[发明专利]半导体器件及其制备方法、应用方法在审
| 申请号： | 202210363740.6 | 申请日： | 2022-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN116936618A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 蔡宜霖 | 申请（专利权）人： | 芯恩（青岛）集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/336;H01L29/792;H10B43/27 |
| 代理公司： | 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 | 代理人： | 许骅 |
| 地址： | 266246 山东省青岛*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本申请公开了一种半导体器件及其制备方法、应用方法，包括提供半导体衬底，在半导体衬底上形成外延层，在外延层内形成第一沟槽，在第一沟槽内形成栅极结构，第一沟槽以外的外延层内形成阱区和源极区，其中，栅极结构包括功能介质区和栅极区，功能介质区形成于第一沟槽的内壁表面，并自第一沟槽的内壁向中心方向依次包括电荷隧穿层、电荷存储层及电荷阻挡层，栅极区形成于电荷阻挡层上并将第一沟槽填充完全。通过在第一沟槽内形成栅极结构，利用功能介质区的电荷储存能力，在沟道内产生感应电荷，增强源极区和漏极区之间的反偏效果，降低沟道漏源漏电，同时，功能介质区的电荷储存能力有利于扩大半导体器件的阈值电压范围，提高半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
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