[发明专利]半导体元件结构在审
申请号: | 202211254501.3 | 申请日: | 2022-10-13 |
公开(公告)号: | CN116960179A | 公开(公告)日: | 2023-10-27 |
发明(设计)人: | 陈昱频;黄崇勋 | 申请(专利权)人: | 南亚科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L29/78 | 分类号: | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/49;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/10 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 闫华 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 一种半导体元件结构,包括一基底、一第一栅极结构、一第二栅极结构、一第一井区,以及一第一结构。该基底具有一第一表面和与该第一表面相对的一第二表面。该第一栅极结构设置在该第一表面上。该第二栅极结构设置在该第一表面上。该第一井区位于该基底中,并在该第一栅极结构和该第二栅极结构之间。该第一结构设置在该第一井区中。该第一结构的形状具有一锐角。 | ||
搜索关键词: | 半导体 元件 结构 | ||
【主权项】:
暂无信息
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