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[实用新型]一种等离子体炉高温排渣装置-CN202221157372.1有效
发明人：郭易之;李国恩 -专利权人：大连易舜绿色科技有限公司
申请日： 2022-05-13 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： F23G5/44 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种等离子体炉高温排渣装置，涉及等离子体炉技术领域，以解决现有技术中等离子体炉通过人工操作排渣，消耗时间长、排渣效率低的问题，该等离子体炉高温排渣装置包括石墨管(1)，绝缘陶瓷管(2)和感应线圈本实用新型的等离子体炉高温排渣装置可以通过改变感应线圈的通电状态来控制等离子体炉的排渣状态，操作过程易于控制，现场不需要人工作业，整个过程安全、迅速且高效。
一种等离子体高温装置

[发明专利]一种基于流体模型的微波干涉诊断法-CN201811554439.3在审
发明人：魏小龙;宋志杰;徐浩军;李益文;刘毓;张文远 -专利权人：中国人民解放军空军工程大学
申请日： 2018-12-19 - 公布日： 2019-04-19 - 主分类号： H05H1/00 文献下载
摘要：本发明公开的属于低温等离子体模拟方法技术领域，具体为一种基于流体模型的微波干涉诊断法，其结构包括微波矢量网络分析仪、同轴电缆、天线、微波暗室、电源接孔、外接端口和等离子体，其特征在于：所述微波矢量网络分析仪的左侧壁电性连接有同轴电缆，该种适用于透波腔低温等离子体的电子密度诊断方法，将数值模拟和波干涉法进行了结合，针对两种透波腔平板感性耦合等离子体放电源的腔体结构，研究了基于流体模型的微波单/双端反射干涉诊断法，可以更加精确地测量薄层等离子体的相移量，在放电中等离子体会出现显著地不均匀分布现象，可利用微波诊断法时需要移动天线的中心轴位置，使相移量达到最大。
流体模型等离子体微波低温等离子体同轴电缆微波干涉相移量透波微波矢量网络分析仪感性耦合等离子体矢量网络分析不均匀分布中心轴位置测量薄层电性连接电源接孔腔体结构数值模拟外接端口微波暗室移动天线放电源干涉法左侧壁放电双端反射离子天线诊断干涉研究

[发明专利]等离子体处理装置及其绝缘窗组件-CN202010633541.3在审
发明人：吴狄;连增迪 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2020-07-02 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种等离子体处理装置及其绝缘窗组件，其中，所述等离子体处理装置包括：真空反应腔，其内底部设有基座，所述基座用于承载待处理基片；顶盖，位于所述真空反应腔的顶部，所述顶盖具有若干个贯穿顶盖的开口；绝缘窗槽，所述等离子体处理装置中等离子体的浓度分布可调，且能够防止线圈的温度过高。
等离子体处理装置及其绝缘组件

[发明专利]一种去除金属纳米线表面有机物及氧化层的方法-CN201410723389.2有效
发明人：王冉冉;孙静;高濂 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2014-12-02 - 公布日： 2018-03-06 - 主分类号： B08B7/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种去除金属纳米线表面有机物及氧化层的方法，所述方法是对金属纳米线或金属纳米线集合体进行常压等离子体处理，以除去金属纳米线表面的有机物和氧化层，其中等离子体气氛为氢气或氢气与惰性气氛的混合气，等离子体处理温度为20～180℃。本发明采用常压等离子体处理除去金属纳米线表面的有机物和氧化层，且处理温度可低至室温，即本发明在常压、低温下即可实现金属纳米线表面有机物及氧化层的同时去除。
一种去除金属纳米表面有机物氧化方法

[发明专利]用瞬时等离子体光谱分析监视和控制激光冲击冷锻的方法-CN00122556.1无效
发明人： R·L·特兰托;U·W·苏 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2000-08-03 - 公布日： 2001-05-02 - 主分类号： G01N21/73 文献下载
摘要：工件激光冲击冷锻处理的质量保证方法包括测量和记录等离子体持续期短时间内的瞬时光强度数据;其中等离子体与来自生产型激光冲击冷锻处理期间发射的激光散粒的气化材料有关。然后记录的瞬时数据被分析以得到等离子体瞬时光谱,并用来提供生产型激光冲击冷锻处理的统计控制。本发明的一个相关函数基于每一次激光发射的时间积分的光谱峰值强度波长曲线并为此在多次或所有发射的每一个等离子体持续期内的多个时间点确定峰值强度波长。
瞬时等离子体光谱分析监视控制激光冲击方法

[发明专利]一种热电化学氧化的调控方法-CN202210106263.5在审
发明人：李昊旻;于飞;王连可;雷厉 -专利权人：西比里电机技术（苏州）有限公司;西安交通大学
申请日： 2022-01-28 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： C25D11/02 文献下载
摘要：本发明的一种热电化学氧化的调控方法，通过外置磁场调控热电化学氧化过程中等离子体的运动，减少热电化学氧化过程中等离子体的集聚，降低等离子体的剧烈程度，避免不均匀烧蚀。
一种热电化学氧化调控方法

[发明专利]一种激光烧蚀过程中等离子体吸收率的测量方法-CN201510608854.2有效
发明人：符永宏;刘强宪;叶云霞;康正阳;纪敬虎;华希俊 -专利权人：江苏大学
申请日： 2015-09-22 - 公布日： 2018-02-27 - 主分类号： G01N21/31 文献下载
摘要：本发明提供了一种激光烧蚀过程中等离子体吸收率的测量方法，将等离子体吸收率的测量转化为对激光烧蚀所得微凹腔形貌尺寸的测量。在加工过程中均匀变化激光能量密度；随后，通过三维形貌仪测得微凹腔的直径和深度，通过直径‑激光能量密度曲线求得激光烧蚀阈值Fth；然后结合微凹腔深度，由理论计算得到表层材料有效系数α，进而得到激光烧蚀过程中等离子体吸收率
一种激光过程等离子体吸收率测量方法

[发明专利]一种制备预制件的方法以及由该预制件形成光纤的方法-CN200810144666.9有效
发明人： J·A·哈特休克;I·米利塞维克;M·J·N·范斯特拉伦;R·H·M·德克尔斯;M·科斯滕 -专利权人：德雷卡通信技术公司
申请日： 2008-06-30 - 公布日： 2008-12-31 - 主分类号： C03B37/018 文献下载
摘要：本发明涉及一种通过气相沉积工艺制备光纤预制件的方法，其中建立等离子体条件且其中等离子体沿空心基管的纵轴在空心基管靠近输入侧的反转点和靠近排放侧的反转点之间前后移动，其中在一相沉积和另一相沉积之间进行过渡沉积
一种制备预制件方法以及形成光纤

[发明专利]用于处理基板的装置和方法-CN202010589986.6在审
发明人：全炳建;金铉镇;尹基星;成哓星;安宗焕 -专利权人：细美事有限公司
申请日： 2020-06-24 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及用于处理基板的装置和方法，所述装置包括：腔室，在所述腔室中具有处理空间；基板支承单元，其在处理空间中支承基板；气体供应单元，其将气体供应到处理空间中；和等离子体生成单元，等离子体生成单元包括RF电源，所述RF电源施加RF功率，其中等离子体生成单元通过使用RF功率从气体生成等离子体。多个加热构件，其设置在支承板的不同区域中；加热器电源，其将功率施加至多个加热构件；滤波器，其防止多个加热构件与RF电源之间的耦合；和检测单元，其设置在多个加热构件与滤波器之间，且检测支承板的各个区域的等离子体特性
用于处理装置方法

[发明专利]包括等离子体激元谐振器的混合传感器-CN202080085114.4在审
发明人： A.福尔克;S.扎法尔 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2020-12-02 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L31/062 文献下载
摘要：一种半导体结构，包括连接半导体衬底(312)上的源极(302)和半导体衬底(312)上的漏极(304)的沟道(310)，其中沟道(310)包括等离子体激元谐振器。一种传感器，包括等离子体激元膜、半导体结构和等离子体激元膜与半导体结构的栅极之间的电连接，其中等离子体激元膜包括对已知分析物的敏感性，半导体结构包括场效应晶体管的源极(302)和漏极(304)。一种形成传感器的方法，包括在半导体衬底(312)上形成场效应晶体管(“FET”)，该场效应晶体管包括源极(302)、漏极(304)和栅极，其中该栅极包括等离子体激元谐振器。
包括等离子体谐振器混合传感器

[发明专利]等离子体生成单元以及包括其的基板处理装置-CN201810257607.6有效
发明人：奥格森·加尔斯强;李贞焕;安宗奂;南信祐 -专利权人：细美事有限公司
申请日： 2018-03-27 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：公开了等离子体生成单元和包括其的基板处理装置。基板处理装置包括：处理室，该处理室在其内部具有处理空间；基板支撑单元，其构造为支撑处理空间中的基板；气体供给单元，其构造为将处理气体供给到处理空间；以及等离子体生成单元，其布置在处理室的外部并且构造为使处理室中的处理气体生成等离子体，其中等离子体生成单元包括：天线单元，其包括构造为使处理气体生成等离子体的多个天线线圈；以及磁结构，其包括布置在多个天线线圈之间的磁壁，其中天线单元包括具有环形形状的第一天线线圈，以及布置在第一天线线圈外侧且具有环形形状的第二天线线圈
等离子体生成单元以及包括处理装置

[发明专利]一种基于反射式衰减片的等离子体不同光强区域原位同步成像方法-CN201810641656.X有效
发明人：邹江林;李敏;王利达;肖荣诗;赵乐 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2018-06-21 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： H05H1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于反射式衰减片的等离子体不同光强区域原位同步成像方法，具体为一种利用光在两片非平行衰减片间多次反射和透射，实现等离子体不同光强区域原位同步成像的观察方法。本发明方法基于等离子体辐射的光进入非平行的两面反射式衰减片中多次反射和透射，采用相机记录每一次透射的光。采用该方法能够获得等离子体不同光强区域的清晰形貌。本发明适用于激光制造、电弧制造、激光电弧复合制造、核聚变等过程中等离子体的观察。
一种基于反射衰减等离子体不同区域原位同步成像方法

[发明专利]锂电池电极片的毛边处理方法及装置-CN201210204824.1无效
发明人：唐中华;辛煜;邹帅 -专利权人：苏州大学
申请日： 2012-06-20 - 公布日： 2012-09-26 - 主分类号： C23F4/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种锂电池电极片的毛边处理方法及装置，该方法包括：S1、提供等离子体刻蚀装置；S2、将锂电池电极片竖直放置在所述等离子体刻蚀装置腔室内的第二电极上；S3、将所述腔室抽至本底真空，并向腔室内通入反应气体使腔室达到预定气压；S4、开启并调节所述第一射频源和第二射频源，所述腔室内反应气体被激发形成等离子体，所述等离子体对锂电池电极片的剖面进行轰击以进行刻蚀。本发明采用等离子体干法刻蚀的方法对锂电池电极片剖面进行刻蚀处理，处理过程中等离子体中的高能离子将轰击锂电池电极片的剖面并产生刻蚀效果，以除去电极片边缘的金属毛刺和金属粉尘，由此消除锂电池电极片边缘毛刺造成内部短路的隐患
锂电池电极毛边处理方法装置

[发明专利]沉积系统以及方法-CN202210621046.X在审
发明人：李资良;郑柏贤 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-06-01 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： C23C16/50 文献下载
摘要：将前体材料引入室。在耦合到室的第一电磁(EM)辐射源前面产生第一气幕。由所述室中的前体材料产生等离子体，其中等离子体包括前体材料的解离组分。使等离子体经受来自第一EM辐射源的第一EM辐射。第一EM辐射进一步解离前体材料。在衬底上方沉积层。该层包括前体材料的解离组分的反应产物。
沉积系统以及方法

[发明专利]用于激光致等离子体EUV光源的气体管理系统-CN200880105195.9有效
发明人： A·N·贝卡诺弗;A·I·叶尔绍夫;I·V·福缅科夫;D·C·勃兰特 -专利权人：西默股份有限公司
申请日： 2008-08-15 - 公布日： 2010-07-28 - 主分类号： G21G4/00 文献下载
摘要：本文记载设备及其相应使用方法，该设备可包括界定闭环流体路径的密封结构以及在等离子体场所产生等离子体的系统，例如激光致等离子体系统，其中等离子体场所可与流体路径流体连通。对该设备而言，可将气体设置在可包含离子止动缓冲气和/或腐蚀剂的密封结构中。可提供泵以强制气体通过闭环流体路径。可提供从在流体路径中的流动的气体去除热量的一个或多个热交换器。
用于激光等离子体 euv 光源气体管理系统

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