[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 202211059125.2 | 申请日： | 2022-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN115411115A | 公开（公告）日： | 2022-11-29 |
| 发明（设计）人： | 李治福;刘广辉;艾飞;罗成志 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/78;H01L29/10 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 杨瑞 |
| 地址： | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件。通过使第一有源层位于衬底上，第一绝缘层覆盖第一有源层，且第一绝缘层上设有第一过孔，第二有源层位于第一绝缘层上，第三有源层位于第一过孔内，且第三有源层连接第一有源层和第二有源层，从而使得半导体器件的沟道长度可根据第一绝缘层的厚度而确定，半导体器件的沟道宽度可根据第一过孔的周长而确定，有利于实现极小沟道长度的半导体器件的制备，从而也有利于提高半导体器件的迁移率。此外，由于第三有源层位于所述第一过孔内并连接第一有源层和第二有源层，因而相较于第一有源层、第二有源层和第三有源层均位于同一平面内的设计方式，本发明可降低半导体器件的占用面积，且可避免曝光精度和蚀刻精度的限制。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
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