子体对石墨烯进行改性，从而使得所获得的石墨烯粉体的导电性、分散性、稳定性以及相容性得到提升
等离子石墨烯粉体生产工艺

[发明专利]一种填充等离子体的可调缝隙式周期频选装置-CN201910007132.X在审
发明人：邓浩川;戚开南;满良 -专利权人：北京环境特性研究所
申请日： 2019-01-04 - 公布日： 2019-05-10 - 主分类号： H01Q15/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种可调缝隙式周期频选装置，包括：周期阵列层、等离子体间隔层和透波外罩；其中，透波外罩为透波且密闭的腔体结构；周期阵列层设置在透波外罩内腔的上表面，包括周期排列的多个缝隙单元；等离子体间隔层填充于透波外罩内腔中本发明通过调整周期阵列层中缝隙单元的缝隙周长可以调整进入周期频选装置的电磁波，使特定频段的电磁波可以进入周期频选装置，其他频段的电磁波被反射；通过调整等离子体间隔层中等离子体的谐振频率和电子碰撞频率，即可实现对中心透波频率的调整
透波等离子体电磁波间隔层缝隙单元外罩内腔周期阵列缝隙式频段可调外罩填充电子碰撞频率中等离子体调整周期腔体结构谐振频率周期排列上表面阵列层滤波密闭反射周长

[发明专利]薄膜层的脉冲等离子体沉积-CN202180054681.8在审
发明人： K·C·保罗 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-07-26 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： C23C16/24 文献下载
摘要：本技术的示例包括半导体处理方法，方法可包括从半导体处理腔室的处理区域中的沉积前驱物生成等离子体。可在第一时间段内以传输功率生成等离子体，并且其中等离子体功率是由在第一占空比操作的功率源输送。在半导体处理腔室的处理区域中的基板上从所生成的等离子体沉积层。所沉积的层由具有50埃或更小的厚度表征。示例性沉积前驱物可以包括一种或多种含硅前驱物，并且沉积在基板上的示例性层可以包括非晶硅层。
薄膜脉冲等离子体沉积

[发明专利]一种用于PIC-MCC模型的可变标度方法-CN202310696146.3在审
发明人：李健;方舟;连庭裕;杜学震;程泊宁;马振洋;吴建军 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2023-06-13 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： G06F30/25 文献下载
摘要：本发明提出一种用于PIC‑MCC模型的可变标度方法，包括：建立初始的PIC‑MCC物理模型；选取缩比因子，遵循放电相似性规律，构建PIC‑MCC物理模型对应的PIC‑MCC缩比仿真模型中等离子体密度、碰撞截面与粒子动能的可变标度关系；确定PIC‑MCC缩比仿真模型中热电流密度、等离子体频率、粒子碰撞频率以及粒子碰撞概率的可变标度关系；确定PIC‑MCC缩比仿真模型中的可变标度关系参数，开展等离子体粒子仿真，并将PIC‑MCC缩比仿真模型计算结果映射到初始的本发明解决了现有缩比技术加剧等离子体不稳定性现象与局部电场效应等问题，在缩比倍率较大的情况下仿真结果不失真，显著提高了计算准确性。
一种用于 pic mcc 模型可变标度方法

[发明专利]电感耦合线圈及其电感耦合等离子体装置-CN200510093733.5有效
发明人：宋巧丽 -专利权人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2005-08-29 - 公布日： 2007-03-07 - 主分类号： H01F5/00 文献下载
摘要：其中内部线圈和外部线圈可分别为阿基米德线圈、螺线管或双层线圈，通过不同形状线圈之间的组合，以达到弥补电感耦合线圈使用中中心部分和外围部分电磁场分布不均的缺点，改善等离子体在反应腔室内部分布的均匀性，同时由于内部线圈和外部线圈中连接方式的变化，还可有效控制电感耦合线圈中电感的大小，很容易获得大面积的等离子体和改善大面积工艺中等离子体的均匀性。更使采用这种电感耦合线圈的电感耦合等离子体装置，满足晶片加工过程中加工尺寸要求越来越大的趋势。
电感耦合线圈及其等离子体装置

[发明专利]一种高效消除化学气相沉积法石墨烯褶皱的方法-CN201910125659.2有效
发明人：高力波;袁国文;徐洁 -专利权人：南京大学
申请日： 2019-02-20 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： C01B32/186 文献下载
摘要：一种高效消除化学气相沉积法石墨烯褶皱的方法，利用在高温环境下的可控质子注入，通过精确控制温度环境和生成质子的氢气等离子体功率和时间，在铜、镍等各种金属及其合金，氧化硅、碳化硅等各种非金属基体上，直接生长出无褶皱的超平整石墨烯薄膜，或者消除带有褶皱的石墨烯上的褶皱；所述等离子体辅助化学气相沉积系统包括等离子体发生器，真空系统，加热系统；其中等离子体发生器功率5～1000W，真空系统10‑5
一种高效消除化学沉积石墨褶皱方法