[发明专利]具有栅极电压钳位保护功能的PMOS驱动电路及使能平移电路在审
| 申请号： | 202211041267.6 | 申请日： | 2022-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN115276626A | 公开（公告）日： | 2022-11-01 |
| 发明（设计）人： | 陈绪坤;杨文解;许夏辉 | 申请（专利权）人： | 珠海普林芯驰科技有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/081 | 分类号： | H03K17/081;H03K17/687;H03K19/0185 |
| 代理公司： | 珠海智专专利商标代理有限公司 44262 | 代理人： | 林永协 |
| 地址： | 519000 广东省珠海市高新区唐*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供一种具有栅极电压钳位保护功能的PMOS驱动电路及使能平移电路，PMOS驱动电路中，第一钳位支路的第一端连接电源端，第二端连接两级开环比较器电路的第一级输出节点；第二钳位支路的第一端连接电源端，第二端连接两级开环比较器电路的第二级输出节点；第一放电支路的第一端连接第二级输出节点，第一放电支路的第二端接地；增强下拉驱动钳位电路连接第一级输出节点与第二级输出节点；两级开环比较器的两个输入端之间设置反相器，反相器的输入端连接第一输入端，反相器的输出端连接第二输入端，该电路实现带钳位功能输出特性，具有较强的输出驱动能力，可以驱动需栅极钳位的大尺寸的PMOS管。本发明还提供实现栅极电压钳位保护功能的使能平移电路。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 栅极 电压 保护 功能 pmos 驱动 电路 平移 | ||
【主权项】：
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- 2023-06-07 - 2023-08-15 - H03K17/081
- 本发明揭示了一种负载开关电路，包括：时钟及计时信号产生单元，与使能信号端口相连，用于根据输入使能信号产生多路非交叠时钟信号及多路计时信号；功率管，所述功率管的第一端与电源端口相连，第二端与输出端口相连；电荷泵单元，与时钟及计时信号产生单元和功率管的控制端相连，用于根据多路非交叠时钟信号及多路计时信号产生控制功率管的控制信号，通过控制控制信号的上升时间以控制功率管的导通时间。本发明的负载开关电路可提供不同的软启动时间来实现不同的系统要求，以解决光模块在热插拔时浪涌电流过大的问题；同时负载开关电路结构简单、功耗低，可广泛应用于各种电源系统中。
- 一种提升Sic MOSFET器件短路耐受时间的电路及方法-202310578297.9
- 孙鹏菊;欧阳文远;谢明航;杜雄;罗全明;马兴 - 重庆大学;国网重庆市电力公司电力科学研究院;国家电网有限公司
- 2023-05-22 - 2023-08-15 - H03K17/081
- 本发明公开了一种提升Sic MOSFET器件短路耐受时间的电路及方法，包括Sic MOSFET器件及其栅极驱动电路，还包括漏压分压模块和栅压钳位模块，其中，所述漏压分压模块设于Sic MOSFET器件的漏极和源级之间，所述栅压钳位模块设于Sic MOSFET器件的栅极和源级之间；所述栅压钳位模块包括MOS管T1，所述漏压分压模块与栅压钳位模块的MOS管T1的栅极相连，当Sic MOSFET器件的漏极与源级之间的电压超过阈值时，漏压分压模块能够触发栅压钳位模块工作；当栅压钳位模块工作时，能迅速将Sic MOSFET器件的驱动电压钳位在安全电压范围内，使Sic MOSFET器件的短路电流减小。本发明将SiC MOSFET的短路耐受时间延长到与IGBT相同的水平，并缩减了电路成本，便于推广应用。
- 一种超极结MOS应用的保护电路-201610206185.0
- 朱俊高;王斌;黄斌 - 深圳市莱福德光电有限公司
- 2016-04-05 - 2023-08-15 - H03K17/081
- 本发明公开了一种超极结MOS应用的保护电路，包括电阻R1和PWM IC1，所述电阻R1分别与高压电HV和R2串联，所述R2分别与二极管Z1和R5串联，所述电容C2并联于电阻R4，所述电阻R4与电阻R3并联，所述电容C3与PWM IC1的公共端电性连接，所述PWM IC1的另一个引脚与IC1 Comp 1脚引脚电性连接，IC1 Comp 1脚引脚分别与NPN型三极管Q2和NPN型三极管Q3连接，所述电容C2连接于IC1 Comp 1脚引脚。本发明电路应用在单级PFC电路里，或是通用的适配器里都可以，可以解决CoolMOS同类问题，相对于同规格的MOS，CoolMOS RDS(ON)小，降低了损耗，提高了整机效率，可以降低产品的成本，做到更高的功率密度，实现产品的优式。
- 一种新型控制MOS管缓开启电路-202321058462.X
- 朱学政;刘武超;张帅帅 - 洛阳华九电子科技有限公司
- 2023-05-04 - 2023-08-15 - H03K17/081
- 一种新型控制MOS管缓开启电路，包括隔离电源发生电路、隔离驱动IC芯片、带缓启动功能的电子开关IC芯片、限流驱动电阻、用于快速关断响应的二极管，隔离驱动IC芯片的输入端连接微控制器的输出端，电子开关IC芯片位于隔离驱动IC芯片后端，电子开关IC芯片的输入端接隔离电源发生电路的输出端，电子开关IC芯片的输出端与限流驱动电阻连接，限流驱动电阻的另一端接MOS管的驱动端，电子开关ICC芯片的使能端接隔离驱动IC芯片的输出端，隔离驱动IC芯片的输出端与MOS管的驱动端之间反接二极管。本实用新型能够在控制MOS管驱动电压上升速度的同时，又能够为MOS管在整个开通过程中提供一定的驱动电流，来维持MOS管稳定的逐步的线性开通过程，大大提高了产品工作的可靠性。
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