[发明专利]一种半导体器件及制备方法有效
| 申请号： | 202110991978.9 | 申请日： | 2021-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN113436975B | 公开（公告）日： | 2021-12-14 |
| 发明（设计）人： | 杨天应 | 申请（专利权）人： | 深圳市时代速信科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L29/778;H01L29/40 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 崔熠 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市前海深港合作区*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供一种半导体器件及制备方法，涉及半导体技术领域，方法包括：通过先在第一介质层上形成底层源场板，使得底层源场板位于栅极金属和漏极金属之间，且底层源场板在衬底的正投影与栅极金属在衬底的正投影不相交；然后在底层源场板上形成第二介质层；在第二介质层上制作与底层源场板连接的互连结构。通过第二介质层以及与底层源场板连接的互连结构，能够有效降低栅源之间的寄生电容，同时，由于底层源场板与栅极金属之间的第一介质层的厚度并未发生变化，因此，也可以保证底层源场板的电场调制作用，从而能够在源场板调制作用和降低栅源之间Cgs之间达到较好的平衡。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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