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[发明专利]一种SiC MOSFET器件栅极退化监测方法及监测电路-CN202310888313.4在审
发明人： 孙鹏菊;杨滢辉;李凯伟;马兴;杜雄;罗全明 -专利权人：重庆大学;国网重庆市电力公司电力科学研究院;国家电网有限公司
申请日： 2023-07-19 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明提供一种沟槽栅型SiC MOSFET器件栅极退化监测方法和监测电路。该方法利用SiC MOSFET器件第三象限零栅压、不同结温下的输出特性曲线交点处的体二极管压降作为特征量。在双脉冲电路中，下管待测SiC MOSFET器件的栅压始终保持零栅压；在电感电流通过下管待测SiC MOSFET器件续流时，侦测交点电流下待测SiC MOSFET器件的体二极管压降值，通过与全新器件在该交点电流下的体二极管压降值作对比以判断待测SiC MOSFET器件是否发生了栅极退化。本发明能够忽略结温的影响实现SiC MOSFET器件栅极退化的准确监测，且是一个很好的在线监测的候选方法，可以避免因停机检测造成的经济损失。
一种 sic mosfet 器件栅极退化监测方法电路

[发明专利]一种列车运行速度曲线规划方法、装置、设备、存储介质-CN202310808359.0在审
发明人：马兴;杨爽;陈咏涛;廖玉祥;陈爽;熊来红;魏永鑫;张友强;董光德;付昂;朱小军;王瑞妙;杜雄;管勃;孙鹏菊;赵小娟;周敬森;朱晟毅 -专利权人：国网重庆市电力公司电力科学研究院;国网重庆市电力公司;国家电网有限公司
申请日： 2023-07-03 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： G06Q10/063 文献下载
摘要：本申请公开了一种列车运行速度曲线规划方法、装置、设备、存储介质，涉及城市轨道交通技术领域，包括：基于列车在不同工作线路区间的限速信息生成相应的列车运行策略；确定列车运行策略中高限速部分牵引区间和低限速部分制动区间的自适应系数；利用列车运行策略中的各个工作线路区间的运行距离、自适应系数生成列车的运行速度曲线；采用预设群智能算法对运行速度曲线优化获取目标运行速度曲线。由于各个站间限速区间各有不同，需要列车使用不同的运行策略，通过自适应系数对高限速区间和低限速区间的速度提升或降低过程的速度进行适应性调整，解决因线路区间数量过多产生的计算复杂的问题，获取符合当前线路条件的运行速度曲线。
一种列车运行速度曲线规划方法装置设备存储介质

[发明专利]一种提升逆变器中SiC MOSFET器件运行寿命的方法-CN202310888542.6在审
发明人： 孙鹏菊;兰昱锋;马兴;李强;房新斌;谢明航;罗全明;杜雄 -专利权人：重庆大学;国网重庆市电力公司电力科学研究院;国家电网有限公司
申请日： 2023-07-19 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H02M1/32 文献下载
摘要：本发明公开一种提升逆变器中SiC MOSFET器件运行寿命的方法，在包括主桥臂A、B、C的三相逆变器中，设有用于分时导通的冗余桥臂D和用于换相的双向可控硅TA、TB和TC；由控制器发出控制指令，根据三相主桥臂A、B、C各相输出电流的相位，来决定是否需要进行分时导通控制；当判断某相电流进入较大区间时，由控制器开通与该相连接的双向可控硅并且把该相桥臂的驱动信号给予冗余桥臂，并把该相桥臂上的SiC MOSFET关断，从而使该相桥臂暂时“休息”，实现降低该桥臂结温峰值和结温波动幅值的目的，进而实现三相主桥臂A、B、C和冗余桥臂D及双向可控硅TA、TB和TC的分时导通与换相，以提升三相逆变器中SiC MOSFET运行寿命。
一种提升逆变器 sic mosfet 器件运行寿命方法

[发明专利]一种用于GaN MIS-HEMT功率器件的短路保护方法及保护电路-CN202310866470.5在审
发明人： 孙鹏菊;胡应鹏;黄旭;兰昱锋;房新斌;杨滢辉;周兴豪;刘青松;高铭泽;欧阳铭熙;欧阳文远;谢明航 -专利权人：重庆大学
申请日： 2023-07-14 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H02H3/08 文献下载
摘要：本发明公开一种用于GaN MIS‑HEMT功率器件的短路保护方法及保护电路，所述保护方法包括通过差分采样电路获取栅极驱动电阻RGon的电压，以此来还原驱动回路的栅极泄漏电流；然后通过带有复位开关S1的积分电路对栅极泄漏电流积分以获取栅极泄漏电荷；再通过比较器获取短路故障信号；最后硬关断电路将短路故障信号通过SR锁存器锁存，锁存器的输出信号Q直接连接LED灯以作短路故障警示信号，锁存器的另一输出信号‑Q经数字隔离器把使能信号反馈给GaN MIS‑HEMT的隔离型驱动，控制驱动芯片使能工作。所述保护电路包括栅极泄漏电荷检测电路和硬关断电路。本发明解决现有技术存在受PCB布局和器件封装结构寄生参数的影响，短路保护电路设计复杂、成本高等问题。
一种用于 gan mis hemt 功率器件短路保护方法电路

[发明专利]一种基于模态分析的多逆变器系统电网阻抗检测方法-CN202310742330.7在审
发明人： 孙鹏菊;李强;黄旭;兰昱锋;欧阳铭熙;李凯伟;房新斌;高铭泽 -专利权人：重庆大学
申请日： 2023-06-21 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G01R27/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于模态分析的多逆变器系统电网阻抗检测方法，包括多逆变器系统模态分析模型的建立、系统谐振信息数据库的建立。根据新能源发电系统的运行工况，确定电网阻抗的波动范围，将其分别带入系统的导纳矩阵，并依次计算谐振频率，形成系统谐振信息的数据库；在系统运行过程中，检测逆变器输出电流和总入网电流的波形，并进行频谱分析，得到系统的谐振频率，与数据库信息进行对比，确定实时的电网阻抗参数。本发明在逆变器并联运行过程中，可以通过检测系统电流的谐振信息确定电网阻抗，并且不影响系统的正常运行，解决了新能源系统电网阻抗检测的难题。
一种基于分析逆变器系统电网阻抗检测方法

[发明专利]一种电容储能系统控制方法、装置以及介质-CN202310597084.0在审
发明人：马兴;陈咏涛;廖玉祥;张友强;杨爽;董光德;付昂;朱小军;王瑞妙;杜雄;管勃;孙鹏菊;赵小娟;周敬森;朱晟毅 -专利权人：国网重庆市电力公司电力科学研究院;国网重庆市电力公司;国家电网有限公司
申请日： 2023-05-25 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H02J3/32 文献下载
摘要：本申请涉及能量储存技术领域，公开了一种电容储能系统控制方法、装置以及介质，相对于当前技术中，城市轨道交通系统中部分储能系统故障后，未故障的储能系统仍以原先的参数进行储能控制，会引起牵引网电压波动，影响再生制动能量回收利用，采用本技术方案，通过计算列车的牵引制动功率，结合稳压率和节能率设置各储能系统的容量配置和电压阈值，得出储能系统正常工作情况下的工作参数。当检测到存在储能系统故障时，根据各储能系统反馈的故障码调用电压阀值表，从电压阀值表中找到故障码对应的储能系统的电压阈值。采用本技术方案，在储能系统发生故障时，查找此时未故障的储能系统应当有的参数进行储能控制，实现对牵引网电压波动的抑制。
一种电容系统控制方法装置以及介质

[发明专利]一种SiC MOSFET器件键合线老化监测电路及在线监测方法-CN202310578346.9在审
发明人： 孙鹏菊;谢明航;欧阳文远;房新斌;罗全明;杜雄;马兴 -专利权人：重庆大学;国网重庆市电力公司电力科学研究院;国家电网有限公司
申请日： 2023-05-22 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开一种SiC MOSFET器件键合线老化监测电路及在线监测方法，所述电路包括峰值检测电路、模数转换电路和控制运算单元；峰值检测电路包括第一峰值检测电路和第二峰值检测电路；第一峰值检测电路获取器件外部KS端子和S端子之间的电压VKS‑S，第二峰值检测电路获取器件电路中杂散电感上的电压VCIR；模数转换电路用于对峰值检测电路获取的电压值进行转换，并传给控制运算单元；控制运算单元发出指令，并对模数转换电路获取的数据进行计算，将VKS‑S和VCIR的比值作为SiC MOSFET器件键合线疲劳老化的特征量指标。具有构思巧妙，设计合理，结构简单等特点，能够在器件开通瞬态过程中提取出老化特征量并进行键合线老化监测。
一种 sic mosfet 器件键合线老化监测电路在线方法

[发明专利]一种提升Sic MOSFET器件短路耐受时间的电路及方法-CN202310578297.9在审
发明人： 孙鹏菊;欧阳文远;谢明航;杜雄;罗全明;马兴 -专利权人：重庆大学;国网重庆市电力公司电力科学研究院;国家电网有限公司
申请日： 2023-05-22 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H03K17/081 文献下载
摘要：本发明公开了一种提升Sic MOSFET器件短路耐受时间的电路及方法，包括Sic MOSFET器件及其栅极驱动电路，还包括漏压分压模块和栅压钳位模块，其中，所述漏压分压模块设于Sic MOSFET器件的漏极和源级之间，所述栅压钳位模块设于Sic MOSFET器件的栅极和源级之间；所述栅压钳位模块包括MOS管T1，所述漏压分压模块与栅压钳位模块的MOS管T1的栅极相连，当Sic MOSFET器件的漏极与源级之间的电压超过阈值时，漏压分压模块能够触发栅压钳位模块工作；当栅压钳位模块工作时，能迅速将Sic MOSFET器件的驱动电压钳位在安全电压范围内，使Sic MOSFET器件的短路电流减小。本发明将SiC MOSFET的短路耐受时间延长到与IGBT相同的水平，并缩减了电路成本，便于推广应用。
一种提升 sic mosfet 器件短路耐受时间电路方法

[发明专利]用于表征IGBT器件的结温的装置、方法和峰值检测电路-CN202310409630.3在审
发明人：王博;房新斌;孙鹏菊;赵品志;孟金磊;沈瑞华 -专利权人： ABB瑞士股份有限公司
申请日： 2023-04-17 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明涉及用于表征IGBT器件的结温的装置、方法和峰值检测电路。具体地，本公开实施例提供了一种用于表征IGBT器件的结温的装置，其中IGBT器件包括串联连接的第一IGBT和第二IGBT，所述装置包括：电压测量电路，被配置为在第二IGBT的开关操作期间测量第二IGBT的主发射极节点与辅发射极节点之间的第二杂散电感上的感应电压在相电流的不同半周期的不同峰值；以及结温表征器，被配置为基于不同峰值分别生成第一表征信号和第二表征信号，第一表征信号表征第一IGBT的第一结温，第二表征信号表征第二IGBT的第二结温。
用于表征 igbt 器件装置方法峰值检测电路

[发明专利]一种基于模态分析的多逆变器系统谐振快速定位方法-CN202310039954.2在审
发明人：周生奇;刘宏波;罗鲁东;钟世民;刘祥圣;苗骁健;张滨;孙忠良;王杉;隋昊田;李昊;胡薇;刘嘉超;娄亮;孙鹏菊;李强 -专利权人：国网山东省电力公司青岛供电公司;重庆大学
申请日： 2023-01-12 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： G01R23/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于模态分析的多逆变器系统谐振快速定位方法，该定位方法包括系统导纳矩阵的建立，以及系统谐振定位的在线快速计算。当多台逆变器并联运行时，借助节点电压法，列写系统的导纳矩阵；当系统的逆变器设备出现投切时，通过对矩阵元素的增删来实现系统的变化；然后通过模态分析程序的变步长快速计算，得出系统的谐振频率，实现系统谐振的在线定位。本发明在逆变器并联运行过程中，可以对系统逆变器数量变化引发的谐振变化进行快速分析，并且不影响系统的正常运行，解决了大规模新能源系统谐振定位难以在线实施的难题，大大提高了系统的谐振定位能力。
一种基于分析逆变器系统谐振快速定位方法

[发明专利]并网逆变器系统中减小锁相环影响的控制方法-CN201910502152.4有效
发明人：杜雄;赵艺婷;时颖;张博;罗全明;孙鹏菊;卢伟国 -专利权人：重庆大学
申请日： 2019-06-11 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H02J3/38 文献下载
摘要：本发明提供的一种并网逆变器系统中减小锁相环影响的控制方法，包括步骤：S2：在电网电压并网逆变器公共连接点处中加入小扰动电压信号up，并获得小扰动电压信号up的q轴分量Upq(s)；S3：获得并网逆变器输出电流在dq坐标下的q轴分量Iq和d轴分量Id；S4：根据Iq、Id和Upq(s)，计算电网的电流扰动分量和占空比扰动分量S5：计算电流扰动分量的相反量和占空比扰动分量的相反量S6：向电流环控制器中产生扰动的电流扰动处和产生占空比扰动处分别输入电流扰动分量的相反量和占空比扰动分量的相反量本发明通用性强、适用范围广，在并网逆变器系统发生改变时仍能使用，无需再次设计，动态性能好，使得在电网电压幅值发生改变时，并网电流电压能够快速达到稳态。
并网逆变器系统减小锁相环影响控制方法

[发明专利]一种电压钳位电路及其应用-CN202211166538.0在审
发明人： 孙鹏菊;黄旭;贺致远;李凯伟;李强;杜雄;罗全明 -专利权人：重庆大学
申请日： 2022-09-23 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开一种电压钳位电路及其在半导体功率器件导通压降测量中的应用，该电路包含高压二极管D，齐纳二极管Z，以及LM334恒流源电路。其中LM334恒流源电路包含LM334芯片和其工作所需外围电路用以产生满足齐纳二极管Z稳压所需的齐纳电流。钳位电路中DUT+端连接待测半导体功率器件漏极或集电极，DUT‑端连接待测半导体功率器件源极或射极；钳位电路中Vm+与Vm‑端用于输出钳位电压。通过调整高压二极管D、齐纳二极管Z和LM334工作所需外围电路R1、R2、D2可满足不同半导体功率器件测试需求。本发明具有结构简单，灵活性好，动态响应性能好，测量精度高、成本低廉等优点。
一种电压电路及其应用

[发明专利]一种双有源桥非对称占空比优化调制方法-CN202010962633.6有效
发明人：罗全明;牟迪;李佳;孙鹏菊;杜雄 -专利权人：重庆大学
申请日： 2020-09-14 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H02M3/335 文献下载
摘要：本发明公开了一种双有源桥非对称占空比优化调制方法，所述方法包括：S1、基于所述DAB转换器中开关的导通顺序及时长确定所述DAB转换器的工作模式；S2、求解各工作模式的稳态特征；S3、以电感电流峰峰值最小为优化目标，利用KKT条件下求出各工作模式下的最小峰值电流；S4、对各工作模式的最优值进行比较，得到全局最优解。与现有技术相比，本发明具有更小的电感电流有效值，更宽的软开关范围，能够降低DAB变换器的导通损耗及开关损耗，提高转换效率。此外，本发明公开的方法过程简单，更易实现。
一种有源对称优化调制方法

[发明专利]基于门极电荷变化的IGBT模块内部缺陷监测方法及电路-CN202011016747.8有效
发明人：王凯宏;周雒维;孙鹏菊;黄旭;杜雄 -专利权人：重庆大学
申请日： 2020-09-24 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了基于门极电荷变化的IGBT模块内部缺陷监测方法及电路，该方法基于IGBT模块在开关过程中的门极电信号会受到因IGBT模块老化导致其内部参数变化的影响的特点，通过监测IGBT模块在开关过程中的门极电信号来评估当期IGBT模块的健康状态；具体的，以IGBT模块门极电荷为监测对象，通过监测运行过程中IGBT模块门极电荷的变化来评估当前IGBT模块的内部缺陷情况；并通过连续对多个开关周期下获得的门极电荷信息进行累积，以放大IGBT模块内部的缺陷。本方案能在不拆卸IGBT模块的情况下方便地进行监测，同时又能确保在IGBT模块正常工作下就能实现对其健康状态的准确评估，提高模块和系统的可靠性。
基于电荷变化 igbt 模块内部缺陷监测方法电路

[发明专利]一种SiC MOSFET器件栅极老化监测电路及在线监测方法-CN202111248678.8在审
发明人： 孙鹏菊;谢明航;李凯伟;欧阳文远;罗全明;杜雄 -专利权人：重庆大学
申请日： 2021-10-26 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种SiCMOSFET栅极老化监测电路及在线监测方法，该监测电路包括常规驱动、监测驱动、采样与逻辑运算电路以及控制单元；监测方法包括：当待测器件正常工作时，由常规驱动控制器件的开通和关断；当待测器件处于关断状态且实施栅极老化监测时，电路由常规驱动切换到监测驱动，对栅极进行充电；当栅极电压到达设定值时，由逻辑运算电路关断监测驱动并生成充电时间信号传送至控制单元，控制单元捕捉充电时间信号有效电平的持续时间，该充电时间作为栅极老化的特征量，用于监测栅极老化状态。本发明不会影响到器件以及装置的正常工作，可实现栅极老化在线监测，解决了大多数栅极老化监测方法难以在线实施的问题，有效避免停机监测造成的经济损失。
一种 sic mosfet 器件栅极老化监测电路在线方法

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