[发明专利]集成势垒夹断二极管的SGT功率MOS器件及加工工艺在审
| 申请号： | 202110894292.8 | 申请日： | 2021-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN113611747A | 公开（公告）日： | 2021-11-05 |
| 发明（设计）人： | 孙德福;邢仟强;李东华 | 申请（专利权）人： | 济南市半导体元件实验所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 济南诚智商标专利事务所有限公司 37105 | 代理人： | 李修杰 |
| 地址： | 250014 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种集成势垒夹断二极管的SGT功率MOS器件及加工工艺，SGT功率MOS器件包括第一导电类型的漏极区和外延层，在外延层上设置开口向上的沟槽，在沟槽内上设置填充有第一多晶硅的厚氧化层，在第一多晶硅上方沟槽内设置有填充有第二多晶硅的栅氧化层，在外延层上部且位于所述沟槽的四周设置有第二导电类型的阱区层；在阱区层上方设置有源极区层，在源极区层和沟槽上方设置有绝缘介质层，在绝缘介质层上开设若干接触孔，所述接触孔与外延层、阱区层和源极区层相连接；在绝缘介质层上方敷设金属区层；所述接触孔内设置有金属。本发明提高了SGT功率MOS器件反向恢复速度；降低了SGT功率MOS器件正向导通功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 势垒夹断 二极管 sgt 功率 mos 器件 加工 工艺 | ||
【主权项】：
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