[发明专利]一种高功率EUV光刻光源的双脉冲驱动光源在审

专利信息
申请号: 202211436224.8 申请日: 2022-11-16
公开(公告)号: CN115842282A 公开(公告)日: 2023-03-24
发明(设计)人: 徐岩;林楠;冷雨欣;邵建达 申请(专利权)人: 中国科学院上海光学精密机械研究所
主分类号: H01S3/16 分类号: H01S3/16;G03F7/20
代理公司: 上海恒慧知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31317 代理人: 张宁展
地址: 201800 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及激光技术领域,公开了一种高功率EUV光刻光源的双脉冲驱动光源,波长范围为1800~2500nm,使用掺Tm材料作为激光增益介质,包括脉冲种子源、脉冲选择器、脉冲分束装置、脉冲延时装置、脉冲整形器和激光脉冲放大系统,其中脉冲种子源包括锁模振荡器和纳秒脉冲种子源。驱动光源输出的双脉冲可由同一脉冲种子源产生,通过脉冲分束装置和脉冲延时装置实现时间延时可调的双脉冲输出,驱动光源的激光脉冲放大系统包括至少一级脉冲放大器,并且可通过脉冲展宽器和脉冲压缩器调节脉冲宽度。驱动源输出的双脉冲也可以分别由不同脉冲种子源产生,脉冲序列通过脉冲选择器降低至合适重频后,利用脉冲延时装置实现双脉冲的延时输出,激光脉冲放大系统包括至少一级脉冲放大器,并且可通过脉冲展宽器和脉冲压缩器调节脉冲宽度。本发明通过利用高功率2μm波段全固态激光器高平均功率、高插墙效率、小装置体积等特性,替代目前作为驱动光源的CO2激光器,获得更高的平均功率输出,提升激发EUV辐射的功率,解决EUV光刻机芯片产量提升的问题。
搜索关键词: 一种 功率 euv 光刻 光源 脉冲 驱动
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  • 2022-11-30 - 2023-03-14 - H01S3/16
  • 本实用新型涉及一种高效率产生2.3μm激光的装置,利用铥离子自身3F4能级到3H6能级产生的2μm激光受激辐射,加速3F4能级粒子的转移,实现3H4能级粒子数布局的有效调控,降低3F4能级粒子数无效布局,减小与3F4能级相关的能量损耗;由3F4能级返回至3H6能级时粒子可由泵浦过程反哺至3H4能级,有效提高2.3μm激光跃迁的有效粒子数布局,同时,3H43H5产生的2.3μm激光与3F43H6产生的2μm激光,这两个跃迁过程对应的上下能级并不直接关联,因此可以减小竞争效应,实现双波长、多状态激光运转,可以增强激光产生过程的整体量子效率,降低激光介质中的热存积,改善热效应。
  • 离子束增强腐蚀制备晶体薄膜的方法-202110614863.8
  • 谭杨;李慧琦;陈峰 - 山东大学
  • 2021-06-02 - 2023-03-03 - H01S3/16
  • 本发明涉及一种离子束增强腐蚀制备晶体薄膜的方法,该方法采用重离子束碳离子结合化学腐蚀法进行,利用离子辐照技术认为对晶体材料制造缺陷层,使用采用金刚石切割刀在辐照过的晶体表面进行切割制备出凹槽,进而将缺陷层暴露出来增大与酸溶液的接触面积,利用化学腐蚀技术对缺陷层进行腐蚀,实现大面积微米量级厚度晶体薄膜的剥离,实现晶体薄膜的快速制备,时间短、工序简单、成本低,易于大规模推广应用。
  • 基于PTX对称电介质的多波长激光器-202211374853.2
  • 方明;刘江华;程伟 - 湖北科技学院
  • 2022-11-04 - 2023-02-03 - H01S3/16
  • 本发明涉及基于PTX对称电介质的多波长激光器,包括由电介质薄片A和B对接形成的电介质结构,且所述电介质结构满足nar=nbrG为尺度变换系数,A的厚度为da,B的厚度为db,nar和nbr分别为A和B折射率的实部,nai和nbi分别为A和B折射率的虚部;所述电介质结构支持多波长激光点,多波长激光点对应着透射率和反射率的极大值点,可通过改变入射角的大小,来调控多波长激光器的波长。本发明的PTX对称电介质结构简单,缩短了增益介质的尺度,便于在实践中实现,从而得到较理想的多波长激光器。所述多波长激光器可通过改变入射角的大小来灵活地调控波长。
  • 一种高效率产生2.3μm激光的装置及方法-202211519556.2
  • 蔡恩林;徐剑秋;徐洁 - 苏州思萃高强激光智能制造技术研究所有限公司
  • 2022-11-30 - 2023-02-03 - H01S3/16
  • 本发明涉及一种高效率产生2.3μm激光的装置及方法,利用铥离子自身3F4能级到3H6能级产生的2μm激光受激辐射,加速3F4能级粒子的转移,实现3H4能级粒子数布局的有效调控,降低3F4能级粒子数无效布局,减小与3F4能级相关的能量损耗;由3F4能级返回至3H6能级时粒子可由泵浦过程反哺至3H4能级,有效提高2.3μm激光跃迁的有效粒子数布局,同时,3H43H5产生的2.3μm激光与3F43H6产生的2μm激光,这两个跃迁过程对应的上下能级并不直接关联,因此可以减小竞争效应,实现双波长、多状态激光运转,可以增强激光产生过程的整体量子效率,降低激光介质中的热存积,改善热效应。
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