[发明专利]一种多芯片三维堆叠扇出型封装结构及其封装方法在审

专利信息
申请号: 202110617675.0 申请日: 2021-06-03
公开(公告)号: CN113192904A 公开(公告)日: 2021-07-30
发明(设计)人: 胡正勋;梁新夫;郭洪岩;刘爽;潘波;邵婷婷 申请(专利权)人: 长电集成电路(绍兴)有限公司
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L25/07;H01L23/498;H01L21/50
代理公司: 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 代理人: 赵华
地址: 312000 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种多芯片三维堆叠扇出型封装结构及其封装方法,属于芯片封装技术领域。其自上往下依次包括保护层(130)、第一封装体(124)、第一再布线金属层(110)、第二封装体(125)以及第二再布线金属层(118),第一封装体(124)与第二封装体(125)通过第一再布线金属层(110)进行电信号连接,第一封装体(124)设置在第一再布线金属层(110)的上方,第二封装体(125)设置在第一再布线金属层(110)的下方,第二再布线金属层(118)设置在第二封装体(125)的下方。本发明弥补了已有封装结构的不足,适用于超高密度多芯片互联,生产成本更低,更易实现生产。
搜索关键词: 一种 芯片 三维 堆叠 扇出型 封装 结构 及其 方法
【主权项】:
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