[实用新型]高线性度全平衡混频器有效

专利信息
申请号: 201521065698.1 申请日: 2015-12-18
公开(公告)号: CN205232158U 公开(公告)日: 2016-05-11
发明(设计)人: 施钟鸣;杨林 申请(专利权)人: 无锡士康通讯技术有限公司
主分类号: H03D7/14 分类号: H03D7/14
代理公司: 北京中恒高博知识产权代理有限公司 11249 代理人: 宋敏
地址: 214000 江苏省无锡市*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型公开了一种高线性度全平衡混频器,PMOS管PM1的漏极与PMOS管PM3的漏极均与输入信号VRF+连接,PMOS管PM1的源极与PMOS管PM4的源极连接,PMOS管PM3的源极与PMOS管PM2的源极连接,PMOS管PM2的漏极与PMOS管PM4的漏极均与输入信号VRF-连接,PMOS管PM1的栅极和PMOS管PM2的栅极均与本振信号VLO+连接,PMOS管PM3的栅极和PMOS管PM4的栅极均与本振信号VLO-连接,PMOS管PM1的源极与PMOS管PM5的源极连接,PMOS管PM5的源极与运放器的反相输入端连接,PMOS管PM5的漏极与运放器的正向输出端连接,PMOS管PM5的栅极接地,PMOS管PM2的源极与PMOS管PM6的源极连接,PMOS管PM6的源极与运放器的同相输入端连接,PMOS管PM6的漏极与运放器的负向输出端连接,PMOS管PM6的栅极接地。实现在低电压下提高混频器线性度的优点。
搜索关键词: 线性 平衡混频器
【主权项】:
一种高线性度全平衡混频器,其特征在于,包括PMOS管PM1、PMOS管PM2、PMOS管PM3、PMOS管PM4、PMOS管PM5、PMOS管PM6和运放器,所述PMOS管PM1的漏极与PMOS管PM3的漏极均与输入信号VRF+连接,所述PMOS管PM1的源极与PMOS管PM4的源极连接,所述PMOS管PM3的源极与PMOS管PM2的源极连接,所述PMOS管PM2的漏极与PMOS管PM4的漏极均与输入信号VRF‑连接,所述PMOS管PM1的栅极和PMOS管PM2的栅极均与本振信号VLO+连接,所述PMOS管PM3的栅极和PMOS管PM4的栅极均与本振信号VLO‑连接,所述PMOS管PM1的源极与PMOS管PM5的源极连接,所述PMOS管PM5的源极与运放器的反相输入端连接,所述PMOS管PM5的漏极与运放器的正向输出端连接,所述PMOS管PM5的栅极接地,所述PMOS管PM2的源极与PMOS管PM6的源极连接,所述PMOS管PM6的源极与运放器的同相输入端连接,所述PMOS管PM6的漏极与运放器的负向输出端连接,所述PMOS管PM6的栅极接地,所述运放器的正向输出端和负向输出端之间连接电容CL。
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