[发明专利]半导体器件的应力测量装置以及方法在审
| 申请号： | 202110898695.X | 申请日： | 2021-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN113791325A | 公开（公告）日： | 2021-12-14 |
| 发明（设计）人： | 李恋恋;都安彦;杨红;王文武 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26;G01L5/00;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 金铭 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供的一种半导体器件的应力测量装置以及应力测量方法，涉及半导体技术领域，包括：基台包括相对设置的第一台座和第二台座；第一承接件活动装配在第一台座上，第一承接件上活动装配有至少两个第一滚轴；第二承接件活动装配在第二台座上，第二承接件上活动装配有至少两个第二滚轴；两个第一滚轴相互平行并构成第一平面，两个第二滚轴相互平行并构成第二平面，第一平面与第二平面相互平行，第一承接件的移动轨迹与第一平面垂直，第二承接件的移动轨迹与第二平面垂直。在上述技术方案中，滚轴可以使晶圆试样内的半导体器件内部受到均匀的单轴应力，避免晶圆由于施加外力不当而断裂。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 应力 测量 装置 以及 方法 | ||
【主权项】：
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