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[发明专利]一种非易失三维存储器的控制电路-CN201711281993.4在审
发明人：刘飞;霍宗亮;杨诗洋;王颀;叶甜春 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2017-12-07 - 公布日： 2018-05-15 - 主分类号： G11C16/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种非易失三维存储器的控制电路，该控制电路包括：电压生成电路、电平检测电路、充电电路以及放电电路；电压生成电路用于为三维存储器字线提供电压；充电电路用于为三维存储器字线进行充电；放电电路用于为三维存储器字线进行放电；电平检测电路用于检测三维存储器中的字线电压是否偏离目标电压，当字线电压低于目标电压时，三维存储器通过充电电路进行充电，当字线电压高于目标电压时，三维存储器通过所述放电电路进行放电。该控制电路有效消除了三维存储器字线电压扰动，防止三维存储器因工艺偏差和偏置电压控制时序导致的字线电压耦合问题，大幅度缩短了字线电压稳定时间，显著提高了三维存储器的读写效率。
一种非易失三维存储器控制电路

[发明专利]混合层三维存储器-CN200610162698.2无效
发明人：张国飙 -专利权人：张国飙
申请日： 2006-12-01 - 公布日： 2008-06-04 - 主分类号： H01L27/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种混合层三维存储器。其中，一部分三维存储层采用层间分离的形式，即相邻的存储层之间有层间介质；而另一部分三维存储层采用层间交叉的形式，即相邻的存储层之间没有层间介质，并共享地址选择线。混合层三维存储器结合了层间分离三维存储器和层间交叉三维存储器各自的优点，它特别适合于具有较大存储层数目的三维存储器。
混合三维存储器

[发明专利]三维存储器件、三维存储器及其操作方法和三维存储器系统-CN202010723914.6有效
发明人：刘磊;周文犀;夏志良 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-07-24 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明提供一种三维存储器件、三维存储器及其操作方法和三维存储器系统。三维存储器件包括多个数据区块，多个数据区块中的每一个对应于在三维存储器件内执行的擦除操作的基本单元，其中多个数据区块具有不同的区块容量。
三维存储器件存储器及其操作方法系统

[发明专利]用于多维存储器的选择性错误率信息-CN201880021286.8有效
发明人： J·M·埃诺;S·E·布拉德绍 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-03-20 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： G06F11/07 文献下载
摘要：一种存储器装置，其可包含三维存储器实体，所述三维存储器实体各自包含多个二维存储器实体。控制器可按第一分辨率从所述存储器读取数据且按包含二维存储器实体的一部分的第二分辨率从所述存储器收集错误率信息。所述控制器可基于所述错误率信息确定一定数量的二维存储器实体，所述数量的二维存储器实体具有大于所述二维存储器实体的剩余部分的错误率。所述控制器可基于排除与所述数量的二维存储器实体相关联的所述二维存储器实体的部分的错误率信息的所述错误率信息确定一定数量的三维存储器实体的部分，所述数量的三维存储器实体的部分具有大于三维存储器实体的所述部分的剩余部分的错误率所述控制器可剔除所述数量的所述二维存储器实体及所述数量的所述三维存储器实体。
用于多维存储器选择性错误率信息

[发明专利]三维存储器及三维存储器的制备方法-CN202080101285.1在审
发明人：景蔚亮;王正波;崔靖杰 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2020-06-28 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H10B53/20 文献下载
摘要：本申请提供了一种三维存储器和三维存储器的制备方法。三维存储器包括层叠结构、通道结构、存储结构。层叠结构包括交替堆叠的导体层和介质层。通道结构贯穿层叠结构。所述导体层中包括导电材料。所述存储结构在所述导体层中，形成于所述通道结构的表面，且处于所述通道结构和所述导电材料之间。三维存储器的存储结构位于导体层中，并且形成于通道结构的表面，从而制造三维存储器时，能够避免去除牺牲材料时由于工艺偏差对三维存储器的性能产生的影响。
三维存储器制备方法

[发明专利]三维存储结构制作方法、存储结构、存储器及电子设备-CN201711184313.7在审
发明人：霍宗亮;周文斌;张磊;杨鹏 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2017-11-23 - 公布日： 2018-04-20 - 主分类号： H01L27/11551 文献下载
摘要：本发明提供一种三维存储结构制作方法、三维存储结构、三维存储器及电子设备。其中，所述三维存储结构制作方法，包括在衬底上形成凹陷区；在所述凹陷区形成三维存储器件；在非凹陷区形成外围电路。本发明提供的三维存储结构制作方法，通过优先制作三维存储器件，在三维存储器件形成后再制作外围电路，可以避免三维存储器件制程中的热处理过程对外围电路的不良影响，从而可以有效提高外围电路器件电性能及产品良率。
三维存储结构制作方法存储器电子设备

[发明专利]掩膜板、三维存储器及相关制备与测量方法-CN201910503430.8有效
发明人：张磊;李思晢;周玉婷;汤召辉;董明;曾凡清 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-06-11 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明为掩膜板、三维存储器及相关制备与测量方法，公开了一种掩膜板、三维存储器、三维存储器台阶区域的形成方法以及三维存储器台阶区域内台阶偏移量的确定方法，其中，所述掩膜板，应用于三维存储器台阶区域的刻蚀工艺中，包括：若干第一图案，所述若干第一图案与所述三维存储器台阶区域内的若干台阶的预设形成位置一一对应，用于在所述台阶的预设形成位置内的第一位置形成测量标记。
掩膜板三维存储器相关制备测量方法

[发明专利]一种三维存储器及其制备方法-CN201710772641.2在审
发明人：霍宗亮;靳磊 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2017-08-31 - 公布日： 2017-12-22 - 主分类号： H01L27/11578 文献下载
摘要：本申请公开了一种三维存储器及其制备方法，其中，所述三维存储器的共用源极由钨金属电极和至少覆盖所述钨金属电极朝向相邻所述阵列结构两侧的缓冲导电层构成，所述缓冲导电层与所述三维存储器的隔离层形成直接接触，以解决钨金属电极与隔离层难以形成良好的界面接触的问题，从而达到提升所述三维存储器的击穿电压，提升所述三维存储器的电学性能的目的。并且所述共用源极由钨金属电极和缓冲导电层构成，在一定程度上减少了自身应力较大的钨金属材料的使用，从而实现了降低三维存储器的应力的目的，进一步提升所述三维存储器的电学性能。
一种三维存储器及其制备方法

[发明专利]三维存储器字线电阻的测量方法-CN201711138083.0有效
发明人：卢勤;张顺勇;汤光敏;高慧敏 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2017-11-16 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种三维存储器字线电阻的测量方法，属于半导体技术领域。所述方法包括：提供三维存储器样品(阵列区尚无通孔)；研磨三维存储器样品的金属层至呈现沟道孔插塞；研磨三维存储器样品的第一台阶区至露出第一阶梯区的所有字线，并沉积金属将露出的所有字线进行连接；在三维存储器样品的第二台阶区测量相邻两个字线的电阻和本发明中的方法，实现了快速准确的对三维存储器样品中所有字线的电阻的测量，从而为三维存储器的电性分析提供依据，有利于三维存储器产品的顺利研发。
三维存储器电阻测量方法

[发明专利]一种基于三维卷积神经网络的映射装置及方法-CN201910674202.7有效
发明人：张锋;宋仁俊;霍强 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2019-07-24 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： G06N3/063 文献下载
摘要：一种基于三维卷积神经网络的映射装置及映射方法，用于对三维卷积神经网络的卷积核进行映射，映射装置由P层阻变存储器阵列组成，其中：每一阻变存储器阵列由M×N个阻变存储器组成，阻变存储器阵列的层数P等于卷积核的第三维尺寸，每一阻变存储器阵列的行数M等于卷积核的第一维尺寸、第二维尺寸和输入三维卷积神经网络的输入特征图的数量的乘积，每一阻变存储器阵列的列数N等于三维卷积神经网络中卷积核的个数，每一阻变存储器中存储有相应的计算参数通过将三维卷积神经网络中的每一计算参数映射至相应的阻变存储器中，有效实现了三维卷积神经网络的硬件映射，具有低硬件开销和低功耗的优点。
一种基于三维卷积神经网络映射装置方法

[发明专利]一种基于三维垂直阻变存储器的视频动作识别方法和装置-CN202210578058.9有效
发明人：时拓;刘琦 -专利权人：之江实验室
申请日： 2022-05-26 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： G06V20/40 文献下载
摘要：本发明属于非易失性存储器技术领域，涉及一种基于三维垂直阻变存储器的视频动作识别方法和装置，该方法包括：步骤一，搭建基于自整流器件的三维垂直阻变存储器；步骤二，采集并预处理用于视频动作识别的训练集图像和测试集图像；步骤三，构造三维卷积神经网络模型；步骤四，使用训练集图像，在三维垂直阻变存储器上仿真训练三维卷积神经网络模型；步骤五，利用在三维垂直阻变存储器上训练好的三维卷积神经网络模型，输入测试集图像，进行视频动作识别本发明基于的三维垂直阻变存储器具有高整流率，可以实现较低的读写误差，同时由于本发明的三维堆叠结构的设计，具有高度并行性，可以快速高效的从视频中识别动作。
一种基于三维垂直存储器视频动作识别方法装置

[发明专利]一种基于深度学习三维模型的自动生成装置和方法-CN201810601044.8在审
发明人：罗国亮;邓志刚;夏海滨;邬昌兴;刘伟;雷浩鹏 -专利权人：江西师范大学
申请日： 2018-06-12 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： G06T17/00 文献下载
摘要：一种基于深度学习三维模型的自动生成装置和方法，包括校验器、中央处理器、显示终端、参数数据存储器和目标三维模型数据存储器；校验器与参数数据存储器通讯连接，参数数据存储器与中央处理器通信连接，中央处理器与显示终端、目标三维模型数据存储器分别通信连接。本发明不在依赖成本高昂的视觉加深度传感器的扫描仪生成新的三维模型数据，能简便快速的生成三维模型，大大降低三维模型采集的成本大大减小了数据生成成本，有利于极大地提高三维模型数据的应用和推广。
三维模型数据存储器三维模型中央处理器参数数据自动生成装置通信连接显示终端校验器存储器通讯深度传感器数据生成扫描仪减小视觉采集学习应用

[发明专利]分离的三维处理器-CN202211669495.8在审
发明人：张国飙 -专利权人：杭州海存信息技术有限公司
申请日： 2019-01-16 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： G06F15/78 文献下载
摘要：分离的三维处理器(100)含有耦合的第一芯片(100a)和第二芯片(100b)：第一芯片(100a)含有三维存储（3D‑M）阵列(170)；第二芯片(100b)含有逻辑电路(180)和3D‑M阵列(1703D‑M包括三维随机访问存储器（3D‑RAM）、三维只读存储器（3D‑ROM）；三维印录存储器（3D‑P）、三维可写存储器（3D‑W）；三维横向存储（3D‑MH）、三维纵向存储（3D‑MV）等。
分离三维处理器

[发明专利]三维存储器、制备方法以及存储系统-CN202210361036.7在审
发明人：张坤 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-04-07 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L27/11568 文献下载
摘要：本申请提供了一种三维存储器、制备方法及存储系统，三维存储器包括：叠层结构；覆盖加固层，设置于叠层结构上；栅线间隙结构，沿叠层结构的堆叠方向贯穿叠层结构，并在垂直于堆叠方向的第一方向延伸，其中覆盖加固层包括至少一个隔离结构本申请提供的三维存储器通过在叠层结构上设置覆盖加固层，不但可增强三维存储器结构的连接和固定，还可改善和释放三维存储器结构的局部应力，增加三维存储器结构的稳定性。
三维存储器制备方法以及存储系统

[发明专利]三维阻变存储器件及其操作方法-CN201510405477.2有效
发明人：潘立阳;袁方;洪新红;张志刚 -专利权人：清华大学
申请日： 2015-07-10 - 公布日： 2017-08-11 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本发明提供一种三维阻变存储器件及其操作方法，三维阻变存储器件包括半导体衬底；位于半导体衬底上的外围电路结构，外围电路结构包括电流型灵敏放大器电路；以及位于外围电路结构上的三维阻变存储器阵列，三维阻变存储器阵列划分为多个区块，每个区块包括多个垂直存储串。电流型灵敏放大器电路用于感应三维阻变存储器阵列中选中存储单元的读取电流与参考单元的读取电流之差并放大为相应的高电平和低电平信号输出，以保证存储信息读取的正确性。根据本发明实施例的三维阻变存储器件及其操作方法，可以实现抗串扰、无误读的高效存储，并达到三维高密度存储的目的。
三维存储器件及其操作方法

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