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[发明专利]抗过载光接收组件-CN202211512173.2有效
发明人：曲业飞;邱振龙;郭靖宇;陈宝光 -专利权人： 山东中科际联光电集成技术研究院有限公司
申请日： 2022-11-29 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L31/0203 文献下载
摘要：本发明公开了一种抗过载光接收组件，它属于光通信领域，其解决了现有技术中不能从根本上控制入射光量，无法控制输入光功率的问题。它主要包括管座，管座上设有探测器芯片，所述的管座上设有电引线，电引线连接电压致动器，所述的电压致动器包括衬底，衬底上设有P极输入端和N极输入端，P极输入端滑动连接挡片，N极输入端连接固定片。本发明主要采用移动齿与固定齿相互配合的方式，将通过调节电压致动器P极、N极之间的电压，控制移动齿与固定齿位置，进而控制挡片位置，调节入射到PD探测器芯片上的光功率值，从输入光功率上解决探测器芯片光过载的问题，减少误码的产生，更好的保护光电探测器芯片。
过载接收组件

[发明专利]温控抗过载光组件-CN202211513506.3有效
发明人：曲业飞;邱振龙;郭靖宇;邹小雪 -专利权人： 山东中科际联光电集成技术研究院有限公司
申请日： 2022-11-29 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L31/0203 文献下载
摘要：本发明公开了一种温控抗过载光组件，它属于光组件领域，即可以解决接收端，PD芯片的输入光功率过载，即入射到PD芯片的光功率大于过载光功率问题，又可以解决发射端，在不改变LD芯片工作参数与不增加光衰减器的条件下，调节LD芯片光功率的问题。它主要包括管座，管座上设有管帽和芯片，管帽上设有光窗，所述管座上设有P极电引线和N极电引线，P极电引线和N极电引线之间电性连接有温控模块，温控模块上设有光孔，温控模块的光孔上方设有温控光学部件，光孔和温控光学部件位于芯片上方。本发明主要用于为PD芯片或LD芯片调节透光率。
温控过载组件

[实用新型]应用于光学式坐标测量仪的激光器固定装置-CN202321091687.5有效
发明人：曲业飞;邱振龙;郭靖宇;邹小雪 -专利权人： 山东中科际联光电集成技术研究院有限公司
申请日： 2023-05-09 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G01B11/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种应用于光学式坐标测量仪的激光器固定装置，涉及光纤传感光器件和固定装置技术领域。包括“凹”字形基座，基座的内底面上设有长方体固定块，固定块的宽度小于基座的宽度，基座的两个端部上分别内嵌有磁铁，基座的两侧分别设有一个带磁性的固定板，固定板的端部吸附在基座的端部侧面上，固定块上设有定位板，定位板的两个侧面上分别开设有若干个定位槽。本实用新型采用磁吸式紧固方式对蝶形激光器进行位置固定和竖立状态保持，解决了现有技术中，由于在对蝶形激光器进行尺寸检验时缺少合理固定装置，使得通常需要人工进行手持，从而很可能会导致测量结果不标准、人力成本高、检验效率低的问题。
应用于光学坐标测量仪激光器固定装置

[发明专利]TEC引线造型装置及其使用方法-CN202311139152.5在审
发明人：井红旗;盛建业;刘波;王静;宝浩天;张志珂;刘建国 -专利权人： 山东中科际联光电集成技术研究院有限公司
申请日： 2023-09-06 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： B21F1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种TEC引线造型装置及其使用方法，它属于电子元件生产装置领域，其解决了现有技现有技术中TEC引线批量生产，引线造型困难，成品率交低的问题。它主要包括底座，所述底座上设有造型槽和固定槽，造型槽通过螺纹孔螺纹连接定位螺栓Ⅰ，定位螺栓Ⅰ连接造型块，造型块正上方设有压块Ⅰ，所述的压块Ⅰ的底部形状与造型块的形状相配合，底座侧边设有定位螺栓Ⅱ，定位螺栓Ⅱ接触连接压块Ⅱ的一侧；压块Ⅱ的另一侧接触连接限位块Ⅱ，压块Ⅱ与造型块配合。本装置采用造型块、压块和固定块相互配合的方式，解决手动成型过程中可能会由于应力引起焊点开裂的风险。
tec 引线造型装置及其使用方法

[发明专利]半导体DFB激光器大电流下保持单横模激射的结构-CN202310725552.8在审
发明人：吴梦影;于海洋;李韶杰;赵秦丰;曹玉莲 -专利权人： 山东中科际联光电集成技术研究院有限公司
申请日： 2023-06-19 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01S5/065 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体DFB激光器大电流下保持单横模激射的结构，它属于有源芯片，其在高阶侧模有光场分布而基模无光场分布的双沟两侧的高折射脊台下生长离子吸收区和高阻区，其在增加高阶侧模损耗的同时，减小高阶侧模的增益，抑制高阶侧模激射，保证单横模激射。它主要包括包括离子吸收区和高阻区，在激光器双沟脊波导双沟两侧的高折射率脊台下生长离子吸收区和高阻区，离子吸收区为掺杂高阶侧模自由载流子吸收损耗区，即离子吸收层；高阻区为生长在P型限制层中与限制层材料晶格匹配的绝缘层，即高阻层；离子吸收层，离子吸收层位于P型掺杂限制层Ⅰ上方。本发明主要用于半导体DFB激光器大电流下保持单横模激射。
半导体 dfb 激光器流下保持单横模激射结构

[发明专利]近红外宽光谱防猫眼效应光学镜头-CN202110997713.X有效
发明人：王奕博;吴国璋;刘建国;张阳 -专利权人： 山东中科际联光电集成技术研究院有限公司;王奕博
申请日： 2021-08-27 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G02B7/00 文献下载
摘要：本发明涉及光电设备隐身防护技术领域，尤其是涉及一种近红外宽光谱防猫眼效应光学镜头。包括陷光镜筒，所述陷光镜筒两端设有与光轴垂直放置的镜片组，陷光镜筒内设有与光轴呈倾斜放置的互补镜片组；所述与光轴垂直放置的镜片组和与光轴呈倾斜放置的互补镜片组上设有吸收性微纳结构薄膜。陷光镜筒通过螺纹旋装或螺钉固定在需加装的光电设备上。本发明在不改变原有光电设备的基础结构前提下，通过加装防猫眼效应光学镜头附件，即可消除原有光电设备的猫眼效应问题，适用范围广，效费比高。
红外光谱猫眼效应光学镜头

[实用新型]小型化激光器-CN202321131904.9有效
发明人：曲业飞;郭靖宇 -专利权人： 山东中科际联光电集成技术研究院有限公司
申请日： 2023-05-09 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01S5/024 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种小型化激光器，它属于光纤传感与光纤通讯领域，其现有技术中激光器尺寸较大，适用性较差，且无法实现FA光口与PD芯片之间的耦合对准的问题。它主要包括管壳，所述的管壳上设有制冷器和光纤组件，所述的制冷器上设有热沉，热沉上设有芯片组件、聚焦透镜和光隔离器，芯片组件包括导热基板Ⅰ，导热基板Ⅰ上设有激光器芯片；所述的光纤组件包括光纤，激光器芯片、聚焦透镜和光纤内的裸纤之间相互配合；所述光纤连接FA光口；所述的光隔离器设于聚焦透镜和专线光纤之间。本实用新型采用特殊的光电混合微型封装设计，实现激光器封装的小型化，降低了引脚数量，改进内部结构，适用性更高。
小型化激光器

[外观设计]激光发射机（高速多通道）-CN202330212250.1有效
发明人：盛建业 -专利权人： 山东中科际联光电集成技术研究院有限公司
申请日： 2023-04-18 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： 14-03 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：激光发射机（高速多通道）。2.本外观设计产品的用途：作为可调谐激光光源设备。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
激光发射机高速通道

[发明专利]芯片烧结夹具-CN202310718123.8在审
发明人：井红旗;宝浩天;张志珂 -专利权人： 山东中科际联光电集成技术研究院有限公司
申请日： 2023-06-16 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本发明公开了一种芯片烧结夹具，它属于半导体封装，其适用于绑定设备已有吸嘴，两个芯片可以一起绑定，解决了两个芯片由于高度公差，引起压力变化，导致影响焊接质量的问题；结构简单、操作方便且与现有吸嘴兼容，可行性高。它主要包括底座，底座上设有光轴，所述光轴上滑动设有安装座，安装座通过固定件限位于光轴上，还包括压片件，压片件包括配重臂和压臂，配重臂端部与安装座铰接，配重臂插设于配重内的插孔中，配重臂通过设于配重上的顶紧结构紧固，在配重臂的安装行程间调节固定配重的安装位置，压臂端部设有压头，底座底部设有磁吸装置。本发明主要用于芯片烧结。
芯片烧结夹具

[发明专利]基于纳米线轴向异质结的VCSEL阵列及其制备方法-CN202310773740.8在审
发明人：贾志刚;曹玉莲;李钊;石铸;刘建国 -专利权人： 山东中科际联光电集成技术研究院有限公司
申请日： 2023-06-28 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01S5/42 文献下载
摘要：本发明公开基于纳米线轴向异质结的VCSEL阵列及其制备方法，属于半导体光电子技术领域，包括依次设置的第一电极、绝缘掩埋层、掩模层、衬底和第二电极，所述绝缘掩埋层和掩模层中生长有纳米线，每一根纳米线竖直排列形成纳米线阵列，所述纳米线阵列中的每一根纳米线单独构成一个VCSEL结构。利用纳米圆盘的量子效应提高了特征温度；由于纳米线直径小于1μm，天然具有单横模发射的优点；纳米线能够在垂直于生长方向的两个维度释放应力，对应变具有更高的容忍度，能够实现更大范围的材料组分和波长调控；纳米线为外延生长的单晶结构，不存在侧壁损伤问题。
基于纳米线轴异质结 vcsel 阵列及其制备方法

[发明专利]在半导体晶圆电极表面电镀金属的方法-CN202310822453.1在审
发明人：李韶杰;季安;曹玉莲;刘雪刚 -专利权人： 山东中科际联光电集成技术研究院有限公司
申请日： 2023-07-06 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： C25D7/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种在半导体晶圆电极表面电镀金属的方法，它属于Ⅲ‑Ⅴ族有源芯片电镀方法，其减少电镀前需要生长一薄层金作为导电层的过程，减少了金属的浪费；减少电镀过程中光刻工艺和之后清洗工艺，减少了有机溶剂的使用；减少电镀后腐蚀电极之外的薄层种子金的过程，减少了无机化学试剂的使用，简化了工艺流程。它主要包括如下步骤，制作有源器件晶圆需要电镀的电极，即在晶圆的P型区域上形成图形化的SiOx或SiNx的绝缘钝化层和图形化的金属电极；将完成电极制作的有源器件晶圆放置于电镀治具上，电镀治具密封有源器件晶圆N型区域，即N面，有源器件晶圆P型区域，即P面暴露在外。本发明主要用于晶圆电极表面电镀金属。
半导体电极表面电镀金属方法

[发明专利]降低半导体刻蚀工艺中轰击损伤的方法-CN202310462241.7在审
发明人：季安;李韶杰;曹玉莲 -专利权人： 山东中科际联光电集成技术研究院有限公司
申请日： 2023-04-26 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明涉及一种降低半导体刻蚀工艺中轰击损伤的方法，属于光通讯Ⅲ‑Ⅴ族有源芯片技术领域；在传统的RIE刻蚀和ICP刻蚀Ⅲ‑Ⅴ族有源器件材料工艺中，将传统的氩混合气体更换为氖混合气体，在不提高刻蚀工艺对设备的要求和工艺难度的基础上，从而在其他条件相同的情况下降低轰击作用，减少刻蚀过程中的表面损伤，增大刻蚀过程中可控制的范围。
降低半导体刻蚀工艺轰击损伤方法

[发明专利]同种焊料的焊接方法-CN202310502713.7在审
发明人：井红旗;宝浩天;王静;陈丹丹 -专利权人： 山东中科际联光电集成技术研究院有限公司
申请日： 2023-05-06 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明公开了一种同种焊料的焊接方法，它属于焊料焊接技术领域，其解决了解决半导体梯度焊接中，多层需要同种预制焊料，二次焊接会导致一次焊接二次熔化的问题。它主要包括步骤1：对基板Ⅰ进行预处理，去除基板Ⅰ的杂质，并在基板Ⅰ上涂抹焊料；步骤2：利用低热导率的吸嘴Ⅰ吸取芯片，并将芯片焊接到带有预制的基板Ⅰ上，完成一次焊接；步骤3：对基板Ⅱ进行预处理，去除基板Ⅱ的杂质，并在基板Ⅱ上涂抹焊料；步骤4：利用高热导率的吸嘴Ⅱ吸取一次焊接完成的焊接组件，并将焊接组件焊接到带有预制的基板Ⅱ上，完成二次焊接。本发明主要用于半导体梯度焊接中，可防止一次焊接脱焊。
同种焊料焊接方法

[发明专利]深槽衬底图形化的制备方法-CN202310234040.1在审
发明人：孙伟杨;曹玉莲;季安 -专利权人： 山东中科际联光电集成技术研究院有限公司
申请日： 2023-03-09 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明属于微机电系统的技术领域，具体涉及深槽衬底图形化的制备方法。所述的深槽衬底图形化的制备方法，包括以下步骤：提供一种衬底；衬底上形成一种硬掩膜；在所述硬掩膜层上形成一种光刻胶层并曝光、显影，暴露部分硬掩膜层；在暴露的所述部分硬掩膜层进行刻蚀，暴露部分衬底层；在暴露的衬底层干法刻蚀或者湿法刻蚀，形成高深宽比深槽；采用喷涂工艺，在带有深槽图形的衬底上形成均匀涂布的光刻胶，并对光刻胶进行图形化；对衬底层进行刻蚀或者金属沉积剥离，在深槽中形成所需要的图形。本发明提出的深槽衬底图形化的制备方法，在图形化工艺中，完成均匀的、高质量的涂胶和有效的侧壁保护，解决了器件短路或侧壁存有残留金属的问题。
衬底图形制备方法

[实用新型]声学噪声和电噪声双隔离的光源噪声测试系统-CN202320638179.8有效
发明人：王幼林;王胜贤;赵冉冉 -专利权人： 山东中科际联光电集成技术研究院有限公司
申请日： 2023-03-28 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G01M11/02 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种声学噪声和电噪声双隔离的光源噪声测试系统，属于光源噪声测试技术领域。包括电源、被测光源、光路与探测单元、电信号接收与计算单元，所述电源通过电噪声隔离模块分别连接被测光源、电信号接收与计算单元，光路与探测单元处设有声学噪声隔离模块。本实用新型能够对测试系统进行声学噪声与电噪声的双隔离，即实现多维度系统性降噪，从而光源噪声测试系统的稳定性和对测试环境要求的鲁棒性，解决了现有的机壳隔振方案和电池供电方案都无法保证良好的噪声隔离效果，并且无法进行多维度降噪，从而导致光源噪声测试系统的测量数据不准确的问题。
声学噪声隔离光源测试系统

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