[发明专利]一种激光外调制横模发生装置在审
| 申请号： | 202111622487.3 | 申请日： | 2021-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN114400500A | 公开（公告）日： | 2022-04-26 |
| 发明（设计）人： | 田中州;何星;王帅;杨平;许冰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院光电技术研究所 |
| 主分类号： | H01S5/065 | 分类号： | H01S5/065 |
| 代理公司： | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人： | 金怡 |
| 地址： | 610209 *** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开一种激光外调制横模发生装置，包括：激光器系统，包含激光光源和指示光源，两种光源经两块分光镜配合调整后实现同轴输出；倾斜控制系统，对入射激光引入倾斜像差，影响入射激光模式，实现对调制腔外的倾斜控制；外部调制腔系统，为一块平面腔镜和两块平凹腔镜组成的折叠式被动谐振腔，对注入激光进行谐振，调整安装在四维可调倾斜镜架上的平凹腔镜和安装在嵌入式旋转安装座的平面腔镜，实现入射激光模式与被动腔本征模的横模匹配；横模监测系统，包括聚焦透镜、高速光电探测器和CCD相机，光电探测器和相机分别监测被动腔透射光束经透镜聚焦后的光腔输出信号和光斑分布模式。本发明调整范围较宽，激光模式阶数较多，高阶横模模式多样。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 激光 外调 制横模 发生 装置 | ||
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- 2021-06-24 - 2022-12-27 - H01S5/065
- 本发明针对光通信技术、光传感技术和微波光子学等领域对低噪声、高重频和小型化集成半导体锁模激光器需求，提供一种外腔半导体锁模激光器及其调节方法，包括半导体增益芯片、激光外腔、光隔离器、耦合透镜和输出光纤。由于半导体增益芯片属于非均匀展宽增益介质，支持多个纵模同时发光，在高非线性介质中传输时，各纵模能量通过四波混频效应相互交换，从而实现各纵模的相位锁定，形成脉冲输出。采用外腔结构，增大了半导体激光器的腔长，降低了半导体激光器的噪声，可以实现高信噪比的锁模脉冲。本发明所提供的方案具有体积小、成本低、重频可以通过改变外腔长度进行调节、发射波长容易控制等优势，在微波技术、光通信系统等领域具有重要的实用价值。
- 锁模激光器及其驱动方法-202210940474.9
- 孙德藩;陆丹;杨秋露;张瑞康;赵玲娟 - 中国科学院半导体研究所
- 2022-08-03 - 2022-11-29 - H01S5/065
- 本发明涉及半导体光电子技术领域，提供一种锁模激光器及其驱动方法，该锁模激光器包括：饱和吸收体、输入端波导区、多模干涉耦合器以及多个不同长度的反射臂，每个反射臂包括依次排列的输出端波导区、相位控制区以及多模干涉反射镜；其中，饱和吸收体设置于输入端波导区的一侧，输入端波导区的另一侧设置于多模干涉耦合器的输入端，多个不同长度的输出端波导区分别设置于多模干涉耦合器的多个输出端，多个不同长度的反射臂分别与饱和吸收体的端面构成多个不同腔长的子谐振腔，不同腔长的子谐振腔对应不同的锁模脉冲重复频率。本发明可以有效减小脉冲演化过程中的非线性效应，实现多种重复频率可切换的的大功率锁模脉冲输出。
- 一种单纵模可调谐FP激光器及控制方法-202210630061.0
- 张敏明;杨思康 - 华中科技大学
- 2022-06-06 - 2022-11-01 - H01S5/065
- 本发明公开了一种单纵模可调谐FP激光器及控制方法，属于半导体器件领域。激光器自下至上依次包括：n面电极、衬底、n型下包层、下限制层、多量子阱结构有源区、上限制层及p型上包层，还包括两个相互耦合的谐振腔及两个p面电极，所述两个相互耦合的谐振腔设在所述p型上包层上，所述两个p面电极分别对应的布置在两个谐振腔上，其中一个p面电极用于注入第一电流调控对应的谐振腔内增益最高的纵模的增益系数，另一个p面电极用于注入第二电流调控对应的谐振腔内增益最高的纵模的损耗系数。通过控制两个谐振腔内增益最高的纵模对应的增益系数及损耗系数，无需刻蚀光栅，即可实现FP激光器的单纵模激射。
- 用于显示设备的拓宽光谱激光二极管-202180020023.7
- S·沙希;D·E·齐默曼 - 微软技术许可有限责任公司
- 2021-01-26 - 2022-10-25 - H01S5/065
- 提供了一种用于在MEMS激光扫描显示设备(200)中使用的宽光谱激光器。激光二极管发射器(202A)包括：与第一电流或电压源(604)耦合的增益区段(600)；以及与第二电流或电压源(606)耦合的可调谐吸收器区段(602)；其中第二电流或电压源(606)被配置为提供驱动电流或电压，该驱动电流或电压在一段时间内扫过值范围，以引起激光二极管发射器的波长的偏移，在该波长处总增益最大，从而引起激光二极管发射器发射光谱拓宽的光。
- 基于液晶调控的垂直腔面发射激光器及其制备方法-202110186788.X
- 邵泓焰;曾一平;张杨;崔利杰;崔宁 - 中国科学院半导体研究所
- 2021-02-10 - 2022-10-14 - H01S5/065
- 本发明提供了一种基于液晶调控的垂直腔面发射激光器，所述垂直腔面发射激光器包括传统氧化限制型垂直腔面发射激光器结构和液晶模式调制结构，其中，传统氧化限制型垂直腔面发射激光器结构，用于发射激发模式；液晶模式调制结构，位于所述传统氧化限制型垂直腔面发射激光器结构之上，通过液晶折射率的改变实现对传输光场损耗的影响，从而控制激射模式。本发明还提供了一种用于制备上述基于液晶调控的垂直腔面发射激光器的制备方法。
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