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- [发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202210405823.7在审
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雒建明;方文勇;于海龙
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中芯南方集成电路制造有限公司
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2022-04-18
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2023-10-27
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H01L21/336
- 一种半导体结构及其形成方法,其中形成方法包括:包括:提供衬底,所述衬底包括沿第一方向排布的第一区和若干第二区,所述第一区位于相邻的所述第二区之间,所述第一区上具有若干沿所述第一方向排布的鳍部;采用流体化学气相沉积工艺形成初始隔离层,所述初始隔离层覆盖若干所述鳍部;在所述流体化学气相沉积工艺的过程中或形成所述初始隔离层之后,进行膨胀离子注入,使所述第二区上的所述初始隔离层向所述第一区上的所述鳍部产生压应力。能够有效的改善在采用流体化学气相沉积工艺形成所述初始隔离层的过程中对所述鳍部造成的弯曲程度。进而改善使得后续基于所述鳍部所形成的晶体管结构的电学性能,提升最终形成的半导体结构的性能。
- 半导体结构及其形成方法
- [实用新型]一种衔接装置-CN202320505558.X有效
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徐亚平
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中芯南方集成电路制造有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
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2023-03-14
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2023-09-15
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F04B37/14
- 本申请提供一种衔接装置,用于衔接真空泵和管路,包括腔体,其中,腔体上设置有第一接口和第二接口,第一接口用于连接真空泵,第二接口用于连接管路;腔体内设置有至少一个逆止结构,至少一个逆止结构将腔体分隔为沿第一方向分布的至少两个子腔体,至少两个子腔体中的第一个子腔体和最后一个子腔体分别与第一接口和第二接口连通;逆止结构包括固定板和逆止板,固定板朝第一方向倾斜设置,固定板上开设有逆止孔,相邻的两个子腔体通过逆止孔连通,逆止板悬挂在腔体内且能够相对于固定板转动,当逆止板转动至与固定板贴合时,逆止板覆盖逆止孔,使至少两个子腔体中相邻的两个子腔体不连通。通过该衔接装置能够避免真空泵卡死同时防止气流倒灌。
- 一种衔接装置
- [发明专利]炉管装置-CN202111556563.5在审
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徐亚平
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中芯南方集成电路制造有限公司
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2021-12-17
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2023-06-20
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C23C16/455
- 一种炉管装置,包括:炉管腔体;位于所述炉管腔体内部的晶舟;位于所述炉管腔体底部的炉管炉门;位于所述炉管炉门上的盖板,所述盖板位于晶舟下方,所述盖板具有相对的第一表面和第二表面,以及位于所述第一表面和第二表面之间的外侧面,所述第一表面面向晶舟底面,所述第二表面与所述炉管炉门相固定,所述盖板内具有相对于外侧面凹陷的定位凹槽,所述定位凹槽投影于所述第一表面的图形为环形;位于所述环形定位凹槽内部的环形吹扫管路结构,所述环形吹扫管路结构投影于所述第一表面的图形在第一表面范围内,所述环形吹扫管路结构表面具有挡流板。所述炉管腔体提升了制备工艺的制程稳定性,提高了良品率,同时延长了设备使用寿命。
- 炉管装置
- [发明专利]半导体结构的形成方法-CN202111470796.3在审
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李宗亮;李素云;夏圣杰;李斌生;张冬平
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中芯南方集成电路制造有限公司
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2021-12-03
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2023-06-06
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H01L21/033
- 一种半导体结构的形成方法,包括:提供待刻蚀层,包括第一区和第二区;在第一区和第二区上形成分立的核心层;在待刻蚀层上、核心层侧壁表面和顶部表面形成侧墙材料层;在第一区上相邻的核心层之间形成隔离层;在第二区上相邻的核心层之间形成牺牲层,牺牲层暴露出核心层顶部表面;以牺牲层和隔离层为掩膜,对暴露出的侧墙材料层进行刻蚀,在第一区上的核心层侧壁和待刻蚀层上形成第一侧墙结构,在第二区上的核心层侧壁形成初始第二侧墙结构,第一侧墙结构和初始第二侧墙结构的顶部表面低于核心层顶部表面;去除牺牲层;回刻蚀初始第二侧墙结构,在第二区上的核心层侧壁形成第二侧墙结构。所述方法形成的半导体结构性能得到提升。
- 半导体结构形成方法
- [发明专利]自动化搬运系统及其工作方法-CN202111408595.0在审
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唐忆凯
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中芯南方集成电路制造有限公司
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2021-11-24
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2023-05-26
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B65G65/00
- 一种自动化搬运系统及工作方法,系统包括:装卸台,用于装载和卸载物料盒;设置于装卸台周围的光栅检测仪,光栅检测仪用于检测装卸台周围是否为安全环境,光栅检测仪具有遮光传感器,光栅检测仪与装卸台电连接;空中吊运设备,空中吊运设备位于装卸台上方,空中吊运设备可沿轨道朝向装卸台或远离装卸台运动;设置于装卸台上的感位传感器,装载于装卸台上的物料盒暴露出感位传感器,感位传感器用于检测空中吊运设备是否位于装卸台的正上方,感位传感器与装卸台电连接;自动化控制端,用于根据光栅检测仪和感位传感器发送的信号,控制装卸台自动装载和卸载物料盒,以及控制空中吊运设备自动提取物料盒。所述系统能提前预警装卸台的安全状态。
- 自动化搬运系统及其工作方法
- [发明专利]半导体结构的形成方法-CN202111408621.X在审
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刘中元
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中芯南方集成电路制造有限公司
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2021-11-24
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2023-05-26
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H01L21/768
- 一种半导体结构的形成方法:提供衬底;在衬底上形成栅极结构、源漏掺杂区和第一介质层;在第一介质层上形成第二介质层;在第二介质层上形成掩膜结构,包括第一掩膜层、位于第一掩膜层顶部的第二掩膜层以及位于第一掩膜层和第二掩膜层侧壁的第三掩膜层,第一掩膜层分别与第二掩膜层和第三掩膜层的材料不同;以掩膜结构为掩膜刻蚀第二介质层形成平行排列的第一凹槽,使部分第二介质层形成隔离结构,隔离结构沿垂直于第一凹槽延伸方向贯穿第一凹槽;去除掩膜结构,在栅极结构上的第二介质层内或隔离结构内形成第二凹槽;在第一凹槽内形成与源漏掺杂区电连接的第一金属层,在第二凹槽内形成与栅极结构电连接的第二金属层。半导体结构性能得到提升。
- 半导体结构形成方法
- [发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202111321503.5在审
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刘中元
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中芯南方集成电路制造有限公司
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2021-11-09
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2023-05-12
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H01L29/78
- 一种半导体结构及其形成方法,其中方法包括:在所述层间介质层内形成初始第一凹槽,所述初始第一凹槽暴露出所述源漏层顶部表面的第一刻蚀停止层;在所述层间介质层内形成初始第二凹槽,所述初始第二凹槽暴露出所述栅极表面的第一刻蚀停止层,且所述初始第二凹槽与所述初始第一凹槽相连通;刻蚀所述初始第一凹槽和所述初始第二凹槽暴露出的第一刻蚀停止层,以形成第一凹槽和第二凹槽,所述第一凹槽暴露出所述源漏层表面,所述第二凹槽暴露出所述栅极,有利于控制刻蚀深度,减少对所述源漏层表面的过刻蚀的概率,从而提高所形成的器件的性能。
- 半导体结构及其形成方法
- [发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202111296334.4在审
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刘中元
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中芯南方集成电路制造有限公司
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2021-11-03
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2023-05-05
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H01L29/423
- 一种半导体结构及其形成方法,其中方法包括:在所述鳍部表面形成伪栅介质层;在所述伪栅介质层上形成横跨所述鳍部的伪栅极结构,所述伪栅极结构包括伪栅极和所述伪栅极侧壁的第一侧墙,所述伪栅极结构位于所述鳍部的部分顶部表面和部分侧壁表面;在所述伪栅极结构两侧的鳍部内形成源漏层;在所述衬底和所述源漏层表面形成层间介质层,所述层间介质层还位于所述伪栅极结构侧壁,且暴露出所述伪栅极顶部表面;去除所述伪栅极和所述伪栅极底部的部分鳍部,在所述层间介质层内形成开口;在所述开口侧壁表面形成第二侧墙;形成所述第二侧墙后,在所述开口内形成栅极,减少漏电的发生概率,提高生产良率和器件性能的稳定性。
- 半导体结构及其形成方法
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