[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202210405823.7 | 申请日： | 2022-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN116959985A | 公开（公告）日： | 2023-10-27 |
| 发明（设计）人： | 雒建明;方文勇;于海龙 | 申请（专利权）人： | 中芯南方集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张瑞;徐文欣 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中国*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，其中形成方法包括：包括：提供衬底，所述衬底包括沿第一方向排布的第一区和若干第二区，所述第一区位于相邻的所述第二区之间，所述第一区上具有若干沿所述第一方向排布的鳍部；采用流体化学气相沉积工艺形成初始隔离层，所述初始隔离层覆盖若干所述鳍部；在所述流体化学气相沉积工艺的过程中或形成所述初始隔离层之后，进行膨胀离子注入，使所述第二区上的所述初始隔离层向所述第一区上的所述鳍部产生压应力。能够有效的改善在采用流体化学气相沉积工艺形成所述初始隔离层的过程中对所述鳍部造成的弯曲程度。进而改善使得后续基于所述鳍部所形成的晶体管结构的电学性能，提升最终形成的半导体结构的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
