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[发明专利]一种用于标定3D NAND位线与字线短接的方法-CN202010047211.6有效
发明人： 汤光敏;张顺勇 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-01-16 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种用于标定3D NAND位线与字线短接的方法，包括以下过程：确定目标地址，并根据目标地址确定目标字线层；将目标字线层以下的所有字线层相电连并施加一能够打开沟道结构的沟道层的电压；将第一探针与目标字线层相电连，将第二探针与衬底上的导电层相电连；在第一探针和第二探针上施加热点抓取条件，利用光发射显微镜进行失效热点定位。本发明方法通过将目标字线层以下的所有字线层相电连并施加一电压，从而将沟道结构内的沟道层打开，使沟道电阻减小几个数量级，从而增大整个回路电流，增强了失效的信号，这样光发射显微镜设备就可以顺利进行失效定位。利用本发明方法可以提早进行纠错，缩短了检测周期，提高了生产效率。
一种用于标定 nand 字线短接方法

[发明专利]3D存储器件的测试样品制备方法-CN202111622560.7在审
发明人：潘绪文;吴继君;汤光敏 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： G01N1/28 文献下载
摘要：本申请公开了一种3D存储器件的测试样品制备方法，包括：在所述3D存储器件中确定取样区域；按照所述取样区域从所述3D存储器件切割出狭长的薄片；将所述薄片转移并固定至基板上；以及将所述薄片减薄至预定厚度以获得测试样品，所述薄片转移的过程中，其顶端与聚焦离子束系统的执行器粘接，与所述顶面相对的底部接口与基板接触。该测试样品制备方法可以获得用于电子显微镜观察的狭长形状的测试样品，通过确定狭长结构的失效位置以及估计失效原因来提高3D存储器件的良率。
存储器件测试样品制备方法

[发明专利]芯片的失效点定位方法-CN202111353366.3在审
发明人：袁静;汤光敏;张顺勇 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-11-16 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：公开了一种芯片的失效点定位方法，其去除芯片的边缘结构，以在芯片的截面上暴露出多个金属层的部分，通过暴露的金属层向芯片提供电流，并通过EBAC(E‑Beam Absorbance Current，电子束吸收电流)技术获得芯片的截面在电流驱动下的截面图像，根据该截面图像的明暗区交界处位置可直接定位获得失效点的深度位置，无需多次去层芯片，逐步暴露不同深度的底层金属进行多次测试，有效提升了失效点的深度位置的分析测试速度，为芯片研发提供了便利。
芯片失效定位方法

[发明专利]一种半导体器件失效检测方法-CN201910113057.5有效
发明人：宋王琴;张顺勇;汤光敏 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-02-13 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件失效检测方法，用于对所述半导体器件的栅极与源极之间进行短路检测，所述半导体器件至少包括：衬底、在所述衬底上层叠排列的多层栅极层、在所述衬底上表面分立分布的多个源极区、所述衬底的接触栓塞和所述栅极层的接触栓塞；其中，所述衬底与所述源极区之间形成PN结；所述方法包括以下步骤：在所述衬底的接触栓塞与所述栅极层的接触栓塞之间加电压，测量流过所述衬底的接触栓塞与所述栅极层的接触栓塞的电流值；基于所述电流值的测量结果，判断所述半导体器件的栅极与源极之间是否短路。
一种半导体器件失效检测方法

[发明专利]一种用于三维存储器沟道导通性的测量方法-CN201711139448.1有效
发明人：鲁柳;张顺勇;汤光敏;刘刚 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2017-11-16 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本发明提供一种新的用于三维存储器沟道导通性的测量方法,该方法通过结合使用聚焦离子束机台以及纳米点针台，从而可以在外围电路工艺完善之前提前完成对沟道导通性的准确测试。可以克服传统测量方法中外围控制电路的不良问题对三维存储器沟道导通性测量的影响，实现对沟道本身导电性的测试，并缩短工艺研发周期。
一种用于三维存储器沟道通性测量方法

[发明专利]一种字线电阻测试方法及三维存储器失效分析方法-CN201710772622.X有效
发明人： 汤光敏;张顺勇 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2017-08-31 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： G11C29/56 文献下载
摘要：本申请公开了一种字线电阻测试方法及三维存储器失效分析方法，其中，所述字线电阻测试方法首先将三维存储器的第一台阶区和第二台阶区的多根通孔连线暴露出来，然后通过在第一台阶区形成连接金属层的方式，将多根字线通过通孔连线和连接金属层连接起来，最后通过在第二台阶区测试每两根待测连线的电阻，并根据测试获得的第一测试电阻、第二测试电阻和第三测试电阻计算三个所述待测连线的电阻，也即得到了与这三根待测连线对应的字线电阻，从而实现了对三维存储器中字线电阻的测量，为对三维存储器进行失效分析奠定了基础。
一种电阻测试方法三维存储器失效分析

[发明专利]三维存储器字线电阻的测量方法-CN201711138083.0有效
发明人：卢勤;张顺勇;汤光敏;高慧敏 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2017-11-16 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种三维存储器字线电阻的测量方法，属于半导体技术领域。所述方法包括：提供三维存储器样品(阵列区尚无通孔)；研磨三维存储器样品的金属层至呈现沟道孔插塞；研磨三维存储器样品的第一台阶区至露出第一阶梯区的所有字线，并沉积金属将露出的所有字线进行连接；在三维存储器样品的第二台阶区测量相邻两个字线的电阻和，以及第一个字线与最后一个字线的电阻和；根据测量的电阻和计算每个字线的电阻。本发明中的方法，实现了快速准确的对三维存储器样品中所有字线的电阻的测量，从而为三维存储器的电性分析提供依据，有利于三维存储器产品的顺利研发。
三维存储器电阻测量方法

[发明专利]一种存储器芯片上测试单个比特的方法-CN201611085661.4有效
发明人： 汤光敏;张顺勇;高慧敏;卢勤 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2016-11-30 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供了一种存储器芯片上测试单个比特的方法，包括步骤：提供存储器芯片，将所述存储器芯片减薄到目标比特的字线层；在所述字线层的栅极上形成导电层；提供测试信号给所述导电层，通过探针测试单个比特的电气特性。在本发明提供的存储器芯片上测试单个比特的方法中，首先将存储器芯片减薄到字线层，暴露出字线层的栅极，在栅极上形成导电层，然后通过给所述导电层提供测试信号，可实现将所有连接导电层的栅极打开，再通过探针测试单个比特的电气特性，完成存储器芯片上单个比特的失效测试。
一种存储器芯片测试单个比特方法

[发明专利]防止钨栓塞腐蚀的半导体特性分析方法-CN201711140440.7有效
发明人：卢勤;张顺勇;高慧敏;汤光敏 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2017-11-16 - 公布日： 2020-03-13 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种防止钨栓塞腐蚀的半导体特性分析方法，属于半导体技术领域。所述方法包括：在晶圆上截取待分析样品，并调配预设浓度的研磨液；去除待分析样品的钝化层及金属叠层至呈现第一金属层；使用调配的预设浓度的研磨液配合抛光盘预定的转速去除第一金属层至呈现钨栓塞层；对呈现钨栓塞层的样品进行特性分析。本发明中，通过调配预设浓度且安全环保的研磨液，并配合抛光盘一定的转速来去除待分析样品的第一金属层，有效地抑制了钨栓塞的电化学反应，进而确保了钨栓塞的完好，使得在钨栓塞层能够进行完整的器件标定，避免了因为样品的处理问题而造成特性分析的误判。
防止栓塞腐蚀半导体特性分析方法

[发明专利]一种用于标定3D NAND产品位线短接缺陷的方法-CN201711139435.4有效
发明人： 汤光敏;张顺勇 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2017-11-16 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于标定3D NAND产品位线短接缺陷的方法，所述方法包括如下步骤：通过电压‑电流测量确定位线结构中两根短接的位线；将所述位线结构从背面处理，减薄背面硅基层，直至栓塞层即将露出；研磨掉剩余的硅基层，露出栓塞层；跟踪所述位线结构的版图走向，找出与所述两根短接的位线分别连接的栓塞层；在两个栓塞层上分别沉积金属盘；使用扫描近场光学显微镜的两个探针，分别扎在两个所述金属盘上，使用所述扫描近场光学显微镜的激光照射所述位线结构，抓取热点，并在所述热点附近打标记；在所述位线结构的背面二次研磨，直到将所述位线结构中的第一通孔磨掉，然后使用扫描电镜观察所述标记的附近区域，即可得到两根位线的短接位置。
一种用于标定 nand 品位线短接缺陷方法

[发明专利]一种测试3DNAND字线电阻的方法-CN201611013387.X有效
发明人： 汤光敏;张顺勇;李品欢 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2016-11-17 - 公布日： 2019-11-29 - 主分类号： G11C29/48 文献下载
摘要：本发明涉及存储器失效分析技术领域，尤其涉及一种测试3D NAND字线电阻的方法，包括：步骤S1，将3D NAND减薄至暴露每层字线的第一接触孔和第二接触孔；步骤S2，在所述字线的第一端，形成金属垫覆盖每层所述字线的所述第一接触孔，以将每层所述字线的第一端电连接；步骤S3，在所述字线的第二端，选取一层待测试字线，在所述待测试字线的所述第二接触孔上标记出待测点；步骤S4，使用导电胶将所述金属垫引出至临近所述待测点的位置；步骤S5，选取所述导电胶上临近所述待测点的一量测点，使用探针量取所述量测点与所述待测点之间的电阻值，作为所述待测试字线的所述第一端和所述第二端之间的电阻值。
一种测试 dnand 电阻方法

[发明专利]三维MOS存储芯片的样品制备方法及样品观测方法-CN201611191662.7有效
发明人：高慧敏;张顺勇;汤光敏;卢勤 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2016-12-21 - 公布日： 2019-08-23 - 主分类号： G01N1/28 文献下载
摘要：本发明提供了一种三维MOS存储芯片的样品制备方法及样品观测方法，所述芯片上包含失效地址、第一参考点和第二参考点；在所述芯片标上覆盖所述第一参考点的第一记号和覆盖所述第二参考点的第二记号；先研磨第一边侧面至所述第一记号处，研磨第二边侧面至所述第二记号处；再对所述芯片进行平面样品制备，根据电子束装置拍出的图像将所述芯片切到所述失效地址所在层。在使用透射电镜对制备出的样品进行观测时，从第一参考点沿垂直所述第一参考点所在侧边方向数出第一距离，从第二参考点沿垂直所述第二参考点所在侧边数出第二距离，两者的交叉点即失效地址的单元结构。
三维 mos 存储芯片样品制备方法观测

[发明专利]3D NAND存储器位线的电阻测试方法-CN201910038841.4在审
发明人： 汤光敏;张顺勇 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-01-16 - 公布日： 2019-05-17 - 主分类号： G11C29/50 文献下载
摘要：一种3D NAND存储器位线的电阻测试方法，包括：提供失效晶圆，所述失效晶圆包括衬底和位于衬底正面上的3D NAND存储器，所述3D NAND存储器包括若干位线和与每个位线相应连接的若干金属插塞；选取多根位线作为目标位线，将多根目标位线通过金属线路连接；从衬底的背面平坦化所述衬底，直至暴露所述与目标位线连接的金属插塞；对目标位线所对应的金属插塞进行测试，获得目标位线的电阻值。本发明的测试方法可以减小3D NAND存储器位线电阻的测试难度，并且能保证测试的精度。
目标位位线金属插塞衬底电阻测试测试晶圆测试难度衬底正面金属线路位线电阻平坦化线连接电阻减小背面暴露保证

[发明专利]一种元器件饱和电流的量测方法和量测系统-CN201610642042.4有效
发明人： 汤光敏;张顺勇;高慧敏;卢勤 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2016-08-08 - 公布日： 2019-04-30 - 主分类号： G01R19/00 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件失效分析技术领域，尤其涉及一种元器件饱和电流的量测方法和量测系统，该量测方法包括：提供一探针台，所述探针台包括吸附卡盘、电学监测仪以及多根探针；将一元器件放置于所述吸附卡盘上且与所述电学监测仪电连接；所述探针台利用一第一探针在所述元器件的栅极端施加一固定电压，并利用一第二探针和一第三探针在所述元器件的沟道两端施加可变电流；以及利用所述电学监测仪，对所述沟道两端的可变电流进行监测。
一种元器件饱和电流方法系统

[发明专利]一种区分PMOS栅极与源漏极或N阱之间漏电的方法-CN201711167855.3有效
发明人：高慧敏;张顺勇;卢勤;鲁柳;汤光敏 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2017-11-21 - 公布日： 2019-03-12 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明涉及一种区分PMOS栅极与源漏极或N阱之间漏电的方法，所述方法包括如下步骤：使用纳米点针对失效PMOS进行2针漏电测试，其中一针扎在栅极上，另一针扎在N阱上，从而测量栅极到N阱是否存在漏电，得到电流‑电压曲线图。如果所述电流‑电压曲线为正比斜线，则栅极与N阱之间存在漏电；如果所述电流‑电压曲线为二极管开启曲线，则栅极到源漏极短路。本发明的区分PMOS栅极与源漏极或N阱之间漏电的新方法，能够解决同类型案例分析技术难题，提高失效分析工作成功率，节约人力成本和机台使用时间。
一种区分 pmos 栅极源漏极之间漏电方法

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