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[发明专利]化学气相沉积方法和装置-CN201310731247.6在审
发明人：李兴存 -专利权人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2013-12-26 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明一种化学气相沉积方法，该化学气相沉积方法包括向设置有基片的反应腔内通入金属源前驱体和非金属源前驱体，其中，所述金属源前驱体和所述非金属源前驱体均经过在化学气相沉积过程中始终开启的等离子体发生装置，且所述金属源前驱体脉冲地通入所述反应腔中。在整个化学气相沉积的过程中等离子体发生装置始终开启，避免了等离子体发生装置的电极频繁起辉，降低了所述电极在射频高压作用下受轰击而产生颗粒的风险，因此也降低了颗粒污染基片的风险，并且提高了等离子体发生装置中射频电源的寿命
化学沉积方法装置

[发明专利]一种快速动作的旁路开关-CN201410225642.1有效
发明人：刘轩东;刘善红;张乔根;铁维昊 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2014-05-26 - 公布日： 2014-09-03 - 主分类号： H01T2/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种快速动作的旁路开关，所述开关为气体火花开关，包括高压电极和地电极，其特征在于，所述开关通过在地电极表面形成喷射等离子体并注入到开关间隙中，使得喷射等离子体在开关间隙中形成并不断向前发展，当等离子体的头部与高压电极之间剩余间隙不断缩短导致电场严重畸变时，引起间隙放电，进而导致整个开关的触发导通，实现开关的快速触发导通。由于开关间隙中等离子体的存在为间隙的放电提供了大量的初始电子，降低了间隙的绝缘强度，因此可以在自击穿电压5％～10％的极低工作系数下使开关快速触发放电。
一种快速动作旁路开关

[发明专利]等离子体化学刻蚀设备中的可更换喷嘴ICP发生装置-CN201610623985.2有效
发明人：王旭;薛栋林;张学军;刘泉;郑立功 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2016-08-02 - 公布日： 2017-11-03 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种等离子体化学刻蚀设备中的可更换喷嘴ICP发生装置，属于光学曲面镜加工精密加工装置技术领域。该ICP发生装置包括喷嘴、等离子体炬管、套设于等离子体炬管外的感应线圈、高压特斯拉点火线圈、射频电源和匹配器，射频电源和匹配器为感应线圈供电，高压特斯拉点火线圈由外部电源进行供电；喷嘴与ICP发生装置中等离子体矩管的前端为可拆卸的固定连接
等离子体化学刻蚀设备中的更换喷嘴 icp 发生装置

[发明专利]用于等离子体掺杂的方法和装置-CN03159751.3无效
发明人：奥村智洋;中山一郎;水野文二 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2003-09-24 - 公布日： 2005-02-09 - 主分类号： H01L21/223 文献下载
摘要：第一高频电源被加载到等离子体产生元件上，从而产生等离子体，以使腔体中的杂质被注入到基片中。另外，第二高频电源被加载到工作台上。对腔体中等离子体的状态和工作台中的电压和电流进行检测。控制器根据检测到的等离子体的状态和/或检测到的电压或电流，对第一和第二高频电源中的至少一个进行控制，从而控制所要注入杂质的注入浓度。
用于等离子体掺杂方法装置

[实用新型]危险固体废物等离子体无害化处理系统-CN201820452933.8有效
发明人：关雷 -专利权人：北京戎聚环境科技有限公司
申请日： 2018-04-02 - 公布日： 2019-01-11 - 主分类号： B09B3/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种危险固体废物等离子体无害化处理系统，其包括进给系统、等离子体气化熔融炉、重整燃烧室、热交换系统、烟气治理系统和排气系统，其中等离子体气化熔融炉和重整燃烧室均设置有等离子体炬。
燃烧室等离子体无害化处理系统等离子体气化危险固体废物本实用新型熔融炉重金属浸出重整烟气治理系统等离子体炬热交换系统有效地控制二次污染进给系统剧毒气体路基材料排气系统飞灰烟气建筑材料臭气

[发明专利]用于多电极电感等离子体源的无源功率分配-CN201080006340.5无效
发明人： D·C·卡特;V·L·布劳克 -专利权人：先进能源工业公司
申请日： 2010-02-02 - 公布日： 2011-12-28 - 主分类号： H05H1/24 文献下载
摘要：本发明公开一种用于控制处理腔室中等离子体的空间分布的系统、方法和装置。示例性系统包括设置为在所述初级电感器被有源地施加功率时激励所述等离子体的初级电感器；至少一个次级电感器，定位于邻近于所述初级电感器，以使得通过所述次级电感器的基本全部电流由所述等离子体与所述初级电感器的互感产生此外，至少一个端接元件耦合至所述至少一个次级电感器，所述至少一个端接元件影响通过所述至少一个次级电感器的电流，以影响所述等离子体的所述空间分布。
用于电极电感等离子体无源功率分配

[发明专利]具有用于确定原子氢浓度的装置的投射曝光设备-CN202210258174.2在审
发明人： D.埃姆;M.贝克 -专利权人：卡尔蔡司SMT有限责任公司
申请日： 2022-03-16 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体光刻的投射曝光设备(1)，包括用于确定光学元件(25、25.1)的区域中等离子体(29)中原子氢浓度的装置，其中该装置包括传感器(32、32.1、32.2、32.3、32.4)。在这种情况下，该装置包括布置在等离子体(29)的区域与传感器(32、32.1、32.2、32.3、32.4)之间的过滤器元件(31、31.1、31.2、31.3、31.4)，其中过滤器元件(31、31.1、31.2、31.3、31.4)被配置为主要允许原子氢从等离子体(29)通行到传感器(32、32.1、32.2、32.3、32.4)。
具有用于确定原子浓度装置投射曝光设备

[发明专利]一种高压环境中的填丝焊方法-CN202310208597.8在审
发明人：揭延森;张林杰;宁杰;龙健;罗锡柱 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2023-03-07 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： B23K10/02 文献下载
摘要：本公开揭示了一种高压环境中的填丝焊方法，包括：S100：对待焊工件、焊丝和靶材进行预处理；S200：根据焊接需求对待焊工件、焊丝和靶材的相对位置进行布置；S300：以等离子体为热源对焊丝进行加热熔化；S400本公开以等离子体作为热源进行焊接，可以有效避免高压环境中等离子体对激光的屏蔽作用从而提高激光能量的利用率。
一种高压环境中的填丝焊方法

[发明专利]基于非辐射能量转移的固态光照设备-CN201580027620.7有效
发明人： M.A.弗舒伦;M.伦茨;K.郭;G.S.洛扎诺巴贝罗;R.范布拉克尔 -专利权人：亮锐控股有限公司
申请日： 2015-05-18 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：提供了一种光照设备，包括：波长转换层，波长转换层包括配置成吸收能量以达到激发状态的光子发射施体，以及光子发射受体；配置成向施体提供能量使得施体达到激发状态的能量源；其中施体和受体选择和布置在距彼此的一定距离处，使得发生从施体向受体的激发能量的非辐射转移，并且其中受体配置成在能量转移之后在第二波长处发射光子；光照设备进一步包括周期性等离子体天线阵列，其布置在基板上并嵌入波长转换层内，并且包括布置在天线阵列平面中的多个单独天线元件，等离子体天线阵列配置成在第二波长处支持第一晶格共振，其源于单独天线元件中的局部表面等离子体共振向包括等离子体天线阵列和波长转换层的系统所支持的光子模的耦合，其中等离子体天线阵列配置成包括等离子体共振模，使得从等离子体天线阵列发射的光具有各向异性的角分布。
基于辐射能量转移固态光照设备

[发明专利]一种大面积空间均匀等离子体发生器及发生方法-CN202010433075.4在审
发明人：吴云;宗豪华;朱益飞;卞栋梁;张志波;宋慧敏;贾敏 -专利权人：中国人民解放军空军工程大学
申请日： 2020-05-20 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： H05H1/24 文献下载
摘要：公开一种大面积空间均匀等离子体发生器，包括高压电源、正极导线、负极导线。正极导线和负极导线均为栅格结构，正极导线与负极导线的栅格结构相互交叉，整体构成经纬相交的网状结构，必须保证交叉点是均匀分布的。当高压电源输出高压时，在正极导线和负极导线形成的网格交叉点附近形成高场强区域；受电场力作用，空气中的部分分子发生电离，产生等离子体；由于整个等离子体发生器中存在着大量的正负极导线交叉点，而每一个交叉点都产生等离子体，因此能够在整个电极平面内产生均匀分布的等离子体。本发明用于解决杀菌消毒、材料改性、污废水处理等具体领域的工业应用中等离子体产生效率低、处理面积小、处理效果空间不均匀的缺点。
一种大面积空间均匀等离子体发生器发生方法

[发明专利]一种等离子体处理装置及其处理方法-CN201010106570.0有效
发明人：倪图强 -专利权人：中微半导体设备(上海)有限公司
申请日： 2010-02-05 - 公布日： 2010-07-28 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种等离子体处理装置，包含：引入有反应气体的真空处理腔室；相对设置在处理腔室内侧的上电极和下电极，下电极上放置有被处理的基片；与下电极连接的具有第一频率的第一射频功率源，用于在上电极和下电极之间形成反应气体的等离子体本发明由于在上电极上设有若干电绝缘的分区，并在一些分区上施加功率可变的交流电源，在其下方形成厚度与功率成正比的鞘层，使等离子体更多地向等离子体鞘层较薄的位置流动，增加该位置的等离子体密度，进而能够稳定地调整处理腔室中等离子体的均匀性
一种等离子体处理装置及其方法

[发明专利]用于液/气相样品在线检测的便携式元素光谱仪-CN201110195562.2有效
发明人：段忆翔 -专利权人：段忆翔
申请日： 2011-07-13 - 公布日： 2011-12-07 - 主分类号： G01N21/73 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于液/气相样品在线检测的便携式元素光谱仪，包括样品引入系统、等离子体原子化系统和光谱测量处理系统，其中等离子体原子化系统主要包括等离子体焰炬管、微波能施加装置、等离子体引发装置和等离子体焰炬稳定室，所述等离子体焰炬管由样品输送内管、同轴套置在内管外材质为导电金属的中管和同轴套置在中管外的外管壳构成，所述微波能施加装置由微波源和通过微波传输导线与微波源相连接的天线构成，天线设置在中管管壁外接近出口处
用于样品在线检测便携式元素光谱仪

[发明专利]电感耦合线圈及其电感耦合等离子体装置-CN200510002966.X有效
发明人：宋巧丽 -专利权人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2005-01-27 - 公布日： 2006-08-02 - 主分类号： H01F5/00 文献下载
摘要：采用了这种结构的电感耦合等离子体装置减小了电感耦合线圈的电感，从而可以很容易地获得大面积的等离子体和改善大面积工艺中等离子体的均匀性。在线圈的输出端接一个接地电容，使得等离子体的分布在径向和方位角方向也更加均匀。内外平面线圈结构的设计改变了等离子体在反应腔室内部的分布，改善了等离子体在反应腔室内部的分布均匀性，从而使得在晶片表面上各点的刻蚀速率更加相近。
电感耦合线圈及其等离子体装置

[实用新型]一种生长碳纳米管的等离子体气相沉积系统-CN201520228986.8有效
发明人：赵青;曾令珂 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2015-04-16 - 公布日： 2015-11-11 - 主分类号： C23C16/26 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法生长碳纳米管的等离子体气相沉积系统，涉及等离子体化学气相沉积领域及碳纳米管冷阴极领域，以解决现有技术中等离子体分布不均匀从而影响碳纳米管阵列薄膜生长的均匀性的问题本实用新型系统分两部分，一部分为中心与通气管道相接的金属圆盘，金属圆盘与直流高压电源正极相接，另一部分为位于金属圆盘正下方用于装载待生长样品的金属底盘与高压电源负极相接，在进行等离子体气相沉积实验时，由于将待生长碳纳米管的硅衬底置于金属圆盘中心通气管道的正下方，从而保证待生长碳纳米管的硅衬底表面上等离子体的分布是均匀的。
一种生长纳米等离子体沉积系统

[实用新型]一种多路微波源的大功率等离子体发生装置-CN202121934993.1有效
发明人：朱铧丞;杨阳;黄卡玛 -专利权人：四川大学
申请日： 2021-08-17 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：本实用新型涉及等离子体设备领域，是指一种多路微波源的大功率等离子体发生装置，解决了现有技术中等离子体尺寸小、功率低的问题。本实用新型包括等离子体点火装置、微波发生装置、波导和反应腔，入气口、微波腔；所述微波腔轴心位置与反应腔轴心重合；所述微波发生装置设置于微波腔周围；所述微波发生装置不少于三个；所述微波腔为空心圆柱形的多模腔；本实用新型公开的一种多路微波源的大功率等离子体发生装置，通过不同距离、高低错落的设置多个微波发生装置，并将电磁波均匀集中的束缚在石英管中心位置，实现大功率、大尺寸的等离子体激发；本实用新型结构简单、激发效率高
一种微波大功率等离子体发生装置

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