[发明专利]半导体结构的制作方法及半导体结构在审
| 申请号： | 202210058165.9 | 申请日： | 2022-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN114420638A | 公开（公告）日： | 2022-04-29 |
| 发明（设计）人： | 王蒙蒙 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/088;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京名华博信知识产权代理有限公司 11453 | 代理人： | 鲁盛楠 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种半导体结构的制作方法及半导体结构，半导体结构的制作方法包括，提供衬底，衬底包括第一区域和第二区域；在第一区域上形成第一器件，第一器件包括第一栅极结构，第一栅极结构包括第一功函数层；在第二区域上形成第二器件，第二器件包括第二栅极结构，第二栅极结构包括第二功函数层；第一栅极结构的顶面与第二栅极结构的顶面平齐。在本公开中，第一器件的第一栅极结构和第二器件的第二栅极结构在同一刻蚀制程中形成，第一栅极结构和第二栅极结构的制程高度相等，降低了形成第一栅极结构和第二栅极结构的工艺难度，提高了半导体结构的成品率和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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